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三星 文章 進(jìn)入三星技術(shù)社區
三星殺進(jìn)英偉達后院？投資GPU撈過(guò)界
- 不當AI芯片邊緣人？三星近日宣布重大決策，將投資圖形處理單元 （GPU）領(lǐng)域，外界聯(lián)想是否與GPU巨頭英偉達正面競爭。業(yè)界認為，此投資案可望強化三星在GPU領(lǐng)域競爭力，美媒也直言，主要在于GPU研究，改善半導體制造流程，而不是推出新款GPU產(chǎn)品，游戲玩家別期待了。 韓媒Business Korea報導，三星投資GPU的細節并未對外揭露，但這次決策與以往專(zhuān)注于內存、晶圓代工等服務(wù)有所不同，格外引人矚目。部分市場(chǎng)人士解讀，這項投資是三星的內部策略，目的在于利用GPU來(lái)提升半導體制程創(chuàng )新，而不是要開(kāi)發(fā)、制造GP
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4nm→2nm，三星或升級美國德州泰勒晶圓廠(chǎng)制程節點(diǎn)
- 根據韓國媒體Etnews的報導，晶圓代工大廠(chǎng)三星正在考慮將其設在美國德州泰勒市的晶圓廠(chǎng)制程技術(shù)，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠(chǎng)和英特爾的競爭。消息人士稱(chēng)，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報導指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠(chǎng)投資于2021年，2022年開(kāi)始興建，計劃于2024年底開(kāi)始分階段運營(yíng)。以三星電子DS部門(mén)前負責人Lee Bong-hyun之前的說(shuō)法表示，到2024年底，我們將開(kāi)始從這里出貨4納米節點(diǎn)制程的產(chǎn)品。不過(guò)，相較于三星泰勒市晶圓廠(chǎng)，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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通用 DRAM 內存仍供大于求，消息稱(chēng)三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率維持 80~90%
- IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng)，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱(chēng)，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現 NAND 產(chǎn)線(xiàn)滿(mǎn)負荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規 DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場(chǎng)仍呈現供大于求的局面，是下游傳統服務(wù)器、智能手機和 PC 產(chǎn)業(yè)復蘇緩慢導致的
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三星公布新工藝節點(diǎn)，2nm工藝SF2Z將于2027年大規模生產(chǎn)
- 據韓媒報道，當地時(shí)間6月12日，三星電子在美國硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圓代工技術(shù)戰略?；顒?dòng)中，三星公布了兩個(gè)新工藝節點(diǎn)，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工藝，采用背面電源輸送網(wǎng)絡(luò )（BSPDN）技術(shù)，通過(guò)將電源軌置于晶圓背面，以消除與電源線(xiàn)和信號線(xiàn)有關(guān)的互聯(lián)瓶頸，計劃在2027年大規模生產(chǎn)。與第一代2nm技術(shù)相比，SF2Z不僅提高了PPA，還顯著(zhù)降低了電壓降（IR drop），從而提高了高性能計算（HPC）的性能。
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三星Galaxy Watch FE進(jìn)軍入門(mén)智能手表市場(chǎng)
- 三星樂(lè )觀(guān)看待智慧手表市場(chǎng)成長(cháng)趨勢，今日宣布推出全新Galaxy Watch FE，集結耐用的藍寶石玻璃設計及亮眼外型、完善的運動(dòng)追蹤與全方位健康監測功能，以親民價(jià)格即享眾多優(yōu)異體驗。Galaxy Watch FE（藍牙版）共推出「曜石黑」、「玫瑰金」、「星夜銀」三款顏色，建議售價(jià)NT$5,990，自6月下旬起于全臺各大通路正式上市，消費者凡于7月16日前在全通路購買(mǎi)三星不限型號手機或平板，即可現折NT$1,000加購Galaxy Watch FE，五千有找輕松入手，開(kāi)啟嶄新智慧生態(tài)圈體驗。三星電子行動(dòng)通訊
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降低對臺積電的依賴(lài)！高通考慮臺積電三星雙代工模式
- 6月14日消息，高通公司首席執行官Cristiano Amon近日在接受采訪(fǎng)時(shí)表示，公司正在認真評估臺積電、三星雙源生產(chǎn)戰略。據悉，高通驍龍8 Gen4將在今年10月登場(chǎng)，這顆芯片完全交由臺積電代工，采用臺積電N3E節點(diǎn)，這是臺積電第二代3nm制程。因蘋(píng)果、聯(lián)發(fā)科等科技巨頭都采用臺積電3nm工藝，出于對臺積電產(chǎn)能有限的考慮，高通有意考慮雙代工廠(chǎng)策略。此前有消息稱(chēng)驍龍8 Gen4原本計劃采用雙代工模式，但是三星3nm產(chǎn)能擴張計劃趨于保守，加上良品率并不穩定，最終高通選擇延后執行該計劃。不過(guò)高通并未放棄雙代工
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拜登政府恐對中國大陸封鎖最強GAA技術(shù)
- 美中貿易戰沖突未歇，傳出美國將再次出手打擊大陸半導體產(chǎn)業(yè)，針對最新的環(huán)繞閘極場(chǎng)效晶體管（GAA）技術(shù)祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術(shù)的能力，換言之，美國將防堵大陸取得先進(jìn)芯片，擴大受管制的范圍。 美國財經(jīng)媒體引述知情人士消息報導，拜登政府考慮新一波的半導體限制措施，以避免大陸能夠提升技術(shù)，進(jìn)而增強軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術(shù)，但確切狀況仍得等官方進(jìn)一步說(shuō)明，且不清楚官員何時(shí)會(huì )宣布新措施。若此事成真，大陸發(fā)展先進(jìn)半導體將大受打擊。目前三星從3納米開(kāi)始使用GAA技術(shù)，臺積電則從2納米
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三星公布芯片制造技術(shù)路線(xiàn)圖，增強AI芯片代工競爭力
- 據彭博社報道，當地時(shí)間6月13日，三星電子在其年度代工論壇上公布了芯片制造技術(shù)路線(xiàn)圖，以增強其在A(yíng)I人工智能芯片代工市場(chǎng)的競爭力。三星預測，到2028年，其人工智能相關(guān)客戶(hù)名單將擴大五倍，收入將增長(cháng)九倍。報道指出，三星電子公布了對未來(lái)人工智能相關(guān)芯片的一系列布局。在其公布的技術(shù)路線(xiàn)圖中，一項重要的創(chuàng )新是采用了背面供電網(wǎng)絡(luò )技術(shù)。據三星介紹，該技術(shù)與傳統的第一代2納米工藝相比，在功率、性能和面積上均有所提升，同時(shí)還能顯著(zhù)降低電壓降。三星還強調了其在邏輯、內存和先進(jìn)封裝方面的綜合能力。三星認為，這將有助于公司贏(yíng)
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三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域
- IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當地時(shí)間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回擊了此前的媒體傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準備工作進(jìn)展順利，預計可于 2027 年在性能和良率兩方面達到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過(guò)材料和結構方面的創(chuàng )新，積極研究后 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù)，實(shí)現三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認，其仍計劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統的
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三星電子宣布其首個(gè)背面供電工藝節點(diǎn) SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)
- IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在北京時(shí)間今日凌晨舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上宣布，其首個(gè)采用 BSPDN（背面供電網(wǎng)絡(luò )）的制程節點(diǎn) SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)推出。BSPDN 技術(shù)將芯片的供電網(wǎng)絡(luò )轉移至晶圓背面，與信號電路分離。此舉可簡(jiǎn)化供電路徑，大幅降低供電電路對互聯(lián)信號電路的干擾。三大先進(jìn)制程代工廠(chǎng)目前均將背面供電視為工藝下一步演進(jìn)的關(guān)鍵技術(shù)：英特爾將于今年率先在其 Intel 20A 制程開(kāi)始應用其背面供電解決方案 PowerVia；臺積電則稱(chēng)搭載其 Super
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英偉達黃仁勛反駁三星HBM3e有問(wèn)題
- 近日，英偉達(NVIDIA)執行長(cháng)黃仁勛在2024年中國臺北國際電腦展上對三星HBM因過(guò)熱問(wèn)題而未能通過(guò)測試的報道進(jìn)行了反駁。他表示，英偉達正在努力測試三星和美光生產(chǎn)的HBM芯片，但目前尚未通過(guò)測試，因為還有更多的工程工作要做。其中特別針對三星HBM產(chǎn)品的質(zhì)量問(wèn)題，黃仁勛表示，認證三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒體所報道的因芯片過(guò)熱問(wèn)題未通過(guò)質(zhì)量測試。他重申，英偉達與三星的合作進(jìn)展順利。此前，三星也堅決否認有關(guān)其高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品未能達到英偉達質(zhì)量標準的報道。三星電子在一份聲明中表示，
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2024年折疊手機品牌市占率預估：三星50.4%，華為30.8%
- 2024年折疊手機出貨量約1,780萬(wàn)部，占智能手機市場(chǎng)僅約1.5%，由于高維修率、高售價(jià)的問(wèn)題待解決，預計至2028年占比才有機會(huì )達到4.8%。三星（Samsung）初入市場(chǎng)作為折疊手機的先驅之姿，在2022年占據了超過(guò)八成市場(chǎng)份額，從2023到2024年間，開(kāi)始面臨隨著(zhù)多家智慧型手機品牌廠(chǎng)加入競爭，市場(chǎng)份額從六成降到了五成保衛戰。今年折疊手機的重要角色華為（Huawei），在2023年推出4G吸睛小折Pocket S，市場(chǎng)銷(xiāo)量成績(jì)優(yōu)異，推動(dòng)了華為2023年其折疊手機市占率首次突破雙位數，達12%。20
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新型存儲技術(shù)迎制程突破
- 近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開(kāi)發(fā)已基本完成，正按計劃逐步推進(jìn)制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術(shù)，屬于面向嵌入式領(lǐng)域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數據，同時(shí)寫(xiě)入速度是NAND的1000倍數?；谏鲜鎏匦?，業(yè)界看好eMRAM未來(lái)前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場(chǎng)景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一，致力于推動(dòng)eMRAM在汽車(chē)領(lǐng)域的應用。三
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華為折疊屏手機出貨量猛增257%，首登榜首
- 根據Counterpoint Research的最新報告，2024年第一季度，全球可折疊智能手機市場(chǎng)同比增長(cháng)49%，創(chuàng )下了六個(gè)季度以來(lái)的最高增速。出貨量前十名分別為華為、三星、榮耀、摩托羅拉，各自的市場(chǎng)份額分別為35%、23%、12%、11%；從出貨量的同比變化來(lái)看，華為同比增長(cháng)257%，三星同比減少42%，榮耀同比增長(cháng)460%，摩托羅拉同比增長(cháng)1473%。華為折疊屏手機的銷(xiāo)量猛增257%，市場(chǎng)份額的增長(cháng)主要得益于首次推出支持5G的折疊屏手機：例如上市即熱銷(xiāo)的小折疊華為Pocket 2和大折疊華為Mate
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三星介紹
韓國三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國市場(chǎng)則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有logo限公司在中國惠州投資建廠(chǎng)。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷(xiāo)售額突破100億美元，躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價(jià)值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。
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