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服務(wù)器支撐下半年需求，預估DRAM價(jià)格第三季漲幅達8-13%
- 根據全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查顯示，由于通用型服務(wù)器(general server)需求復蘇，加上DRAM供應商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高，使供應商將延續漲價(jià)態(tài)度，第三季DRAM均價(jià)將持續上揚。DRAM價(jià)格漲幅達8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢(xún)指出，第二季買(mǎi)方補庫存意愿漸趨保守，供應商及買(mǎi)方端的庫存水平未有顯著(zhù)變化。觀(guān)察第三季，智能手機及CSPs仍具補庫存的空間，且將進(jìn)入生產(chǎn)旺季，因此預計智能手機
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%
- 6月25日消息，據媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì )上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續創(chuàng )新。據最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著(zhù)進(jìn)展，并首次詳細公布了其開(kāi)發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著(zhù)在單個(gè)測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元，其中超過(guò)一半（即561個(gè)）為良
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云端CSPs將擴大邊緣AI發(fā)展，帶動(dòng)2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達7%
- 全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)觀(guān)察，2024年大型云端CSPs，如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠(chǎng)商，將仍為采購高階主打訓練用AI server的主力客群，以作為L(cháng)LM及AI建?；A。待2024年CSPs逐步完成建置一定數量AI訓練用server基礎設施后，2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展，包含發(fā)展較為小型LLM模型，以及建置邊緣AI server，促其企業(yè)客戶(hù)在制造、金融、醫療、商務(wù)等各領(lǐng)域應用落地。此外，因AI PC或NB在計算機設備基本架構組成與
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HBM供應吃緊催生DRAM漲價(jià) 美光股價(jià)飆漲
- 內存大廠(chǎng)美光預計6月26日公布季報，自美光的高帶寬內存（HBM）開(kāi)始供貨給輝達后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價(jià)大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場(chǎng)分析師預期，美光經(jīng)營(yíng)層將大談需求改善、行業(yè)供應緊張、價(jià)格進(jìn)一步上揚，以及他們供應給輝達和其他AI芯片廠(chǎng)商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對后市正向的看法。由于A(yíng)I應用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內存市場(chǎng)通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現象，意思是「害怕錯失機會(huì )」，在美光
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美光后里廠(chǎng)火災 公司聲明營(yíng)運未受任何影響
- 中國臺灣美光內存后里廠(chǎng)20日下午5點(diǎn)34分發(fā)生火警，火勢快速撲滅，無(wú)人傷亡，美光昨深夜發(fā)出聲明指出，臺中廠(chǎng)火警廠(chǎng)區營(yíng)運未受任何影響。 臺中市消防局昨日傍晚5時(shí)34分獲報，中國臺灣美光位在后里區三豐路的廠(chǎng)房發(fā)生火災，消防局抵達時(shí)廠(chǎng)區人員已將火勢撲滅，無(wú)人受傷，原因有待厘清。根據經(jīng)濟日報報導，美光針對臺中廠(chǎng)火警一事發(fā)出聲明，經(jīng)查證所有員工與承包商安全無(wú)虞，且廠(chǎng)區營(yíng)運未受任何影響。美光是國際三大DRAM廠(chǎng)商，市占約19.2％，與前兩大三星及SK海力士合計市占達96％。美光高達65％的DRAM產(chǎn)品在中國臺灣生產(chǎn)，
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通用 DRAM 內存仍供大于求，消息稱(chēng)三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率維持 80~90%
- IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng)，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱(chēng)，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現 NAND 產(chǎn)線(xiàn)滿(mǎn)負荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規 DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場(chǎng)仍呈現供大于求的局面，是下游傳統服務(wù)器、智能手機和 PC 產(chǎn)業(yè)復蘇緩慢導致的
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存 三星 海力士
合約價(jià)勁漲護身 DRAM不怕淡季 Q1營(yíng)收季增
- 2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)，受到主流產(chǎn)品合約價(jià)走揚、且漲幅較2023年第四季擴大，帶動(dòng)營(yíng)收較前一季度成長(cháng)5.1％，達183.5億美元，推動(dòng)多數業(yè)者營(yíng)收呈季增趨勢。TrendForce指出，第一季三大原廠(chǎng)出貨皆季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應，加上下游業(yè)者的庫存水平墊高，采購量明顯衰退。三大原廠(chǎng)延續著(zhù)2023年第四季合約價(jià)上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，漲價(jià)意圖強烈。其中，中系手機銷(xiāo)售暢旺，帶動(dòng)mobile DRAM的價(jià)格漲幅領(lǐng)先所有應用，而consumer DRAM的原廠(chǎng)庫存仍待去化，拖累價(jià)格漲幅居所有應用之
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM TrendForce
合約價(jià)上漲抵消淡季效應，推升DRAM第一季營(yíng)收季增5.1%
- 根據全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)調查顯示，2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)主流產(chǎn)品合約價(jià)走揚、且漲幅較2023年第四季擴大，帶動(dòng)營(yíng)收較前一季度成長(cháng)5.1%，達183.5億美元，推動(dòng)多數業(yè)者營(yíng)收延續季增趨勢。出貨表現上，第一季三大原廠(chǎng)皆出現季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應，加上下游業(yè)者的庫存水平已墊高，采購量明顯減弱。平均銷(xiāo)售單價(jià)方面，三大原廠(chǎng)延續著(zhù)2023年第四季合約價(jià)上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，故漲價(jià)意愿強烈。其中，中系手機銷(xiāo)售暢旺，帶動(dòng)Mobile DRAM的價(jià)格漲幅領(lǐng)先所有應用，而Co
- 關(guān)鍵字： 淡季效應 DRAM TrendForce 集邦咨詢(xún)
南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)
- IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺媒《工商時(shí)報》《經(jīng)濟日報》報道，南亞科技在昨日的年度股東常會(huì )上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進(jìn)入試產(chǎn)階段。南亞科技目前已在進(jìn)行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn)，涵蓋 8/4Gb DDR4 內存和 16Gb DDR5 內存。南亞科技表示其首批 DDR5 內存將在下半年少量試產(chǎn)，明年進(jìn)一步提升產(chǎn)量。此外南亞科技還在 1B nm 節點(diǎn)規劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內存、16
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美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠(chǎng)
- 據日媒報道，美光科技計劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠(chǎng)，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠(chǎng)房將于2026年初動(dòng)工，并安裝極紫外光刻（EUV）設備。消息稱(chēng)最快2027年底便可投入營(yíng)運。報道稱(chēng)，此前，日本政府已批準多達1920億日圓補貼，支持美光在廣島建廠(chǎng)并生產(chǎn)新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片，這些芯片將是推動(dòng)生成式AI、數據中心和自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
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HBM火熱效應 DRAM下半年 可望供不應求
- 三星、SK海力士及美光等國際內存巨擘，皆積極投入高帶寬內存（HBM）制程，法人表示，在產(chǎn)能排擠效應下，下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應求，預期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據TrendForce研究，DRAM原廠(chǎng)提高先進(jìn)制程投片，產(chǎn)能提升將集中今年下半年，預期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現佳，加上需求續增，生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來(lái)看，2024年HBM3e將是市場(chǎng)主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
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三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始從DDR4內存向DDR5內存過(guò)渡，此外在存儲器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后，供應商普遍減少了DDR3內存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內存所取代。據市場(chǎng)消息稱(chēng)，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內存，全力沖刺高帶寬內存（HBM）與主流DDR5規格內存。隨著(zhù)三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內存，很可能帶動(dòng)DDR3內存的價(jià)格上漲，預計漲幅最高可達20%。三星已經(jīng)通知客戶(hù)將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)已超兩成用于 HBM 內存
- IT之家 5 月 14 日消息，據韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)中已有兩成用于 HBM 內存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內存坐擁更高單價(jià)，不過(guò)由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統內存的兩倍乃至三倍。內存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線(xiàn)占比才能滿(mǎn)足不斷成長(cháng)的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預計，不僅 HBM 內存，通用 DRAM（如標準 DDR5）的價(jià)格年內也不會(huì )
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第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新預估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，全線(xiàn)產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢(xún)原先預估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時(shí)從合約價(jià)先行指標的現貨價(jià)格就可看出，現貨價(jià)已出現連續走弱，上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash TrendForce
2025年HBM價(jià)格調漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預估將逾三成
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷(xiāo)售單價(jià)較傳統型DRAM（Conventional DRAM）高出數倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預估將超過(guò)10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預估可逾20%，至2025年占比有機會(huì )逾三成。2024年HBM
- 關(guān)鍵字： HBM DRAM TrendForce
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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