消息稱(chēng)三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價(jià)格

 10 月 6 日消息，據韓媒 Business Korea 報道，三星內部認為目前 NAND Flash 供應價(jià)格過(guò)低，公司計劃今年四季度起，調漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅在 10% 以上，預計最快本月新合約便將采用新價(jià)格。

▲ 圖源韓媒 Business Korea

自今年年初以來(lái)，三星一直奉行減產(chǎn)戰略，IT之家此前曾報道，三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%，最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域，之后下半年三星開(kāi)始著(zhù)手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量，眼下正試圖推動(dòng) NAND 價(jià)格正?；?。

如今 DRAM 已出現價(jià)格反彈，而 NAND 產(chǎn)品仍存突破空間。三星目標是擴大減產(chǎn)規模，降低供應量，再提高產(chǎn)品價(jià)格來(lái)尋求反轉，其期望明年第二季實(shí)現 NAND 盈虧平衡點(diǎn)。

SK 證券研究員 Han Dong-hee 認為，三星的第二波減產(chǎn)計劃和獲利優(yōu)先政策有望帶動(dòng)存儲芯片價(jià)格反彈。

目前業(yè)內買(mǎi)賣(mài)雙方正在洽談合約價(jià)，外媒認為 DRAM 及 NAND Flash 第四季度合約價(jià)將上漲 10%-15%，三星甚至計劃調漲 20%，不過(guò)仍待觀(guān)察具體成交價(jià)。