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2nm
2nm 文章 進(jìn)入2nm技術(shù)社區
4nm→2nm，三星或升級美國德州泰勒晶圓廠(chǎng)制程節點(diǎn)
- 根據韓國媒體Etnews的報導，晶圓代工大廠(chǎng)三星正在考慮將其設在美國德州泰勒市的晶圓廠(chǎng)制程技術(shù)，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠(chǎng)和英特爾的競爭。消息人士稱(chēng)，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報導指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠(chǎng)投資于2021年，2022年開(kāi)始興建，計劃于2024年底開(kāi)始分階段運營(yíng)。以三星電子DS部門(mén)前負責人Lee Bong-hyun之前的說(shuō)法表示，到2024年底，我們將開(kāi)始從這里出貨4納米節點(diǎn)制程的產(chǎn)品。不過(guò)，相較于三星泰勒市晶圓廠(chǎng)，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機：死胡同不遠了
- 6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機，同時(shí)正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機，預計可將半導體工藝推進(jìn)到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數值只有0.33，對應產(chǎn)品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來(lái)的4000F、4200G、4X00。該系列預計到2025年可以量產(chǎn)2nm，再往后就得加入多重曝光，預計到2027年能實(shí)現1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機升級到了
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Rapidus與IBM達成合作，瞄準2nm
- 近日，日本晶圓代工企業(yè)Rapidus與IBM宣布建立合作伙伴關(guān)系，建立2nm半導體學(xué)校芯片封裝的大規模生產(chǎn)技術(shù)。通過(guò)此次合作，Rapidus將獲得IBM關(guān)于高性能半導體封裝技術(shù)的許可，并將共同開(kāi)發(fā)該技術(shù)。圖片來(lái)源：Rapidus官網(wǎng)據了解，2021年，IBM對外公布全球首款2nm芯片原型。2022年12月，Rapidus與IBM達成戰略性伙伴關(guān)系，雙方共同推動(dòng)基于IBM突破性的2nm制程技術(shù)的研發(fā)。Rapidus董事長(cháng)小池淳義表示，“繼2nm半導體的共同開(kāi)發(fā)之后，關(guān)于芯片封裝的技術(shù)確立也與IBM簽訂了伙伴
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imec 宣布牽頭建設亞 2nm 制程 NanoIC 中試線(xiàn)，項目將獲 25 億歐元資金支持
- IT之家 5 月 21 日消息，比利時(shí) imec 微電子研究中心今日宣布將牽頭建設 NanoIC 中試線(xiàn)。該先進(jìn)制程試驗線(xiàn)項目預計將獲得共計 25 億歐元（IT之家備注：當前約 196.5 億元人民幣）的公共和私人捐款支持。NanoIC 中試線(xiàn)是歐洲芯片聯(lián)合企業(yè) Chip JU 指定的四條先進(jìn)半導體中試線(xiàn)項目之一，旨在彌合從實(shí)驗室到晶圓廠(chǎng)的差距，通過(guò)小批量生產(chǎn)加速概念驗證產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)設計與測試。除其主持的 NanoIC 中試線(xiàn)外， imec 還將參與先進(jìn) FD-SOI
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瞄準AI需求：臺積電在美第二座晶圓廠(chǎng)制程升級至2nm
- 最新消息，臺積電官網(wǎng)宣布，在亞利桑那州建設的第二座晶圓廠(chǎng)制程工藝將由最初計劃的3nm升級為更先進(jìn)的2nm，量產(chǎn)時(shí)間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日，在臺積電亞利桑那州第一座晶圓廠(chǎng)建設兩年多之后宣布建設第二座晶圓廠(chǎng)。在今年一季度的財報分析師電話(huà)會(huì )議上，CEO魏哲家提到這一座晶圓廠(chǎng)已經(jīng)封頂，最后的鋼梁已經(jīng)吊裝到位。對于將第二座晶圓廠(chǎng)的制程工藝由最初計劃的3nm提升到2nm，臺積電CEO魏哲家在一季度的財報分析師電話(huà)會(huì )議上也作出了回應，他表示是為了支持AI相關(guān)的強勁需求。在OpenAI訓練
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臺積電年末試產(chǎn)2nm工藝！蘋(píng)果芯片又要遙遙領(lǐng)先了
- 雖然目前來(lái)看2025年還早，但是隨著(zhù)時(shí)間的推移，蘋(píng)果下一代芯片已經(jīng)在路上了。據報道，蘋(píng)果芯片供應商臺積電正在制造2nm和1.4nm芯片方面取得進(jìn)展，這些芯片很可能用于未來(lái)幾代蘋(píng)果芯片——最早可能搭載于2025年秋發(fā)布的iPhone 17 Pro上。根據目前已知的消息，2nm和1.4nm芯片的量產(chǎn)時(shí)間顯然已經(jīng)確定。2nm節點(diǎn)將于2024年下半年開(kāi)始試生產(chǎn)，小規模生產(chǎn)將于2025年第二季度逐步推進(jìn)。值得注意的是，臺積電位于亞利桑那州的新工廠(chǎng)也將加入2nm生產(chǎn)的行列。而在更遠期的2027年，臺灣的工廠(chǎng)將開(kāi)始轉向
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iPhone 17 Pro將首發(fā)！曝臺積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時(shí)間敲定
- 4月11日消息，根據產(chǎn)業(yè)鏈消息，臺積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據了解，臺積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開(kāi)始，而小規模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是，臺積電在亞利桑那州的工廠(chǎng)也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年，臺積電將開(kāi)始推進(jìn)1.4納米工藝節點(diǎn)，這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況，臺積電最新的工藝制程很可能會(huì )由蘋(píng)果率先采用。按照臺積電的量產(chǎn)時(shí)間表，iPhone 17 Pro將成為首批
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Marvell宣布與臺積電合作2nm生產(chǎn)平臺
- 據Marvell（美滿(mǎn)電子）官方消息，日前，Marvell宣布與臺積電擴大合作，共同開(kāi)發(fā)業(yè)界首款針對加速基礎設施優(yōu)化的2nm芯片生產(chǎn)平臺。據悉，Marvell將與臺積電協(xié)作提升芯片性能和效率，投資于互連和高級封裝等平臺組件，從而降低多芯片解決方案的成本，加快相關(guān)芯片上市時(shí)間。Marvell首席開(kāi)發(fā)官 Sandeep Bharathi 表示，未來(lái)的人工智能工作負載將需要在性能、功率、面積和晶體管密度方面取得顯著(zhù)的進(jìn)步。2nm 平臺將使 Marvell 能夠提供高度差異化的模擬、混合信號和基礎 IP，以構建能
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2nm半導體大戰打響！三星2nm時(shí)間表公布
- 2月5日消息，據媒體報道，三星計劃明年在韓國開(kāi)始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國投資500萬(wàn)億韓元，建立一個(gè)巨型半導體工廠(chǎng)，將進(jìn)行2nm制造。據悉，2nm工藝被視為下一代半導體制程的關(guān)鍵性突破，它能夠為芯片提供更高的性能和更低的功耗。作為三星最大的競爭對手，臺積電在去年研討會(huì )上就披露了2nm芯片的早期細節，臺積電的2nm芯片將采用N2平臺，引入GAAFET納米片晶體管架構和背部供電技術(shù)。臺積電推出的采用納米片晶體管架構的2nm制程技術(shù)，在相同功耗下較3nm工藝速度快10%至15%，在相
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臺積電2nm制程進(jìn)展順利 晶圓廠(chǎng)最快4月進(jìn)機
- 臺積電在3nm制程工藝于2022年四季度開(kāi)始量產(chǎn)之后，研發(fā)和量產(chǎn)的重點(diǎn)隨之轉向下一代2nm制程工藝，計劃在2025年實(shí)現量產(chǎn)。這意味著(zhù)工廠(chǎng)及相關(guān)的設備要做好準備，以確保按計劃順利量產(chǎn)。臺積電進(jìn)入GAA時(shí)代的2nm制程進(jìn)展順利，最新援引供應鏈合作伙伴的消息報道稱(chēng)，位于新竹科學(xué)園區的寶山2nm首座晶圓廠(chǎng)P1已經(jīng)完成鋼構工程，并正在進(jìn)行無(wú)塵室等內部工程 —— 最快4月啟動(dòng)設備安裝工作，相關(guān)動(dòng)線(xiàn)已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠(chǎng)則計劃在2025年開(kāi)始制造采用此項技術(shù)的2nm芯片，中科二期則視需求狀況預定
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日本佳能：我們能造2nm芯片！不需要ASML光刻機
- 日本光刻機大廠(chǎng)佳能（Canon）在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的納米壓?。∟anoprinted lithography，NIL）設備FPA-1200NZ2C之后，佳能首席執行官御手洗富士夫近日在接受采訪(fǎng)時(shí)再度表示，該公司新的納米壓印技術(shù)將為小型半導體制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開(kāi)辟一條道路，使得生產(chǎn)先進(jìn)芯片的技術(shù)不再只有少數大型半導體制造商所獨享。納米壓印技術(shù)并不利用光學(xué)圖像投影的原理將集成電路的微觀(guān)結構轉移到硅晶圓上，而是更類(lèi)似于印刷技術(shù)，直接通過(guò)壓印形成圖案。在晶圓上只壓印1次，就可以在特定的位置
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臺積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計劃 2025 年量產(chǎn)
- IT之家 12 月 14 日消息，臺積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會(huì )議（IEDM）的小組研討會(huì )上透露，其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí)，臺積電重申，2nm 級制程將按計劃于 2025 年開(kāi)始量產(chǎn)。圖源 Pexels根據 SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺積電的 1.4nm 制程節點(diǎn)正式名稱(chēng)為 A14。IT之家注意到，目前臺積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時(shí)間和具體參數，但考慮到 N2 節點(diǎn)計劃于 2025 年底量產(chǎn)，N2P 節點(diǎn)則定于 2
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半導體巨頭競相制造下一代"2nm"尖端芯片
- 臺積電、三星和英特爾爭奪“2nm”芯片，此舉將塑造5000億美元產(chǎn)業(yè)的未來(lái)。世界領(lǐng)先的半導體公司正在競相生產(chǎn)所謂的“2nm”處理器芯片，為下一代智能手機、數據中心和人工智能提供動(dòng)力。臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company）仍然是分析師最希望保持其在該行業(yè)全球霸主地位的公司，但三星電子（Samsung Electronics）和英特爾（Intel）已將該行業(yè)的下一個(gè)飛躍視為縮小差距的機會(huì )。幾十年來(lái)，芯片制造商一直在尋求制造更緊湊的產(chǎn)品。芯片上的晶體管越小
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