三星西安工廠(chǎng)工藝升級獲批，將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設備

據悉，三星電子經(jīng)營(yíng)高層日前做出決定，將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠(chǎng)，為完成工廠(chǎng)制程升級已下單采購最新半導體設備，或將于今年年底開(kāi)始引進(jìn)新設備。西安工廠(chǎng)是目前三星電子位于海外的唯一內存芯片生產(chǎn)基地，2014 年開(kāi)始投產(chǎn)，經(jīng) 2020 年擴建二期項目后，目前每月生產(chǎn) 20 萬(wàn)張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產(chǎn)基地，占三星電子 NAND 芯片總產(chǎn)量的 40% 以上。三星電子計劃明年在西安工廠(chǎng)內部署生產(chǎn) 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設備，并依次完成工藝轉換。

2022 年 11 月，三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始大規模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來(lái) 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過(guò) 12GBps。據介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子當時(shí)沒(méi)有公開(kāi)芯片的大小和實(shí)際密度，不過(guò)他們稱(chēng)之為業(yè)界最高的比特密度。

三星電子閃存產(chǎn)品與技術(shù)執行副總裁 SungHoi Hur 表示：「由于市場(chǎng)對更密集、更大容量存儲的需求推動(dòng)了更高的 V-NAND 層數，三星采用了先進(jìn)的 3D 壓縮技術(shù)，以減少表面積和高度，同時(shí)避免通常在壓縮時(shí)出現的單元間干擾。我們第 8 代 V-NAND 將有助于滿(mǎn)足快速增長(cháng)的市場(chǎng)需求，并使我們更好地提供更多差異化的產(chǎn)品和解決方案，這將是未來(lái)存儲創(chuàng )新的基礎?！?/p>

為什么對西安工廠(chǎng)進(jìn)行升級？

三星電子對西安工廠(chǎng)進(jìn)行升級的原因大致出于兩方面的考慮，在全球 NAND 閃存市場(chǎng)未出現明顯回暖跡象下，三星電子欲維持全球龍頭老大的地位。從去年底開(kāi)始，全球 IT 市場(chǎng)尤其是半導體景氣不振，三星電子在 NAND 業(yè)務(wù)上也持續低迷，加上未能出貨的庫存積壓，赤字不斷擴大。

今年三季度，三星電子設備解決方案（DS）部門(mén)虧損推測為 3 萬(wàn)億韓元以上，其中 2 萬(wàn)億韓元虧損來(lái)自 NAND 業(yè)務(wù)。雖然三星電子持續減產(chǎn)，但對業(yè)績(jì)的改善效果不及預期，因此決定升級工藝制程。通過(guò)生產(chǎn)最新第 8 代產(chǎn)品不僅可確保價(jià)格競爭力和市場(chǎng)需求，且相比于第 6 代產(chǎn)品，第 8 代產(chǎn)品所需芯片減少 30%，可起到自然減產(chǎn)效果，符合市場(chǎng)需求保持供需平衡。

三星電子自今年 4 月宣布減產(chǎn)后，第 6 代（128 層）V-NAND 主產(chǎn)地西安工廠(chǎng)開(kāi)工率大幅降低。業(yè)內判斷此時(shí)為升級工廠(chǎng)的最佳時(shí)機，西安工廠(chǎng) 236 層 NAND 工藝趨于穩定后，將逐漸減少現有生產(chǎn)線(xiàn)。其次，美方日前同意向三星電子和 SK 海力士提供半導體設備，令這兩家半導體大廠(chǎng)得以喘息。

一位業(yè)界人士稱(chēng)，三星西安工廠(chǎng)擴建雖然仍有困難，但在進(jìn)行設備維護或工藝轉換方面不會(huì )存在太大問(wèn)題，雖然因工藝升級設備數量增加，芯片的投入量和產(chǎn)能會(huì )有所降低，但出貨量仍保持穩定。業(yè)內預測三星電子 DS 部門(mén)有望于明年上半年實(shí)現扭虧為盈，今年前兩季度，該部門(mén)均出現 4.5 萬(wàn)億韓元左右的虧損，三季度收窄至 3 萬(wàn)多億韓元。尤金證券市場(chǎng)調查負責人李勝宇稱(chēng)，由于減產(chǎn)效果逐漸顯現，庫存量明顯減少，價(jià)格將持續反彈，三星電子業(yè)績(jì)有望得到改善。

此外，在存儲市場(chǎng)經(jīng)歷了長(cháng)時(shí)間的低迷后，NAND 也終于迎來(lái)了它的漲價(jià)周期。

NAND 開(kāi)始漲價(jià)

據悉，三星內部認為目前 NAND Flash 芯片供應價(jià)格過(guò)低，計劃在今年第四季度將 NAND Flash 芯片價(jià)格調漲 10％以上，且最快自 10 月開(kāi)始漲價(jià)。

據了解，三星上月已與小米、OPPO 及谷歌等客戶(hù)簽署了內存芯片供應協(xié)議，DRAM 和 NAND Flash 芯片價(jià)格較之前合同價(jià)格上調 10%-20％。三星還預計，從第四季度起存儲芯片市場(chǎng)或將供不應求。

今年以來(lái)，三星一直奉行減產(chǎn)戰略。最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域，之后下半年開(kāi)始著(zhù)手大幅削減 NAND Flash 芯片的產(chǎn)量。此次調漲 NAND Flash 芯片合約價(jià)格，是三星電子繼先前宣布 NAND Flash 芯片減產(chǎn)后，企圖提振 NAND Flash 芯片價(jià)格的最新策略。SK 海力士、美光等大型芯片廠(chǎng)商調整了其 NAND 產(chǎn)品的價(jià)格，合約價(jià)至少上漲了 10%。