后疫情時(shí)代需求爆發(fā)，半導體存儲產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新的曙光
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疫情后數字時(shí)代的復蘇，使得世界數字經(jīng)濟快速發(fā)展、數據產(chǎn)業(yè)百業(yè)待興，因此數據存儲市場(chǎng)也逐漸迎來(lái)活力；存儲市場(chǎng)經(jīng)歷了價(jià)格戰，減產(chǎn)維穩到“硬漲價(jià)”，每一步都讓我們看到了日益激烈的競爭勢態(tài)。當然，在面對挑戰和威脅的時(shí)候，也激勵著(zhù)存儲技術(shù)持續突破。與此同時(shí)，環(huán)境的不確定性驟增，人工智能、閃存等技術(shù)的快速發(fā)展，也讓市場(chǎng)競爭格局分化，各細分領(lǐng)域爭奪激烈。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202401/454503.htm存儲器是集成電路的重要組成部分，根據WSTS統計，2022年全球半導體市場(chǎng)規模達到5741億美金，其中集成電路市場(chǎng)規模4744億美金，占比 82.6%，存儲器的市場(chǎng)規模為1298億美金，占集成電路市場(chǎng)的 27.4%，占半導體市場(chǎng) 22.6%，是整個(gè)半導體行業(yè)第二大細分領(lǐng)域（第一大為邏輯電路）。但從IDC數據來(lái)看，進(jìn)入后疫情時(shí)代，全球經(jīng)濟恢復情況低于預期，使得全球企業(yè)級存儲市場(chǎng)在這一年中表現較為低迷，出現同比1.9%的下滑。但作為半導體行業(yè)的重要分支，存儲芯片周期變化情況基本與半導體行業(yè)周期變化情況保持一致，比較存儲芯片市場(chǎng)規模與半導體行業(yè)市場(chǎng)規模2004年-2024年同比變化情況，存儲芯片同比變化曲線(xiàn)更為陡峭，其波動(dòng)性更強，因此在半導體市場(chǎng)中，存儲芯片市場(chǎng)貢獻更為突出。
2022年“缺芯”紅利不再，地緣政治沖突不斷，宏觀(guān)經(jīng)濟通脹升溫，消費電子創(chuàng )新乏力，需求持續低迷，上述多因素疊加導致存儲行業(yè)自年中開(kāi)始承壓。盡管每年第三、四季度是消費電子傳統旺季，但2022年各消費電子終端出貨量仍舊低迷，2023年第一季度消費電子終端需求仍未有明顯回暖。消費電子是存儲芯片的一大傳統下游應用，依據CFM數據，2022年NAND Flash主要以應用于移動(dòng)終端市場(chǎng)的嵌入式存儲產(chǎn)品、應用于PC的cSSD，以及應用于服務(wù)器市場(chǎng)的eSSD產(chǎn)品為主，分別占比34%、22%和26%；DRAM主要以顆粒和模組（內存條）的形式出貨給終端廠(chǎng)商。DDR主要應用于PC和服務(wù)器端、LPDDR主要應用于手機端、GDDR 的主要應用于顯卡端。DRAM產(chǎn)品中一部分以DRAM顆粒出貨，比如智能手機中使用的 LPDDR，顯卡中使用的GDDR、HBM等，另一部分DRAM以模組形式出貨，主要是應用于 PC、服務(wù)器上內存條。全球智能手機今年Q1的出貨量為2.69億部， 同比下滑14.5%；全球PC今年Q1和Q2的出貨量分別同比下滑29.3%和13.40%，已經(jīng)連續六個(gè)季度同比不見(jiàn)起色。
DRAM和NAND占2022年存儲市場(chǎng)的96%左右。根據數據顯示，2022年存儲芯片整體市場(chǎng)規模達到1440億美元，其中DRAM收入797億美元，占整個(gè)存儲市場(chǎng)比例為55.3%，較上年-1.0pct；NAND實(shí)現收入587億美元，占比達 40.8%，較上年+0.8pct；NOR實(shí)現收入32億美元，占比達2.2%，較上年+0.1pct。同時(shí)，預計2021到2027年，存儲市場(chǎng)整體規模平均每年將會(huì )有8%的增長(cháng)，到2027年將達到2630億美元，其中DRAM和NAND依然占據絕對主導地位，預計在2027年DRAM合計占比達96.6%。DRAM和NAND市場(chǎng)空間廣闊，也是模組業(yè)務(wù)的核心導向。
DRAM和NAND Flash在存儲市場(chǎng)中占主導地位。存儲器可分為RAM和ROM，在RAM中，DRAM結構簡(jiǎn)單，其特點(diǎn)是需要在維持通電的同時(shí)，通過(guò)周期性刷新來(lái)維持數據，單位面積的存儲密度顯著(zhù)高于SRAM。DRAM作為一種高密度的易失性存儲器，主要用作CPU處理數據的臨時(shí)存儲裝置，廣泛應用于智能手機、個(gè)人電腦、服務(wù)器等主流應用市場(chǎng)。在ROM中，NAND Flash是使用電可擦技術(shù)的高密度非易失性存儲，其存儲密度遠高于其他ROM，同時(shí)能夠實(shí)現快速讀寫(xiě)和擦除。NAND Flash為大容量數據存儲的實(shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案，是目前全球市場(chǎng)大容量非易失存儲的主流技術(shù)方案。DRAM讀寫(xiě)速度比Flash快、成本高、功耗較大、壽命長(cháng)、結構簡(jiǎn)單集成度高，Flash的優(yōu)勢在 于容量大、成本低。DRAM和NAND Flash分屬不同的存儲器層次，經(jīng)常在下游應用中搭配使用。
DDR和LPDDR是 DRAM應用最廣泛品類(lèi)，DDR5滲透率逐步提升。DRAM按照產(chǎn)品分類(lèi)分為 DDR/LPDDR/GDDR 和傳統型（Legacy/SDR）DRAM。DDR是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器，主要應用在 PC、服務(wù)器上等領(lǐng)域，目前主流的DDR標準是DDR4，DDR5滲透率在逐步提升過(guò)程中；LPDDR是Low Power DDR，主要應用于移動(dòng)端電子產(chǎn)品；GDDR（Graphics DDR）主要應用于圖像處理領(lǐng)域；相比較 DDR 的雙倍速 率（在時(shí)鐘上升沿和下降沿都可以讀取數據），傳統 DRAM 只在時(shí)鐘上升沿讀取數 據，速度相對慢。根據 Yole 統計，DDR/LPDDR 合計占 DRAM 應用比例約90%。
存儲市場(chǎng)前瞻：DDR5 需求顯著(zhù)增長(cháng)、AI 崛起讓手機內存邁入 20GB 時(shí)代
SK海力士LPDDR5T 供貨DDR5時(shí)代來(lái)臨,新挑戰不可忽視美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內存
3D NAND是NAND Flash的主流產(chǎn)品，存儲密度持續提升。存儲密度提升的主要技術(shù)路 徑包括提高存儲單元的可存儲數位（bit）量和提升3D NAND Flash的堆疊層數。根據每個(gè)存儲單元存儲的可存儲數位量，NAND Flash分為SLC（Single-level Cell）、MLC（Multi-level Cell）、TLC（Triple-level Cell）、QLC（Quad-Level Cell）。SLC 為每個(gè)存儲單元存儲的數據只有1位，MLC、TLC 和 QLC每個(gè)存儲單元存儲的數據分別為2、3、4 位，存儲密度梯度提升。傳統NAND Flash為平面閃存（2D NAND），3D NAND使用多層垂直堆疊技術(shù)，擁有更大容量、更低功耗、更優(yōu)耐用性以及更低成本的優(yōu)勢。三星電子2013年率先開(kāi)發(fā)出可以商業(yè)化應用的24層3D NAND，2020年3D NAND高端先進(jìn)制程進(jìn)入176層階段，2022年美光宣布232層3D NAND實(shí)現量產(chǎn)。
NAND Flash 模組應用于嵌入式存儲（用于電子移動(dòng)終端低功耗場(chǎng)景）、固態(tài)硬 盤(pán)（大容量存儲場(chǎng)景）和移動(dòng)存儲（便攜式存儲場(chǎng)景）等領(lǐng)域。閃存模組內部組成包括主 控芯片、DRAM 顆粒和 NAND 閃存顆粒，主控芯片是閃存模組的核心器件，可以提供多種接口，如SATA、PCIe、NVMe等，負責與整機CPU進(jìn)行數據通信以及數據管理、壞塊管理、數據糾錯、壽命均衡、垃圾回 收以及數據加解密等功能。DRAM顆粒是中高端NAND Flash模組的重要組成部分，可臨時(shí)保存已從閃存讀取的 數據、要寫(xiě)入閃存的數據或地址映射表，以免對主機內存的占用進(jìn)一步提高數據的讀寫(xiě)速度。NAND顆粒為閃存模組的存儲介質(zhì)，采用非易失性存儲技術(shù)，可以長(cháng)期保存 數據。按存儲單元密度來(lái)分，NAND Flash可分為SLC、MLC、TLC、QLC四種，以實(shí) 現高密度的數據存儲；按堆疊方式又分為平面式和垂直堆疊式兩種結構，平面式2D NAND將多個(gè)存儲單元排列在同一層面上,堆疊式3D NAND采用垂直堆疊的方式，將多 個(gè)存儲單元垂直放置在同一芯片內，因此存儲密度相對較高。
DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
300層之后，3D NAND的技術(shù)路線(xiàn)圖
NAND Flash第四季價(jià)格有望止跌回升第二季NAND Flash營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)7.4%，預期第三季將成長(cháng)逾3%3D NAND還是卷到了300層
主流存儲市場(chǎng)海外廠(chǎng)商高度壟斷。與邏輯芯片不同，DRAM和NAND Flash等半導體存儲器的核心功能為數據存儲，存儲晶圓的設計及制造標準化程度較高，各晶圓廠(chǎng)同代產(chǎn)品在容量、帶寬、穩定性等方面，技術(shù)規格趨同。因此頭部廠(chǎng)商通過(guò)產(chǎn)能擴大規?；瘍?yōu)勢及技術(shù)持續升級迭代保持競爭力。DRAM領(lǐng)域，三星、美光、SK海力士壟斷了近95%的市場(chǎng)份額，行業(yè)龍頭三星電子2014年率先實(shí)現20nm量產(chǎn)，此后DRAM制程大約每?jì)赡陮?shí)現一次突破，從 1Xnm（16nm-19nm）到1Ynm（14nm16nm）到1Znm（12-14nm）。2021年1月，美光科技率先宣布量產(chǎn)1αnm（接近 10nm）DRAM產(chǎn)品，主流原廠(chǎng)開(kāi)始進(jìn)入1αnm制程階段。目前市場(chǎng)高端制程為 1Znm，該制程生產(chǎn)的芯片主要標準規格包括 DDR4X/5及LPDDR4X/5。
NAND領(lǐng)域，競爭格局同樣較為集中，由三星電子、鎧俠、西部數據、美光科技、 SK海力士等公司主導全球市場(chǎng)，SK海力士收購英特爾NAND Flash業(yè)務(wù)已于2021年獲得主要市場(chǎng)監管當局批準，全球NAND Flash市場(chǎng)將進(jìn)一步集中。NOR領(lǐng)域競爭格局相對DRAM和NAND 分散，中國臺灣和大陸廠(chǎng)商占據一席之地。
第三方內存條市場(chǎng)呈穩健增長(cháng)態(tài)勢，DDR5內存條正逐步放量。TrendForce數據來(lái)看，DRAM模組的市場(chǎng)規模從2017年的117.25億美元增長(cháng)至2022年的172.81億美元，近五年復合增長(cháng)率達8.1%，主要是由于下游需求持續增長(cháng)尤其是服務(wù)器模組的需求增長(cháng)。根據 相關(guān)數據，2022 年全球內存條出貨量為5.11億條，主要以DDR4為主，預計到2028年全球內存條出貨量將達6.5億條，2022-2028年年均復合增長(cháng)率達4%。數據預計DDR5內存條出貨量將從2022年的0.11億條增長(cháng)至2028年的6.42億支，2022-2028年均復合增長(cháng)率達97%，DDR5內存條或是未來(lái)幾年內推動(dòng)內存市場(chǎng)增長(cháng)的核心驅動(dòng)力。
回溯1991年至2021年DRAM市場(chǎng)發(fā)展，出貨量大致可分為四個(gè)時(shí)期，受到價(jià)格影響，出貨金額波動(dòng)較大。1991-2003年：受到日本、美 國和歐洲等發(fā)達地區對PC和電器產(chǎn)品需求的推動(dòng)，DRAM出貨量穩步提升。進(jìn)入21世紀后，以中國為首的發(fā)展中國家經(jīng)濟發(fā)展迅速，人們購買(mǎi)了手機、電腦、各種電器產(chǎn)品，導致DRAM出貨量激增。2018年左右DRAM市場(chǎng)幾乎被三星電子、美光、SK海力士 壟斷，為防止產(chǎn)品價(jià)格劇烈波動(dòng)，各家公司協(xié)調產(chǎn)量，出貨量趨于平穩。2018年后，DRAM主戰場(chǎng)由PC轉移至數據中心服務(wù)器，三大廠(chǎng)商 重新?tīng)帄Z市場(chǎng)優(yōu)勢地位，隨著(zhù)數據中心數量增長(cháng)，DRAM出貨量再次暴增。
IDM 廠(chǎng)商主導全球 DRAM 模組市場(chǎng)，市占率將近90%。DRAM 模組廠(chǎng)商分為 IDM 廠(chǎng)商和第三方模組廠(chǎng)，前者如三星電子、SK 海力士、美光科技、南亞科技等，利用其芯片制造能力銷(xiāo)售自有品牌模塊（或自有模塊專(zhuān)用品牌），常年占據95%左右的市場(chǎng)份額。2022年， 三星電子占DRAM營(yíng)業(yè)收入市占率為43.12%，SK海力士市占率為27.01%，美光市占率為25.20%，三者合計市占率為95.33%。NAND Flash市場(chǎng)也在不斷的并購整合中更加集 中，2022年三星電子/鎧俠/西部數據/SK集團/美光的營(yíng)收市占率分別為33.44%/18.34%/13.36%/18.54%/11.72%，CR5的市占率合計為95.41%。在未來(lái)西部數據與鎧俠合并后，NAND市場(chǎng)集中度將進(jìn)一步提高。此外，他們還向第三方模組廠(chǎng)出售DRAM 晶圓。第三方模組廠(chǎng)從IDM購買(mǎi)DRAM芯片，通過(guò)封測廠(chǎng)商封裝DRAM芯片，并將模塊出售給包括OEM、大規模提供商和渠道分銷(xiāo)商在內的最終客戶(hù)。目前IDM廠(chǎng)商主導服務(wù)器市場(chǎng)，第三方模組廠(chǎng)關(guān)注 PC（筆記本電腦、臺式機和工作站）市場(chǎng)，由于需求疲軟和LPDDR 在筆記本電腦中的滲透，預計該市場(chǎng)將下降，第三方模組廠(chǎng)市場(chǎng)份額有望從2021年的17%下降至2028年的9%。
存儲下游應用以消費電子和服務(wù)器為主，近年來(lái)服務(wù)器占比提升。存儲廣泛應用在手機、平板、PC、數據中心、汽車(chē)電子、視頻監控、智能家居等市場(chǎng)。在ChatGPT掀起AIGC浪潮后，人工智能催生了可觀(guān)的存儲需求，尤其是對DDR5和HBM產(chǎn)品。根據美光的判斷，AI 服務(wù)器DRAM容量是普通服務(wù)器的6-8倍，NAND容量是普通服務(wù)器的3倍。2022年，手機/PC/服務(wù)器分別占DRAM需求的 34%/16%/33%，預計2023年服務(wù)器的需求占比仍會(huì )進(jìn)一步提升。NAND Flash目前主要以應用于手機市場(chǎng)的的嵌入式存儲產(chǎn)品，和應用于PC等消費類(lèi)渠道市場(chǎng)的cSSD、以及應用于服務(wù)器市場(chǎng)的eSSD 產(chǎn)品為主，占比分別為39%、25%和22%，其中近年來(lái)應用于服務(wù)器的eSSD需求占比有明顯提升。
據摩根士丹利估算，2023年一季度，全球半導體供應鏈（包括制造商、分銷(xiāo)商和客戶(hù)）手上握有的芯片總庫存預期可用258天。若以芯片廠(chǎng)減產(chǎn)與客戶(hù)庫存消耗的常規速度計算，2023年底至2024年初，行業(yè)有望迎來(lái)拐點(diǎn)。
全球領(lǐng)先存儲廠(chǎng)商
三星
根據報道，三星和美光計劃 2024 年第 1 季度提高 DRAM 價(jià)格，增幅在 15% 至 20% 區間。
由于人工智能和高性能計算的應用日益廣泛，加上智能手機和個(gè)人電腦市場(chǎng)逐漸復蘇，市場(chǎng)預計 2024 年 DRAM 供應緊張。
業(yè)內人士表示，目前第 1 季度的合同價(jià)格談判已經(jīng)開(kāi)始，存儲廠(chǎng)商計劃 1 月調整 DRAM 價(jià)格，敦促客戶(hù)為未來(lái)的使用需求做好規劃。
市場(chǎng)上有報道稱(chēng)，三星最近宣布 DRAM 價(jià)格將從 2024 年第一季度開(kāi)始上漲至少 15%。雖然目前還沒(méi)有 NAND 閃存漲價(jià)的明確跡象，但預計會(huì )跟進(jìn)上漲。IT之家援引該機構觀(guān)點(diǎn)，預計 DRAM 價(jià)格上漲趨勢將持續到 2024 年底。
對于 2024 年第一季 DRAM 價(jià)格走勢，TrendForce 目前維持季節性平均漲幅 13-18% 的預測，其中移動(dòng) DRAM 漲幅最高，服務(wù)器 DRAM 則相對保守。
傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
三星西安工廠(chǎng)工藝升級獲批，將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設備
消息稱(chēng)三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價(jià)格三星明年將升級NAND核心設備供應鏈
Sk 海力士
2024年1月3日，SK海力士宣布，公司將參加于1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的世界最大規模電子、IT展會(huì )“國際消費電子產(chǎn)品展覽會(huì )（CES 2024）”，屆時(shí)展示未來(lái)AI基礎設施中最為關(guān)鍵的超高性能存儲器技術(shù)實(shí)力。其實(shí)海力士去年10月已官宣漲價(jià)，計劃將賣(mài)給廠(chǎng)商客戶(hù)的DRAM、NAND Flash芯片合約價(jià)上調10%-20%。
SK海力士強調：“在CES2024，公司將重點(diǎn)突出‘以存儲器為中心’的未來(lái)發(fā)展藍圖。向全世界展示，AI時(shí)代技術(shù)發(fā)展所帶來(lái)的半導體存儲器重要性，與此同時(shí)展現公司在該領(lǐng)域的全球市場(chǎng)領(lǐng)先競爭力量?！?/p>
消息稱(chēng) SK 海力士與三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額差距已縮小至 4.4%三星和SK海力士之爭
SK海力士開(kāi)始向Vivo供應最新款移動(dòng)DRAM芯片SK海力士不同意合并鎧俠和西部數據的背后，是美國野心？
美光
近日，存儲行業(yè)大廠(chǎng)美光科技發(fā)布了2024財年第一財季業(yè)績(jì)報告。數據顯示，截至2023年11月30日，其營(yíng)收為47.3億美元，超過(guò)市場(chǎng)預期的45.8億美元，同比增長(cháng)16%；凈虧損為12.3億美元，較去年同期的凈虧損14.3億美元有所收斂，每股虧損為0.95美元。
半導體行業(yè)分析師表示，隨著(zhù)主要廠(chǎng)商產(chǎn)能調整，以及產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節去庫存接近完成，存儲芯片價(jià)格開(kāi)始反彈，有望進(jìn)入新一輪上漲周期。從市場(chǎng)占有率來(lái)看，美光科技是全球第三大存儲芯片巨頭，僅次于韓國的三星和SK海力士，有望在新一輪的行業(yè)周期中受益。
雖然美光依然處于虧損狀態(tài)，但營(yíng)收和毛利率雙雙超預期，此前分析師對美光該財季營(yíng)收的平均預期為46.4億美元，每股虧損預期為0.97美元。美光實(shí)際每股虧損0.95美元。
從最新的財報看，DRAM和NAND仍然是美光科技最重要的收入來(lái)源，兩者合計占比達到98%。其中，DRAM是最大的收入來(lái)源，占總收入的69%，DRAM業(yè)務(wù)收入回升至34.27億美元，同比上升21.2%。NAND是公司第二大收入來(lái)源，占總收入的29%，NAND業(yè)務(wù)收入為12.30億美元，同比提升11.5%。
美光科技總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra表示：“我們預計業(yè)務(wù)基本面將在2024 年得到改善，行業(yè)TAM預計將在2025年實(shí)現突破。我們面向數據中心AI應用的高帶寬內存體現了技術(shù)和產(chǎn)品路線(xiàn)圖的實(shí)力，我們已做好充分準備，抓住人工智能為終端市場(chǎng)帶來(lái)的巨大機遇?！?/p>
美光高性能內存與存儲，推動(dòng) AI 豐富殘障人士生活體驗
抓住 AI 大趨勢，三星、美光積極籌備 HBM 擴建計劃不負期待：與美光相約2023進(jìn)博會(huì )
美光推出基于1β技術(shù)的DDR5內存,速率高達7,200MT/s
美光發(fā)布業(yè)界領(lǐng)先的客戶(hù)端 SSD，助力PC產(chǎn)業(yè)滿(mǎn)足游戲、內容創(chuàng )作和科學(xué)計算的應用需求
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