三星公布新工藝節點(diǎn)，2nm工藝SF2Z將于2027年大規模生產(chǎn)

據韓媒報道，當地時(shí)間6月12日，三星電子在美國硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圓代工技術(shù)戰略。

活動(dòng)中，三星公布了兩個(gè)新工藝節點(diǎn)，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工藝，采用背面電源輸送網(wǎng)絡(luò )（BSPDN）技術(shù)，通過(guò)將電源軌置于晶圓背面，以消除與電源線(xiàn)和信號線(xiàn)有關(guān)的互聯(lián)瓶頸，計劃在2027年大規模生產(chǎn)。與第一代2nm技術(shù)相比，SF2Z不僅提高了PPA，還顯著(zhù)降低了電壓降（IR drop），從而提高了高性能計算（HPC）的性能。SF4U則是4nm工藝變體，通過(guò)結合光學(xué)縮放技術(shù)改進(jìn)功率、性能和面積（PPA），該工藝計劃于2025年量產(chǎn)。

目前，三星對SF1.4（1.4nm）的準備工作進(jìn)展順利，正在按計劃達成性能和量產(chǎn)目標，預計該工藝將于2027年量產(chǎn)。

在技術(shù)路線(xiàn)上，三星重點(diǎn)介紹了全環(huán)繞柵極（GAA）工藝技術(shù)的進(jìn)展。三星的GAA工藝已進(jìn)入量產(chǎn)的第三年，基于GAA技術(shù)演進(jìn)，三星計劃在今年下半年量產(chǎn)第二代3nm工藝（SF3），并計劃在即將推出的2nm工藝上采用GAA。

三星電子晶圓代工事業(yè)部總裁崔思英在演講中表示：“在所有技術(shù)都在圍繞AI發(fā)生革命性變革的時(shí)代，最重要的是能夠實(shí)現AI的高性能、低功耗半導體，”三星電子將通過(guò)針對AI半導體優(yōu)化的GAA（Gate-All-Around）工藝技術(shù)和光學(xué)器件技術(shù)，提供客戶(hù)在A(yíng)I時(shí)代所需的一站式AI解決方案，以實(shí)現低功耗的高速數據處理。到2027年，該公司計劃將光學(xué)元件集成到其AI解決方案中。