三星HBM3E仍未通過(guò)英偉達認證，根源在1a制程DRAM？

10月17日消息，據韓國媒體ZDNet Korea報導，雖然三星今年以來(lái)積極地想通過(guò)英偉達HBM3E認證，期望打入英特爾的供應鏈，但8層堆疊的HBM3E產(chǎn)品仍未通過(guò)認證，12層堆疊的產(chǎn)品很可能將延后至2025年第二季或第三季之后才有機會(huì )供應。

有專(zhuān)家指出，三星HBM的問(wèn)題就是核心芯片DRAM。HBM結構是將多個(gè)DRAM垂直堆疊連接，DRAM性能與HBM性能直接相關(guān)。因此懷疑用于三星HBM3E的DRAM，即三星1a制程第四代DRAM出了問(wèn)題。

報道解釋稱(chēng)，10nm級制程DRAM產(chǎn)品，分為第一代1x制程、第二代1y制程、第三代1z制程、第四代1a制程和目前主流的第五代1b制程。第四代1a制程DRAM線(xiàn)寬約14nm，三星于2021下半年量產(chǎn)，盡管比對手早，還用了EUV來(lái)提高產(chǎn)能，但未讓三星1a制程DRAM競爭力提升，反而因用EUV難度較高，讓三星1a制程DRAM生產(chǎn)成本遲遲無(wú)法下降。

另外，三星1a制程DRAM設計不夠完美，尤其服務(wù)器產(chǎn)品開(kāi)發(fā)受挫，使商用較競爭對手落后。SK海力士2023年1月1a制程DRAM的DDR5服務(wù)器產(chǎn)品率先通過(guò)英特爾認證，而三星HBM3E卻遲遲無(wú)法通過(guò)英偉達認證。

三星日前平澤產(chǎn)線(xiàn)全面清查英偉達認證過(guò)八層堆疊HBM3E產(chǎn)品，但沒(méi)有問(wèn)題，三星自行檢查只查出數據處理速度低于其他產(chǎn)品，較SK海力士和美光產(chǎn)品低約10%。

三星考慮新方法，就是部分重新設計1a制程DRAM，之后再恢復服務(wù)器DRAM和HBM產(chǎn)品競爭力。市場(chǎng)人士表示，三星還未最后決定。但若重新設計，三星須承受更大營(yíng)運壓力。

目前三星正面臨半導體業(yè)務(wù)獲利壓力，此外智能手機、家電、顯示器等部門(mén)都面臨困境。此前由于三季度營(yíng)業(yè)利潤低于市場(chǎng)預期，三星電子還罕見(jiàn)地發(fā)布聲明致歉。

編輯：芯智訊-浪客劍