長(cháng)江存儲再度“亮劍”，在美國起訴美光侵犯其 11 項專(zhuān)利

IT之家 7 月 22 日消息，據外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長(cháng)江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區指控美光侵犯了長(cháng)江存儲的 11 項專(zhuān)利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。

長(cháng)江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷(xiāo)售侵權的存儲產(chǎn)品，并支付專(zhuān)利使用費。

長(cháng)江存儲指控稱(chēng)，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRAM 產(chǎn)品（Y2BM 系列），侵犯了長(cháng)江存儲在美國提交的 11 項專(zhuān)利或專(zhuān)利申請。

2023 年 11 月，長(cháng)江存儲就曾在美起訴美光專(zhuān)利侵權，涉 8 項專(zhuān)利；2024 年 6 月，長(cháng)江存儲在美起訴美光資助的咨詢(xún)公司，指控其散布虛假信息。如今長(cháng)江存儲再度“亮劍”，IT之家將跟進(jìn)后續訴訟消息。