三星明年將升級NAND核心設備供應鏈

據媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其NAND核心設備供應鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設備運行測試。 

三星平澤P1工廠(chǎng)未來(lái)大部分產(chǎn)線(xiàn)將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的第8代V-NAND，同時(shí)正在將日本東京電子（TEL）的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線(xiàn)，此次采購的TEL設備是用于整個(gè)半導體工藝的蝕刻設備。

三星的半導體產(chǎn)品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結束時(shí)，三星旗下設備解決方案部門(mén)的庫存已增至33.69萬(wàn)億韓元，高于去年年底時(shí)的29.06萬(wàn)億韓元。

今年年初，三星NAND庫存水位超過(guò)20周，最高一度飆升至28周，但最近已降至18周。為了減少NAND庫存，三星將實(shí)施大規模減產(chǎn)，目標是到今年年底將庫存降至正常水平，即6-8周。（注：庫存天數是指從半導體成品生產(chǎn)完成到發(fā)貨的時(shí)間段，用于衡量當前庫存水平以及何時(shí)耗盡的指標。）

另外，在今年第二季度的財報電話(huà)會(huì )議上，三星高管表示計劃下半年繼續削減存儲芯片的產(chǎn)量，尤其是NAND閃存的產(chǎn)量，以加速庫存正?；?。據悉，三星下半年的晶圓投入量將較上半年減少10%，目前公司減產(chǎn)的主要目標是128層第6代V-NAND，該產(chǎn)品庫存較多。

半導體的制造基于硅晶圓，因此減少晶圓投入量就會(huì )降低產(chǎn)量。相比于通過(guò)增加生產(chǎn)時(shí)間來(lái)延遲出貨的“技術(shù)生產(chǎn)延遲”，減少晶圓投入直接導致半導體出貨量和供應量的減少，因此被認為是一種快速平衡供需的手段。

值得注意的是，NAND閃存晶圓廠(chǎng)利用率也有所下降。雖然尖端產(chǎn)品與通用產(chǎn)品存在差異，但利用率大幅下降，特別是中國西安工廠(chǎng)估計不足50%，該工廠(chǎng)主要生產(chǎn)128層NAND。

由于半導體工藝轉換需要相當長(cháng)的時(shí)間，設備更換期間的減產(chǎn)效果顯著(zhù) —— 也就是說(shuō)，這將快速減少128層產(chǎn)品庫存。三星之所以不停止生產(chǎn)，而是推動(dòng)工藝轉換，是因為200層以上的NAND閃存正在成為下一代旗艦產(chǎn)品。

三星正在準備236層NAND，以應對未來(lái)的需求。業(yè)內人士表示，去年128層NAND閃存占總需求的50%，其次是176層和96層NAND閃存；不過(guò)，今年176層NAND預計將超過(guò)50%，200層以上NAND將增加至10%。