有望改變 AI 半導體規則，消息稱(chēng)三星電子年內將推出 HBM 三維封裝技術(shù) SAINT-D

IT之家 6 月 18 日消息，據韓媒《韓國經(jīng)濟日報》報道，三星電子將于年內推出可將 HBM 內存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。

報道同時(shí)指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內存中正式應用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡(jiǎn)寫(xiě)）-D 技術(shù)。

SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進(jìn)封裝技術(shù)，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內存裸片。報道稱(chēng)該技術(shù)的具體實(shí)現方式是在處理器和 HBM 芯片間建立硅中介層。

▲ 三星電子 SAINT 先進(jìn)封裝技術(shù)家族

三星電子近期在三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上表示，其 SAINT-D 技術(shù)目前正處于概念驗證階段。

▲ 三星 AI 解決方案，中即 SAINT-D 技術(shù)

韓媒表示，SAINT-D 技術(shù)有望改變 AI 半導體領(lǐng)域的游戲規則：

目前 HBM 內存與處理器之間采用 2.5D 封裝連接，兩者之間存在一定距離，不僅引入了更大傳輸延遲，同時(shí)還影響了電信號質(zhì)量、提升了數據移動(dòng)功耗。

而 SAINT-D 技術(shù)將處理器和 HBM 內存的距離降到更低，有利于 AI 加速器芯片進(jìn)一步釋放性能潛力。

對于三星電子整體而言，由于可提供從先進(jìn)節點(diǎn)代工、HBM 內存生產(chǎn)到整體封裝集成的全流程“交鑰匙”服務(wù)，SAINT-D 的應用也可帶動(dòng) HBM 和代工業(yè)務(wù)的發(fā)展。

根據市場(chǎng)研究機構 MGI 的數據，SAINT-D 等先進(jìn)封裝市場(chǎng)的規模將從 2023 年的 345 億美元成長(cháng)至 800 億美元。