三星(samsung) 文章進(jìn)入三星(samsung)技術(shù)社區

三星驚爆侵權哈佛大學(xué)怒提告

韓三星電子今年第2季半導體業(yè)務(wù)營(yíng)收超車(chē)臺積電，時(shí)隔2年重回半導體王者寶座。不過(guò)據外媒報導，美國知名學(xué)府哈佛大學(xué)指控三星在微處理器與內存芯片領(lǐng)域侵犯了其2項專(zhuān)利，相關(guān)技術(shù)還涉及三星多款手機。綜合路透社等外媒報導，三星已遭哈佛大學(xué)在德州聯(lián)邦法院起訴。哈佛大學(xué)指控，三星生產(chǎn)微處理器與內存芯片的技術(shù)侵犯了該?；瘜W(xué)教授Roy Gordon與其他4位發(fā)明人在2009年與2011年獲得的專(zhuān)利，這4人曾是Roy Gordon教授實(shí)驗室的博士后或研究生。哈佛大學(xué)的律師在訴狀中宣稱(chēng)，三星未經(jīng)授權在其微芯片、智能型手機與半導體
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三星8層堆疊HBM3E已通過(guò)英偉達所有測試，預計今年底開(kāi)始交付

三星去年10月就向英偉達提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過(guò)一直沒(méi)有通過(guò)英偉達的測試。此前有報道稱(chēng)，已從多家供應鏈廠(chǎng)商了解到，三星的HBM3E很快會(huì )獲得認證，將在2024年第三季度開(kāi)始發(fā)貨。據The Japan Times報道，三星的HBM3E終于通過(guò)了英偉達的所有測試項目，這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達還沒(méi)有最終確定供應協(xié)議，但是問(wèn)題不大，預計今年底開(kāi)始交付。值得一提的是，三星還有更先進(jìn)的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品
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開(kāi)始囤貨！中國科技企業(yè)大量購買(mǎi)三星HBM芯片

8月6日，路透社報道稱(chēng)，中國科技巨頭例如百度、華為以及部分初創(chuàng )公司都在囤積三星電子的高帶寬存儲器（HBM）芯片，以應對美國對華芯片出口限制。自今年年初以來(lái)，這些公司加大了對人工智能半導體的購買(mǎi)力度，使得中國企業(yè)占據了三星HBM約30%的收入份額。美國計劃8月公布的出口管制方案，無(wú)疑給全球半導體供應鏈帶來(lái)了新的不確定性。特別是針對HBM芯片的限制措施，將直接影響中國AI企業(yè)的供應鏈安全。在此背景下，中國企業(yè)選擇提前囤積HBM芯片，尤其是HBM2E型號，雖然該型號比最先進(jìn)的HBM3E落后兩代，但在當前市場(chǎng)環(huán)境
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公司 8 層 HBM3E 芯片已通過(guò)英偉達測試？三星回應稱(chēng)并不屬實(shí)

IT之家 8 月 7 日消息，今天早些時(shí)候路透社報道稱(chēng)，三星的 8 層 HBM3E 芯片已通過(guò)英偉達測試?，F據韓媒 BusinessKorea 報道，三星電子回應稱(chēng)該報道并不屬實(shí)。對于這一傳聞，三星明確回應稱(chēng)：“我們無(wú)法證實(shí)與客戶(hù)相關(guān)的報道，但該報道不屬實(shí)?！贝送?，三星電子的一位高管表示，目前 HBM3E 芯片的質(zhì)量測試仍在進(jìn)行中，與上月財報電話(huà)會(huì )議時(shí)的情況相比沒(méi)有任何變化。此前路透社的報道稱(chēng)，三星的 8 層 HBM3E 芯片已經(jīng)通過(guò)英偉達的測試，并將于第四季度開(kāi)始供貨。IT之家注意到
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外媒：三星推出超薄型手機芯片LPDDR5X DRAM

8月7日消息，隨著(zhù)移動(dòng)設備功能的不斷增強，對內存性能和容量的要求也日益提高。據外媒gsmarena報道，三星電子近日宣布，公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項，專(zhuān)為低功耗RAM市場(chǎng)設計，主要面向具備設備端AI能力的智能手機。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計，這一改進(jìn)將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過(guò)優(yōu)化印刷電路板（PCB）和環(huán)氧樹(shù)脂封裝技術(shù)，將LPDDR5X的厚度
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三星超車(chē)臺積電重登半導體王者寶座

在A(yíng)I熱潮帶動(dòng)下，不僅臺積電賺飽飽，就連臺積電創(chuàng )辦人張忠謀認證為最大勁敵的三星電子，也受惠于A(yíng)I市場(chǎng)的強勁需求，第2季半導體業(yè)務(wù)營(yíng)收年增94%至28.56兆韓元，為2022年第2季后，時(shí)隔2年超車(chē)臺積電，重新登上半導體王者寶座。三星電子今（31）日公布第2季財報，受惠于半導體業(yè)務(wù)表現強勁，整體營(yíng)收年增23%至74.07兆韓元，營(yíng)業(yè)利益較去年同期飆升近15倍至10.44兆韓元，為2022年第3季以來(lái)首次超過(guò)10兆韓元。三星電子在7月初公布初步財報時(shí)，并未公布各項業(yè)務(wù)的具體營(yíng)收，但在臺積電公布第2季營(yíng)收為新臺
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三星工藝輸臺積電還被海力士超越！芯片主管揭關(guān)鍵硬傷

三星芯片良率不佳，先前爆出三星在試產(chǎn)Exynos 2500處理器時(shí)，最后統計出的良率竟為0%。新任芯片主管全永鉉（Jun Young-hyun）在執掌芯片事業(yè)的幾個(gè)月后，向員工示警需停止隱瞞或回避問(wèn)題，如果不改變將出現惡性循環(huán)。全永鉉發(fā)備忘錄，警告員工必須改變職場(chǎng)文化，強調應停止隱瞞或回避問(wèn)題，若不改變將出現惡性循環(huán)。他直言，三星必須重建半導體特有的激烈辯論的文化，「如果我們依賴(lài)市場(chǎng)，沒(méi)恢復根本的競爭力，將陷入惡性循環(huán)，重蹈去年營(yíng)運的困境?！谷歉偁帉κ諷K海力士（SK Hynix）在A(yíng)I內存領(lǐng)域追趕，
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高通入門(mén)級驍龍4s Gen2發(fā)布：三星4nm、主頻2.0GHz

7月29日消息，高通正式發(fā)布了新款移動(dòng)平臺驍龍4s Gen 2，這款芯片定位于入門(mén)級市場(chǎng)，采用三星4nm工藝技術(shù)。CPU為八核心設計，包括2個(gè)最高可達2.0GHz的A78內核和6個(gè)A55內核，最高頻率為1.8GHz。這款芯片支持Wi-Fi 5、藍牙5.1、5G NR，以及最高8400萬(wàn)像素的照片拍攝和1080P 60P視頻錄制，同時(shí)兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X運行內存。與前代產(chǎn)品高通驍龍4 Gen 2相比，驍龍4s Gen 2的多項性能參數有所降低，例如CPU大核主頻從2
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SEMI日本總裁稱(chēng)先進(jìn)封裝應統一：臺積電、三星、Intel三巨頭誰(shuí)會(huì )答應

7月28日消息，SEMI日本辦事處總裁Jim Hamajima近日呼吁業(yè)界盡早統一封測技術(shù)標準，尤其是先進(jìn)封裝領(lǐng)域。他認為，當前臺積電、三星和Intel等芯片巨頭各自為戰，使用不同的封裝標準，這不僅影響了生產(chǎn)效率，也可能對行業(yè)利潤水平造成影響。目前僅臺積電、三星和Intel三家公司在先進(jìn)制程芯片制造領(lǐng)域競爭，同時(shí)隨著(zhù)芯片朝著(zhù)高集成度、小特征尺寸和高I/O方向發(fā)展，對封裝技術(shù)提出了更高的要求。目前，先進(jìn)封裝技術(shù)以倒裝芯片（Flip-Chip）為主，3D堆疊和嵌入式基板封裝（ED）的增長(cháng)速度也非?？?。HBM內
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打破索尼壟斷！郭明錤曝iPhone 18要用三星傳感器

7月25日消息，分析師郭明錤表示，蘋(píng)果iPhone 18系列將會(huì )配備三星影像傳感器，屆時(shí)索尼的壟斷地位將會(huì )被打破。據悉，三星已經(jīng)成立了專(zhuān)門(mén)的團隊來(lái)為蘋(píng)果提供服務(wù)，從2026年開(kāi)始，三星將為蘋(píng)果出貨4800萬(wàn)像素1/2.6英寸超廣角影像傳感器，打破長(cháng)期以來(lái)索尼獨供的局面。有觀(guān)點(diǎn)認為，作為產(chǎn)業(yè)鏈上的頭號大廠(chǎng)，蘋(píng)果在全球指定近千家供應商完成零部件的生產(chǎn)任務(wù)，供應商名單會(huì )不時(shí)更迭。蘋(píng)果管理供應鏈有一個(gè)很常用的招數，就是習慣為每類(lèi)零部件配置2個(gè)供應商，一方面可以使供應商互相制衡，另一方面可以拿到更優(yōu)的價(jià)格。這次蘋(píng)果
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三星通過(guò)英偉達測試內幕：用在中國大陸產(chǎn)品

路透社披露，三星的高帶寬內存芯片HBM3已經(jīng)通過(guò)英偉達認證，將使用在符合美國出口管制措施，專(zhuān)為中國大陸市場(chǎng)設計的H20人工智能處理器上，至于更高階的HBM3E版本，尚未通過(guò)英偉達的測試。由于SK海力士、美光及三星為HBM的主要供貨商，為了緩解緊繃的市況，并降低成本集中少數供貨商的壓力，英偉達一直很希望三星及美光能盡速通過(guò)測試，黃仁勛6月訪(fǎng)臺時(shí)也曾提及此事，指出剩工程上的作業(yè)需要處理，保持耐心完成工作。此外，黃仁勛也否認媒體報導三星HBM出現過(guò)熱及功耗的問(wèn)題，直言「并沒(méi)有這件事?！谷缃?，三星
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三星搶得特斯拉車(chē)載平臺AI5訂單

特斯拉揭露下一代車(chē)載計算平臺，不再沿用過(guò)往的HW（Hardware）命名方式，而是直接名為AI5，凸顯其強大的AI特性。相較于現行的HW4.0平臺，AI5將帶來(lái)顯著(zhù)的性能提升，外界估計，其算力將可能達到驚人的3,000-5,000 TOPS（每秒兆次運算）。另外，據業(yè)界人士透露，AI5將采用三星的4奈米制程技術(shù)，并且可能延續使用基于Exynos-IP的設計；法人推測，恐是為成本考慮。智駕車(chē)競賽從芯片端開(kāi)始打響，過(guò)往FSD芯片委托三星代工，在三星4奈米制程良率拉升之下，馬斯克依舊將AI5交由
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拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝

三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續重新定義可穿戴技術(shù)的極限。這款最新型號承襲了其前身產(chǎn)品的成功之處，同時(shí)在性能、健康追蹤和用戶(hù)體驗方面實(shí)現了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實(shí)驗室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在對其進(jìn)行拆解和詳細的技術(shù)分析。敬請期待我們對Galaxy Watch 7內部結構的深入分析，我們將揭示這款設備在智能手表領(lǐng)域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
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三星于聯(lián)發(fā)科技天璣旗艦移動(dòng)平臺完成其最快LPDDR5X驗證

三星今日宣布，已成功在聯(lián)發(fā)科技的下一代天璣旗艦移動(dòng)平臺完成其最快的10.7千兆比特/秒（Gbps）LPDDR5X DRAM驗證。三星半導體LPDDR5X移動(dòng)內存產(chǎn)品圖此次10.7Gbps運行速度的驗證，使用三星的16GB LPDDR5X封裝規格，基于聯(lián)發(fā)科技計劃于下半年發(fā)布的天璣9400旗艦移動(dòng)平臺進(jìn)行。兩家公司保持密切合作，僅用三個(gè)月就完成了驗證。"通過(guò)與聯(lián)發(fā)科技的戰略合作，三星已驗證了其最快的LPDDR5X DRAM，該內存有望推動(dòng)人工智能（AI）智能手機市場(chǎng)，"三星電子內存產(chǎn)
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三星 Exynos 2500 芯片被曝使用硅電容

7 月 17 日消息，韓媒 bloter 于 7 月 15 日發(fā)布博文，爆料稱(chēng)三星計劃在 Exynos 2500 芯片中使用硅電容。注：硅電容（Silicon Capacitor）通常采用 3 層結構（金屬 / 絕緣體 / 金屬，MIM），超薄且性狀靠近半導體，能更好地保持穩定電壓以應對電流變化。硅電容具有許多優(yōu)點(diǎn)，讓其成為集成電路中常用的元件之一：· 首先，硅電容的制造成本較低，可以通過(guò)批量制造的方式大規模生產(chǎn)?！?其次，硅電容具有較高的可靠性和長(cháng)壽命。由于其結構簡(jiǎn)單，易于加工和集成，硅電容的失效率較低
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