4nm→2nm，三星或升級美國德州泰勒晶圓廠(chǎng)制程節點(diǎn)

根據韓國媒體Etnews的報導，晶圓代工大廠(chǎng)三星正在考慮將其設在美國德州泰勒市的晶圓廠(chǎng)制程技術(shù)，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠(chǎng)和英特爾的競爭。消息人士稱(chēng)，三星電子最快將于第三季做出最終決定。

報導指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠(chǎng)投資于2021年，2022年開(kāi)始興建，計劃于2024年底開(kāi)始分階段運營(yíng)。以三星電子DS部門(mén)前負責人Lee Bong-hyun之前的說(shuō)法表示，到2024年底，我們將開(kāi)始從這里出貨4納米節點(diǎn)制程的產(chǎn)品。

不過(guò)，相較于三星泰勒市晶圓廠(chǎng)，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥俄州工廠(chǎng)量產(chǎn)Intel 20A和18A節點(diǎn)制程。

此外，臺積電也正在美國建設三座晶圓廠(chǎng)，計劃2025年上半年投產(chǎn)4納米節點(diǎn)制程，2028年投產(chǎn)2納米及3納米節點(diǎn)制程，2030年投產(chǎn)2納米及其以下的先進(jìn)節點(diǎn)制程。因此，相較來(lái)說(shuō)，三星的進(jìn)度稍有所落后競爭對手。

而根據在4月份舉行的第一季業(yè)績(jì)發(fā)表會(huì )上，三星電子表示，我們正準備根據客戶(hù)訂單分階段啟動(dòng)美國泰勒市晶圓廠(chǎng)的運營(yíng)工作，預計將于2026年開(kāi)始進(jìn)一步的首次量產(chǎn)。而受惠于泰勒市晶圓廠(chǎng)，三星電子能夠從美國政府獲得64億美元的補貼，這使得三星預計到2030年總投資預計將超過(guò)400億美元。因此，對于泰勒市晶圓廠(chǎng)的制程轉變，未來(lái)是否會(huì )影響市場(chǎng)占有率，市場(chǎng)還需拭目以待。