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三星 文章 進(jìn)入三星技術(shù)社區
三星于聯(lián)發(fā)科技天璣旗艦移動(dòng)平臺完成其最快LPDDR5X驗證
- 三星今日宣布，已成功在聯(lián)發(fā)科技的下一代天璣旗艦移動(dòng)平臺完成其最快的10.7千兆比特/秒（Gbps）LPDDR5X DRAM驗證。三星半導體LPDDR5X移動(dòng)內存產(chǎn)品圖此次10.7Gbps運行速度的驗證，使用三星的16GB LPDDR5X封裝規格，基于聯(lián)發(fā)科技計劃于下半年發(fā)布的天璣9400旗艦移動(dòng)平臺進(jìn)行。兩家公司保持密切合作，僅用三個(gè)月就完成了驗證。"通過(guò)與聯(lián)發(fā)科技的戰略合作，三星已驗證了其最快的LPDDR5X DRAM，該內存有望推動(dòng)人工智能（AI）智能手機市場(chǎng)，"三星電子內存產(chǎn)
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三星 Exynos 2500 芯片被曝使用硅電容
- 7 月 17 日消息，韓媒 bloter 于 7 月 15 日發(fā)布博文，爆料稱(chēng)三星計劃在 Exynos 2500 芯片中使用硅電容。注：硅電容（Silicon Capacitor）通常采用 3 層結構（金屬 / 絕緣體 / 金屬，MIM），超薄且性狀靠近半導體，能更好地保持穩定電壓以應對電流變化。硅電容具有許多優(yōu)點(diǎn)，讓其成為集成電路中常用的元件之一：· 首先，硅電容的制造成本較低，可以通過(guò)批量制造的方式大規模生產(chǎn)?！?其次，硅電容具有較高的可靠性和長(cháng)壽命。由于其結構簡(jiǎn)單，易于加工和集成，硅電容的失效率較低
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三星3nm取得突破性進(jìn)展！Exynos 2500樣品已達3.20GHz
- 7月14日消息，據媒體報道，三星3nm工藝的Exynos 2500芯片研發(fā)取得顯著(zhù)進(jìn)展。Exynos 2500的工程樣品已經(jīng)實(shí)現了3.20GHz的高頻運行，這一頻率不僅超越了此前的預期，而且比蘋(píng)果A15 Bionic更省電，效率表現更為出色。此前，有關(guān)三星3nm GAA工藝良率過(guò)低的擔憂(yōu)一度影響了市場(chǎng)對Exynos 2500的信心，特別是在Galaxy S25系列手機的穩定首發(fā)方面。不過(guò)三星在月初的聲明中，對外界關(guān)于3nm工藝良率不足20%的傳聞進(jìn)行了否認，強調其3nm GAA工藝的良率和性能已經(jīng)穩定，產(chǎn)
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三星宣布獲首個(gè)2nm AI芯片訂單
- 自三星電子官網(wǎng)獲悉，7月9日，三星電子宣布將向日本人工智能公司Preferred Networks提供采用2nm GAA工藝和先進(jìn)2.5D封裝技術(shù)的Interposer-Cube S（I-Cube S）一站式半導體解決方案。據介紹，2.5D先進(jìn)封裝I-Cube S技術(shù)是一種異構集成封裝技術(shù)，通過(guò)將多個(gè)芯片集成在一個(gè)封裝中，從而提高互連速度并縮小封裝尺寸。聲明中稱(chēng)，Preferred Networks的目標是借助三星領(lǐng)先的代工和先進(jìn)的封裝產(chǎn)品，開(kāi)發(fā)強大的AI加速器，以滿(mǎn)足由生成式AI驅動(dòng)的日益增長(cháng)的計算需求
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三星確認今年將推出 AI 升級版 Bixby，由自研大語(yǔ)言模型提供支持
- IT之家 7 月 11 日消息，三星確認 Bixby 將很快獲得人工智能升級。在 Galaxy Z Flip 6 和 Galaxy Z Fold 6 發(fā)布后，三星移動(dòng)部門(mén) CEO TM Roh 在接受 CNBC 采訪(fǎng)時(shí)表示，公司將在今年晚些時(shí)候發(fā)布升級版 Bixby，并由三星自家的大語(yǔ)言模型（LLM）提供支持。Roh 表示：“我們將通過(guò)應用生成式人工智能技術(shù)來(lái)提升 Bixby 的能力?！睅讉€(gè)月前，三星推出過(guò)名為“Samsung Gauss”的自研 LLM。此前曾有報道稱(chēng)三星正在研發(fā)升級版 Bix
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臺積電試產(chǎn)2nm制程工藝，三星還追的上嗎？
- 據外媒報道，臺積電的2nm制程工藝將開(kāi)始在新竹科學(xué)園區的寶山晶圓廠(chǎng)風(fēng)險試產(chǎn)，生產(chǎn)設備已進(jìn)駐廠(chǎng)區并安裝完畢，相較市場(chǎng)普遍預期的四季度提前了一個(gè)季度。芯片制程工藝的風(fēng)險試產(chǎn)是為了確保穩定的良品率，進(jìn)而實(shí)現大規模量產(chǎn)，風(fēng)險試產(chǎn)之后也還需要一段時(shí)間才會(huì )量產(chǎn)。在近幾個(gè)季度的財報分析師電話(huà)會(huì )議上，臺積電CEO魏哲家是多次提到在按計劃推進(jìn)2nm制程工藝在2025年大規模量產(chǎn)。值得一提的是，臺積電在早在去年12月就首次向蘋(píng)果展示了其2nm芯片工藝技術(shù)，預計蘋(píng)果將包下首批的2nm全部產(chǎn)能。臺積電2nm步入GAA時(shí)代作為3n
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三星3納米良率慘爆一度0％？
- 三星一直想透過(guò)3納米技術(shù)超車(chē)臺積電，但結果始終不如預期，相較臺積電已經(jīng)取得多位大客戶(hù)的訂單，并反映在財報上，三星3納米技術(shù)甚至被爆出良率一度只有0%，即使高層堅稱(chēng)「很穩定」自家人韓媒不買(mǎi)賬，直言很多大廠(chǎng)都沒(méi)有明確要下訂單。 韓媒DealSite此前曾爆料，三星生產(chǎn)Exynos 2500處理器時(shí)，良率一度僅有0%，加上知名分析師郭明錤日前撰文表示，高通將成為三星Galaxy S25系列機型的獨家SoC供貨商，原因是三星自家的Exynos 2500芯片良率低于預期，因此無(wú)法出貨。接二連三的消息都顯示，三星3納
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三星2納米 獲日AI芯片訂單
- 三星電子9日宣布獲得日本AI新創(chuàng )公司Preferred Networks訂單，將提供GAA 2納米制程及2.5D I-Cube S封裝技術(shù)的一站式解決方案，協(xié)助Preferred Networks發(fā)展強大的AI加速器，應付快速擴大的生成式AI運算需求。 自從三星率先將GAA晶體管技術(shù)應用到3納米制程后，便持續強化GAA晶體管技術(shù)，成功贏(yíng)得Preferred Networks的GAA 2納米制程訂單。這也是三星首度與日本業(yè)者進(jìn)行大尺寸異質(zhì)整合封裝技術(shù)合作，有助日后進(jìn)一步搶攻先進(jìn)封裝市場(chǎng)。 三星2.5D先進(jìn)封
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全球三大廠(chǎng)HBM沖擴產(chǎn) 明年倍增
- AI應用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內存廠(chǎng)，積極投入高帶寬內存（HBM）產(chǎn)能擴充計劃，市場(chǎng)人士估計，2025年新增投片量約27.6萬(wàn)片，總產(chǎn)能拉高至54萬(wàn)片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據外媒拆解，英偉達H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過(guò)生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進(jìn)入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場(chǎng)，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿(mǎn)載。美光2
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三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤(pán)，能否搶占先機？
- 內存和存儲芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達60TB的企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)（SSD），專(zhuān)為滿(mǎn)足企業(yè)用戶(hù)的需求而設計。得益于全新主控，三星表示未來(lái)甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤(pán)。對比2020年發(fā)布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術(shù)的QLC閃存、堆疊層數為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤(pán)容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態(tài)硬盤(pán)則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細分市場(chǎng)將面臨的競爭相對較少，因
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三星Q2營(yíng)利暴增15倍 遠超外界預期
- 韓國三星電子表示，因人工智能AI需求暢旺，內存芯片的售價(jià)因此也水漲船高，上季營(yíng)業(yè)利益可望飆升約15倍，比路透社4日報導的預估值13倍還要多。這家全球最大內存芯片制造商預估，集團整體第2季營(yíng)利為10.4兆韓元，約75億美元，年增1,452.2%。同時(shí)，營(yíng)收也大增23.3%，達74兆韓元。不過(guò)，三星這次并沒(méi)有揭露凈利數字。 4到6月這1季，是三星自2022年第3季曾創(chuàng )下?tīng)I業(yè)利益高達10.8兆韓元以后，全集團營(yíng)利再次沖高到10兆韓元以上。另外，三星第2季的營(yíng)利，也比自己2023年一整年的6.5兆韓元要高出不少。
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性能暴增3.7倍！三星發(fā)布首款3nm芯片Exynos W1000：主頻1.6GHz
- 7月3日消息，三星今天正式發(fā)布了其首款3nm工藝芯片——Exynos W1000。這款芯片專(zhuān)為可穿戴設備設計，預計將應用于即將推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工藝，搭載了1個(gè)Cortex-A78大核心和4個(gè)Cortex-A55小核心，其中大核心的主頻達到1.6GHz，小核心主頻為1.5GHz。與前代產(chǎn)品Exynos W930相比，W1000在單核性能上實(shí)現了3.4倍的提升，在多核性能上更是達到了3.
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ASML或將Hyper-NA EUV光刻機定價(jià)翻倍，讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決
- ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機，業(yè)界準備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過(guò)ASML已經(jīng)開(kāi)始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據Trendforce報道，Hyper-NA EUV光刻機的價(jià)格預計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會(huì )更高。目前每臺EUV光刻機的價(jià)格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機的價(jià)格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多
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什么是GDDR7內存——有關(guān)即將推出的圖形VRAM技術(shù)
- 什么是 GDDR7 內存？它是用于 GPU 的下一代圖形內存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來(lái)幾年內用于各種產(chǎn)品，為現有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級，從而提高游戲和其他類(lèi)型的工作負載的性能。但這個(gè)名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內存（用于“圖形雙倍數據速率”）推出以來(lái)，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問(wèn)世了，每隔幾年就會(huì )有新的迭代到來(lái)，擁有更高的速度和帶寬。當前一代
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三星介紹
韓國三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國市場(chǎng)則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有logo限公司在中國惠州投資建廠(chǎng)。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷(xiāo)售額突破100億美元，躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價(jià)值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。
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