DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

IT之家 12 月 21 日消息，根據韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。

三星計劃投資 27 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬(wàn)億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長(cháng) 100%。

報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標。

報道稱(chēng)三星將 DRAM 和 NAND 閃存的產(chǎn)量提高 24%，而 SK 海力士的目標是將 DRAM 產(chǎn)能提高到 2022 年年底水平。

根據集邦咨詢(xún)公布的 2023 年第 3 季度營(yíng)收數據，在市場(chǎng)份額方面，三星在 DRAM 領(lǐng)域占有約 38.9% 的市場(chǎng)份額，而 SK 海力士則為 34.3%。

在 NAND 領(lǐng)域，三星擁有約 31.4% 的市場(chǎng)份額，而 SK 海力士則占 20.2%。

DRAM 和 NAND 市場(chǎng)由于長(cháng)期供應過(guò)剩，主要制造商都采取了減產(chǎn)的方式，這種情況直到近期才有所緩解。

在價(jià)格反彈的情況下，韓國兩大公司計劃進(jìn)行重大投資，這引發(fā)了人們對存儲器行業(yè)可能面臨新挑戰的擔憂(yōu)。

此外，業(yè)界普遍認為，未來(lái)一些與 AI 相關(guān)的應用將需要大容量?jì)却嬷С?。例如，明年全球智能手機出貨量預計將增長(cháng) 3%，預計將促進(jìn)高價(jià)值內存市場(chǎng)需求的擴大。

集邦咨詢(xún)也指出，近期有關(guān)內存廠(chǎng)商擴大投資、提升產(chǎn)能的消息，主要是受 HBM 市場(chǎng)需求增長(cháng)的推動(dòng)，而非所有產(chǎn)品的產(chǎn)能擴張。