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半導體工業(yè)的關(guān)鍵——晶圓專(zhuān)題

  • 半導體已經(jīng)與我們的生活融為一體,我們日常生活的許多方面,包括手機、筆記本電腦、汽車(chē)、電視等,都離不開(kāi)半導體。而制造半導體所需的多任務(wù)流程被分為幾個(gè)基本工藝,這些工藝的第一步就是晶圓制造。晶圓可以說(shuō)是半導體的基礎,因為半導體集成電路包含許多處理各種功能的電氣元件。而集成電路是通過(guò)在晶圓的基板上創(chuàng )建許多相同的電路來(lái)制造的。晶圓是從硅棒上切成薄片的圓盤(pán),由硅或砷化鎵等元素制成。大多數晶圓是由從沙子中提取的硅制成。美國的硅谷始于半導體產(chǎn)業(yè),最終成為全球軟件產(chǎn)業(yè)的中心。據報道,它的名字是半導體原材料“硅”和圣克拉拉
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三星啟動(dòng)新的半導體部門(mén),旨在開(kāi)發(fā)下一代AGI芯片

  • 據報道,三星已在硅谷成立了一個(gè)新的半導體研發(fā)組織,旨在開(kāi)發(fā)下一代AGI芯片。三星不打算就此止步,因為他們決定抓住潛在的“黃金礦藏”與AGI半導體部門(mén)一擁而上,比其他公司更早 三星電子,特別是其鑄造部門(mén),在擴大半導體能力方面正在迅速進(jìn)展,公司宣布新的下一代工藝以及最終的客戶(hù)。然而,在人工智能時(shí)代,與像臺積電這樣的競爭對手相比,三星在A(yíng)I方面沒(méi)有取得顯著(zhù)進(jìn)展,因為該公司未能引起像NVIDIA這樣的公司對半導體的關(guān)注,但看起來(lái)這家韓國巨頭計劃走在前面,隨著(zhù)世界轉向AGI主導的技術(shù)領(lǐng)域。相關(guān)故事報告顯示去年銷(xiāo)售
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三星調整芯片工廠(chǎng)建設計劃,應對市場(chǎng)需求變化

  • IT之家 2 月 20 日消息,三星半導體業(yè)務(wù)雖然面臨著(zhù)持續的挑戰,但該公司仍對今年下半年的市場(chǎng)前景持樂(lè )觀(guān)態(tài)度。為了提高效率并更好地響應市場(chǎng)需求,三星正在對其芯片工廠(chǎng)進(jìn)行一些調整。具體而言,三星正在調整位于韓國平澤的 P4 工廠(chǎng)的建設進(jìn)度,以便優(yōu)先建造 PH2 無(wú)塵室。此前,三星曾宣布暫停建設 P5 工廠(chǎng)的新生產(chǎn)線(xiàn)。三星正在根據市場(chǎng)動(dòng)態(tài)調整其建設計劃。平澤是三星主要的半導體制造中心之一,是三星代工業(yè)務(wù)的集中地,也是該公司生產(chǎn)存儲芯片的地方。目前,P1、P2 和 P3 工廠(chǎng)已經(jīng)投入運營(yíng),P4 和
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三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失?。?nm GAA工藝仍存缺陷

  • 最新報道,三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題,原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過(guò)程中被發(fā)現存在嚴重缺陷,導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出,由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質(zhì)量問(wèn)題,未能通過(guò)三星內部的質(zhì)量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產(chǎn)計劃,還導致原定于后續推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無(wú)法如期進(jìn)入量產(chǎn)階段。值得關(guān)注的是,Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構,升級之處在于將采用全新的
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測試發(fā)現三星Galaxy S24 Ultra鈦合金用料不及iPhone 15 Pro Max

  • ?2 月 6 日消息,和 iPhone 15 Pro Max 一樣,三星 Galaxy S24 Ultra 也采用了鈦合金框架,以提升手機的耐用性和輕量化程度。然而,兩款手機的鈦合金含量和品質(zhì)卻并不相同。知名 Youtube 科技頻道 JerryRigEverything 通過(guò)火燒測試,揭示了其中的奧秘。此前,JerryRigEverything 已經(jīng)對 iPhone 15 Pro Max 進(jìn)行了同樣的測試,發(fā)現其鈦合金框架在高溫灼燒下依然完好無(wú)損。這并不令人意外,因為測試所用的熔爐溫度不足以熔
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消息稱(chēng)三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內存芯片

  • 2 月 5 日消息,據報道,三星將在即將到來(lái)的 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會(huì )上推出多款尖端內存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內存(將在高密度內存和接口會(huì )議上亮相),這家韓國科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術(shù)開(kāi)發(fā),在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒(méi)有提供太多關(guān)于將在峰會(huì )上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息,但我們知道,這款 DDR5 的 I / O 速度高達每個(gè)引
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2nm半導體大戰打響!三星2nm時(shí)間表公布

  • 2月5日消息,據媒體報道,三星計劃明年在韓國開(kāi)始2nm工藝的制造,并且在2047年之前,三星將在韓國投資500萬(wàn)億韓元,建立一個(gè)巨型半導體工廠(chǎng),將進(jìn)行2nm制造。據悉,2nm工藝被視為下一代半導體制程的關(guān)鍵性突破,它能夠為芯片提供更高的性能和更低的功耗。作為三星最大的競爭對手,臺積電在去年研討會(huì )上就披露了2nm芯片的早期細節,臺積電的2nm芯片將采用N2平臺,引入GAAFET納米片晶體管架構和背部供電技術(shù)。臺積電推出的采用納米片晶體管架構的2nm制程技術(shù),在相同功耗下較3nm工藝速度快10%至15%,在相
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三星與臺積電據悉都將從2025年開(kāi)始投入2nm制程量產(chǎn)

  • 2月5日消息,三星與臺積電據悉都將從2025年開(kāi)始投入2nm制程量產(chǎn)。此前,韓國政府1月中旬表示,三星公司計劃到2047年在首爾南部投資500萬(wàn)億韓元建設“超大集群”半導體項目,將重點(diǎn)生產(chǎn)先進(jìn)產(chǎn)品,包括使用2nm工藝制造的芯片。
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消息稱(chēng)三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗,Exynos 2500 芯片被打上問(wèn)號

  •  2 月 2 日消息,根據韓媒 DealSite+ 報道,三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題,嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片,均存在缺陷,良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過(guò)質(zhì)量測試,導致后續 Galaxy Watch 7 的芯片組也無(wú)法量產(chǎn)。此前報道,Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構,同時(shí)引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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英特爾超越三星,重返半導體行業(yè)榜首

  • 根據Counterpoint Research的數據,2023年,由于企業(yè)和消費者支出放緩,全球半導體行業(yè)營(yíng)收同比下降了8.8%,下降至5213億美元。不僅再次受到周期性變化影響,而且遭遇了史無(wú)前例的重大挑戰 ——?存儲器收入下降37%,是半導體市場(chǎng)降幅最大的領(lǐng)域;非存儲器收入表現相對較好,下降了3%。因此,英特爾超越三星成為世界上最大的半導體芯片制造商。Gartner認為,英特爾之所以能占據榜首,是因為三星受到了內存組件疲軟的打擊:2023年,三星半導體芯片部門(mén)的營(yíng)收從2022年的702億美元
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2023印度手機戰報:三星18%領(lǐng)跑、vivo17%第二、小米16.5%第三

  • 2 月 1 日消息,根據市場(chǎng)調查機構 Counterpoint Research 公布的最新報告,2023 年全年印度智能手機出貨量為 1.52 億部,和 2022 年持平。2023 年上半年,由于宏觀(guān)經(jīng)濟持續動(dòng)蕩,導致需求低迷和庫存積壓,智能手機市場(chǎng)出現諸多挑戰;2023 下半年,在升級 5G 浪潮以及電商促銷(xiāo)活動(dòng)下,印度智能手機市場(chǎng)開(kāi)始復蘇。三星三星主要得益于 Galaxy A 系列的強勁表現、積極的線(xiàn)下?tīng)I銷(xiāo)以及在高端市場(chǎng)的聚焦策略,在 2023 年以 18% 的份額領(lǐng)跑市場(chǎng)。vivovivo 重點(diǎn)圍
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1年利潤暴跌84.9%!三星樂(lè )觀(guān) 今年業(yè)績(jì)回暖:存儲漲價(jià)是開(kāi)始

  • 2月1日消息,存儲一哥三星2023年的日子不太好過(guò),全年利潤暴跌84.9%,確實(shí)沒(méi)辦法,不過(guò)他們保持樂(lè )觀(guān)態(tài)度。2023年IT市場(chǎng)整體低迷,尤其是存儲芯片價(jià)格暴跌的背景下,三星全年營(yíng)收為258.94萬(wàn)億韓元,同比減少14.3%;營(yíng)業(yè)利潤為6.57萬(wàn)億韓元,同比下滑84.9%。按照三星的說(shuō)法,2024年上半年業(yè)績(jì)會(huì )回暖,其中以存儲產(chǎn)品價(jià)格回暖最為明顯,相關(guān)SSD等產(chǎn)品漲價(jià)不會(huì )停止,只會(huì )更猛烈。NAND芯片價(jià)格止跌回升后,目前報價(jià)仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應商達到損益兩平點(diǎn)有一段差距。國內重量級NAN
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三星電子第四季度銷(xiāo)售額 67.78 萬(wàn)億韓元同比下降 3.81%,營(yíng)業(yè)利潤 2.8 萬(wàn)億韓元同比下降 34.4%

  • IT之家 1 月 31 日消息,三星電子今日公布第四財季業(yè)績(jì):第四季度合并營(yíng)業(yè)利潤為 2.82 萬(wàn)億韓元(IT之家備注:當前約 151.72 億元人民幣)同比下降 34.4%,銷(xiāo)售額為 67.78 萬(wàn)億韓元(當前約 3646.56 億元人民幣)同比下降 3.81%。三星電子 2023 年綜合營(yíng)業(yè)利潤暫定為 6.567 萬(wàn)億韓元,比上年同期減少 84.86%。這是自上一次金融危機(2008 年為 6.0319 萬(wàn)億韓元)以來(lái),三星電子的年度營(yíng)業(yè)利潤首次跌破 10 萬(wàn)億韓元。相對地,三星電子全年銷(xiāo)售
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三星新設內存研發(fā)機構:建立下一代3D DRAM技術(shù)優(yōu)勢

  • 三星稱(chēng)其已經(jīng)在美國硅谷開(kāi)設了一個(gè)新的內存研發(fā)(R&D)機構,專(zhuān)注于下一代3D DRAM芯片的開(kāi)發(fā)。該機構將在設備解決方案部門(mén)美國分部(DSA)的硅谷總部之下運營(yíng),由三星設備解決方案部門(mén)首席技術(shù)官、半導體研發(fā)機構的主管Song Jae-hyeok領(lǐng)導。全球最大的DRAM制造商自1993年市場(chǎng)份額超過(guò)東芝以來(lái),三星在隨后的30年里,一直是全球最大的DRAM制造商,市場(chǎng)份額要明顯高于其他廠(chǎng)商,但仍需要不斷開(kāi)發(fā)新的技術(shù)、新的產(chǎn)品,以保持他們在這一領(lǐng)域的優(yōu)勢。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
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三星將在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 層 QLC 閃存,速率可達 3.2GB/s

  • IT之家 1 月 30 日消息,2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路會(huì )議(ISSCC)將于 2 月 18 日至 22 日在舊金山舉行,是世界學(xué)術(shù)界和企業(yè)界公認的集成電路設計領(lǐng)域最高級別會(huì )議。根據會(huì )議公開(kāi)內容:屆時(shí)三星將展示其 GDDR7 內存以及 280 層 3D QLC NAND 閃存等技術(shù),其中 GDDR7 IT之家此前已有相關(guān)報道,而 280 層 QLC 閃存將成為迄今為止數據密度最高的新型 NAND 閃存技術(shù)。從三星給出的主題“A 280-Layer 1Tb
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三星介紹

 韓國三星電子成立于1969年,正式進(jìn)入中國市場(chǎng)則是1992年中韓建交后。1992年8月,三星電子有logo限公司在中國惠州投資建廠(chǎng)。此后的10年,三星電子不斷加大在中國的投資與合作,已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷(xiāo)售額突破100億美元,躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年,三星品牌價(jià)值108.5億美元,世界排名25位,被商務(wù)周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細 ]

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