美光新內存模塊 開(kāi)始送樣

美光18日宣布，該公司多重存取雙列直插式內存模塊（MRDIMM）開(kāi)始送樣，針對內存需求高達每DIMM 插槽128GB以上的應用，其效能更勝目前的硅晶穿孔型（TSV）RDIMM。

光第一代MRDIMM，與IntelR XeonR 6處理器兼容。美光MRDIMM現已上市，將于2024年下半年開(kāi)始大量出貨。

美光指出，開(kāi)始送樣的內存是美光MRDIMM系列的第一代產(chǎn)品，實(shí)現最高帶寬、最大容量、最低延遲，以及更高的每瓦效能，加速內存密集型如虛擬化多租戶(hù)、HPC和AI數據中心等的工作負載。

美光副總裁暨運算產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理Praveen Vaidyanathan表示，美光最新推出的創(chuàng )新主存儲器解決方案MRDIMM，以更低的延遲提供業(yè)界迫切需要的高帶寬與大容量，有助在下一代服務(wù)器平臺上實(shí)現大規模AI推論和高效能運算（HPC）應用。

MRDIMM顯著(zhù)降低每項任務(wù)的功耗，同時(shí)延續了與RDIMM相同的可靠性、可用性和可維護性功能與接口，為客戶(hù)提供靈活擴充效能的解決方案。

由于美光與業(yè)界緊密合作，因此，新產(chǎn)品不僅能夠無(wú)縫整合到現有服務(wù)器基礎架構中，更可順暢銜接未來(lái)運算平臺。

MRDIMM技術(shù)采用DDR5的物理與電氣標準，帶來(lái)更先進(jìn)的內存，每核心的帶寬與容量雙雙提升，為未來(lái)運算系統做好準備，更滿(mǎn)足數據中心工作負載日益成長(cháng)的需求。