EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
三星
三星 文章 進(jìn)入三星技術(shù)社區
三星預先起訴Oura,以防范潛在專(zhuān)利糾紛
- 6月4日消息,據engadget報道,隨著(zhù)三星Galaxy Ring智能戒指的發(fā)布日期逐漸臨近,該公司已采取法律行動(dòng),對智能戒指制造商O(píng)ura提起訴訟。Samsung三星在訴訟中指出,Oura利用其專(zhuān)利組合對多個(gè)規模較小的可穿戴技術(shù)競爭對手提起訴訟,并暗示可能對三星這一行業(yè)巨頭采取相似法律行動(dòng)?!癘ura的一系列行為和公開(kāi)聲明顯示,他們有可能會(huì )繼續指控包括三星在內的其他進(jìn)入美國智能戒指市場(chǎng)的公司侵犯其專(zhuān)利權,”訴訟文件中寫(xiě)道,該訴訟最早由科技新聞網(wǎng)站The Verge報道?!癘ura對Galaxy Rin
- 關(guān)鍵字: 三星 Oura 專(zhuān)利
三星1nm量產(chǎn)計劃或將提前至2026年
- 據外媒報道,三星計劃在今年6月召開(kāi)的2024年晶圓代工論壇上,正式公布其1nm制程工藝計劃,并計劃將1nm的量產(chǎn)時(shí)間從原本的2027年提前到2026年。據了解,三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產(chǎn)3nm晶圓代工,并計劃在2024年開(kāi)始量產(chǎn)其第二代3nm工藝。根據三星之前的路線(xiàn)圖,2nm SF2 工藝將于2025年亮相,與 3nm SF3 工藝相比,同等情況下能效可提高25%,性能可提高12%,同時(shí)芯片面積減少5%。報道中稱(chēng),三星加速量產(chǎn)1nm工藝的信心,或許來(lái)自于“Gate-All-Around(
- 關(guān)鍵字: 三星 1nm 晶圓
一季度全球可穿戴腕帶設備蘋(píng)果、小米、華為分列前三
- Canalys最新數據顯示,2024年第一季度,全球可穿戴腕帶設備的出貨量達4120萬(wàn)臺,與去年同期基本持平。廠(chǎng)商方面,2024年第一季度,蘋(píng)果持續兩位數的下滑,但依舊以18%的份額穩坐第一;小米依托其腕帶類(lèi)豐富的產(chǎn)品組合和海外的快速擴張,同比增長(cháng)38%,以15%的份額位列第二;華為憑借Watch GT4在國內的強勢出貨,同比增長(cháng)46%,以13%的市場(chǎng)份額位列第三。三星進(jìn)軍入門(mén)級設備,推出新品手環(huán)Galaxy Fit3,同比實(shí)現4%增長(cháng),以7%的份額位列第四;Noise受印度市場(chǎng)整體市場(chǎng)表現不佳的影響,一
- 關(guān)鍵字: 可穿戴 蘋(píng)果 小米 華為 三星
臺積電領(lǐng)先中國大陸、美國多少?專(zhuān)家爆最短只剩2年
- 瑞銀舉辦亞洲投資論壇,首席環(huán)球股市分析師Andrew Garthwaite看好生成式人工智能技術(shù)從2028年起,每年提升生產(chǎn)力至少1%,同時(shí)他也看好臺積電與三星,其中臺積電技術(shù)領(lǐng)先中國大陸同業(yè)5年、美國同業(yè)2年,為長(cháng)期最具吸引力的投資選擇。香港經(jīng)濟日報報導,瑞銀亞洲投資論壇在香港登場(chǎng),會(huì )中暢談全球經(jīng)濟脈動(dòng)與股市發(fā)展,提到目前最熱門(mén)的人工智能議題,Andrew Garthwaite表示,生成式人工智能技術(shù)屬于輕資本,且目前已經(jīng)有20%的個(gè)人計算機開(kāi)放支持,擁有前所未有的覆蓋率,預估2028年開(kāi)始,生成式人工
- 關(guān)鍵字: 臺積電 三星
三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料
- 據外媒報道,三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)”作為下一代NAND閃存材料,希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND,并實(shí)現pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利,將能夠在特定條件下表現出鐵電性,有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用與穩定度。據三星電子高管預測,到2030年左右,其3D NAND的堆疊層數將超過(guò)1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講,分析鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroel
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND 存儲
三星否認HBM3E品質(zhì)問(wèn)題,聲明巧妙回避
- 有報導稱(chēng),三星的高頻寬存儲器(HBM)產(chǎn)品因過(guò)熱和功耗過(guò)大等問(wèn)題,未能通過(guò)Nvidia品質(zhì)測試,三星對此否認。韓媒BusinessKorea報導稱(chēng),三星表示正與多間全球合作伙伴順利開(kāi)展HBM供應測試,強調將繼續合作,確保品質(zhì)和可靠性。三星聲明表示,“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應,努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性,也嚴格測試HBM產(chǎn)品的品質(zhì)和性能,以便為客戶(hù)提供最佳解決方案?!比墙陂_(kāi)始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品,即8-Hi(24GB)和12-Hi(36GB)容量的HBM3E設備。外媒Tom′s Har
- 關(guān)鍵字: 三星 內存 HBM
李強會(huì )見(jiàn)三星李在镕,呼吁中韓企業(yè)深化人工智能合作
- 當地時(shí)間5月26日下午,國務(wù)院總理李強在首爾出席第九次中日韓領(lǐng)導人會(huì )議期間會(huì )見(jiàn)韓國三星集團會(huì )長(cháng)李在镕。李強表示,三星對華合作是中韓兩國互利共贏(yíng)、合作發(fā)展的一個(gè)生動(dòng)縮影。隨著(zhù)兩國經(jīng)濟持續發(fā)展、新興產(chǎn)業(yè)不斷涌現,合作的前景將越來(lái)越廣闊。李強進(jìn)一步強調,外資企業(yè)是中國發(fā)展不可或缺的重要力量,歡迎三星等韓國企業(yè)繼續擴大對華投資合作,分享更多中國新發(fā)展帶來(lái)的新機遇。在會(huì )見(jiàn)期間,李強提到中韓雙方在高端制造、人工智能等領(lǐng)域的合作。李強表示,希望兩國企業(yè)圍繞高端制造、數字經(jīng)濟、人工智能、綠色發(fā)展、生物醫藥等新領(lǐng)域深挖合作
- 關(guān)鍵字: 三星 人工智能 AI
三星集團會(huì )長(cháng)李在镕:堅持在華發(fā)展,致力于做中國人民喜愛(ài)的企業(yè)
- IT之家 5 月 27 日消息,據新華社報道,當地時(shí)間 5 月 26 日下午,在首爾舉行的第九次中日韓領(lǐng)導人會(huì )議期間,韓國三星集團會(huì )長(cháng)李在镕表示將“堅持在華發(fā)展,致力于做中國人民喜愛(ài)的企業(yè)”。報道稱(chēng),李在镕介紹了三星集團在華投資合作情況,感謝中國政府為三星在華生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)提供的大力支持,表示三星將堅持在華發(fā)展,致力于做中國人民喜愛(ài)的企業(yè),繼續為韓中互利合作作出自己的貢獻。此前消息稱(chēng),三星正在提高中國大陸手機產(chǎn)量,將 JDM(共同開(kāi)發(fā)設計制造)產(chǎn)品產(chǎn)量從 4400 萬(wàn)臺提升至 67
- 關(guān)鍵字: 三星 手機
三星否認自家 HBM 內存芯片未通過(guò)英偉達測試,“正改善質(zhì)量”
- 5 月 27 日消息,此前有消息稱(chēng)三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片尚未通過(guò)英偉達測試,有“知情人士”表示,該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題而受到影響。不過(guò)據韓媒Business Korea 報道,三星電子發(fā)布聲明否認了相關(guān)報道,該公司聲稱(chēng)他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測試過(guò)程”,同時(shí)強調“他們正與其他商業(yè)伙伴持續合作,以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開(kāi)始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
- 關(guān)鍵字: 三星 HBM 內存芯片 英偉達
三星否認自家 HBM 內存芯片未通過(guò)英偉達測試
- 5 月 27 日消息,此前有消息稱(chēng)三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片尚未通過(guò)英偉達測試,有“知情人士”表示,該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題而受到影響。不過(guò)據韓媒Business Korea 報道,三星電子發(fā)布聲明否認了相關(guān)報道,該公司聲稱(chēng)他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測試過(guò)程”,同時(shí)強調“他們正與其他商業(yè)伙伴持續合作,以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開(kāi)始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的
- 關(guān)鍵字: 三星 存儲 HBM 英偉達
爭奪英偉達訂單?三星或不惜代價(jià)確保第二代3納米良率
- 繼HBM之后,三星電子2024年的首要任務(wù)就是在代工業(yè)務(wù)方面搶下GPU大廠(chǎng)英偉達(NVIDIA)的訂單。尤其是,隨著(zhù)晶圓代工龍頭臺積電面臨地震等風(fēng)險,三星電子迫切尋求機會(huì ),為英偉達打造第二代3納米制程的供應鏈。韓國媒體報導,根據市場(chǎng)人士20日的透露,三星電子的晶圓代工部門(mén)已經(jīng)在內部制定「Nemo」計劃,也就是要贏(yíng)得英偉達3納米制程的代工訂單,成為2024年的首要任務(wù)。市場(chǎng)人士透露,三星電子晶圓代工部門(mén)的各單位正在全力以赴,把對英偉達的相關(guān)接單工作列為優(yōu)先。不過(guò),現階段三星代工部門(mén)內并未成立專(zhuān)門(mén)的組織。事實(shí)
- 關(guān)鍵字: 三星 英偉達 MCU
良率不及臺積電4成!三星2代3nm制程爭奪英偉達訂單失敗
- 全球半導體大廠(chǎng)韓國三星即將在今年上半年量產(chǎn)的第2代3nm制程,不過(guò)據韓媒指出,三星3nm制程目前良率僅有20%,相較于臺積電N3B制程良率接近55%,還不及臺積電良率的4成,使得三星在爭奪英偉達(NVIDIA)代工訂單受挫。外媒分析稱(chēng),三星恐怕要在先進(jìn)制程上多加努力,才有可能與臺積電競爭,留住大客戶(hù)的訂單。據《芯智訊》引述韓媒的報導說(shuō),本月初EDA大廠(chǎng)新思科技曾宣布,三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動(dòng)系統單芯片(SoC),基于新思科技的EDA工具已成功完成設計定案(tape out)。外界認為,該芯
- 關(guān)鍵字: 良率 臺積電 三星 3nm 英偉達
三星任命新CEO,隨著(zhù)AI對內存需求的增加,公司希望重新奪回市場(chǎng)份額
- 三星電子宣布任命Young Hyun Jun為新的設備解決方案部負責人。設備解決方案部是三星半導體業(yè)務(wù)的一部分,Jun在公司工作了24年后被選中領(lǐng)導這一部門(mén)。在董事會(huì )和股東批準后,Jun將正式被任命為三星的總裁兼首席執行官。三星采用雙CEO系統,一位CEO負責半導體業(yè)務(wù),另一位負責設備體驗(手機、顯示器等)。根據三星的說(shuō)法,Jun的主要目標是“在不確定的全球商業(yè)環(huán)境中加強其競爭力?!盝un接替了現任總裁Kyehyun Kyung的職位,后者現在取代Jun擔任未來(lái)業(yè)務(wù)部的負責人,該部門(mén)于2023年成立,旨在
- 關(guān)鍵字: 半導體 市場(chǎng) 三星
OLED中國廠(chǎng)商表現強勁:出貨量前五名獨占四席
- 2024年第一季度全球OLED面板市場(chǎng)出貨量排名出爐,最新數據顯示中國廠(chǎng)商在OLED面板市場(chǎng)的表現令人矚目,前五名中獨占四席。隨著(zhù)技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)需求增加,預計未來(lái)中國將繼續成為全球OLED產(chǎn)業(yè)的重要參與者之一。根據群智咨詢(xún)的統計數據,全球智能手機面板市場(chǎng)在本季度出貨量約為5.4億片,同比增長(cháng)約24.4%。三星依然以42.4%的市場(chǎng)份額保持全球OLED智能手機面板市場(chǎng)的領(lǐng)頭羊地位,掌握著(zhù)全球手機近一半市場(chǎng)。三星OLED面板利潤也是行業(yè)最高,主打高端定位,除了三星Galaxy S24系列自家產(chǎn)品使用,還有iP
- 關(guān)鍵字: OLED 面板 三星 京東方 維信諾
三星介紹
韓國三星電子成立于1969年,正式進(jìn)入中國市場(chǎng)則是1992年中韓建交后。1992年8月,三星電子有logo限公司在中國惠州投資建廠(chǎng)。此后的10年,三星電子不斷加大在中國的投資與合作,已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷(xiāo)售額突破100億美元,躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年,三星品牌價(jià)值108.5億美元,世界排名25位,被商務(wù)周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。
[ 查看詳細 ]
相關(guān)主題
熱門(mén)主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
