美光推出基于1β技術(shù)的DDR5內存,速率高達7,200MT/s

Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已將業(yè)界領(lǐng)先的1β（1-beta）制程技術(shù)應用于16Gb容量版本的 DDR5內存。美光1β DDR5 DRAM在系統內的速率高達7,200 MT/s，現已面向數據中心及PC市場(chǎng)的所有客戶(hù)出貨?；?β節點(diǎn)的美光DDR5內存采用先進(jìn)的High-K CMOS器件工藝、四相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步技術(shù)^[[1]]，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高達50%^[[2]]，每瓦性能提升33%^[[3]]。

隨著(zhù)CPU內核數量的不斷增加以滿(mǎn)足數據中心工作負載需求，系統對更高的內存帶寬與容量的需求也顯著(zhù)增長(cháng)，從而在應對“內存墻”挑戰的同時(shí)優(yōu)化客戶(hù)的總體擁有成本。美光1β DDR5 DRAM支持計算能力向更高的性能擴展，能支持數據中心和客戶(hù)端平臺上的人工智能（AI）訓練和推理、生成式AI、數據分析和內存數據庫（IMDB）等應用。全新1β DDR5 DRAM產(chǎn)品線(xiàn)提供速率從4,800 MT/s到7,200 MT/s的現有模塊密度，能夠滿(mǎn)足數據中心和客戶(hù)端的應用需求。

美光核心計算設計工程部門(mén)企業(yè)副總裁Brian Callaway表示：“面向客戶(hù)端和數據中心平臺的1β DDR5 DRAM量產(chǎn)及出貨，標志著(zhù)行業(yè)的一個(gè)重要里程碑。我們與生態(tài)系統合作伙伴及客戶(hù)緊密合作，將推動(dòng)高性能內存產(chǎn)品的市場(chǎng)普及?！?/p>

美光的1β技術(shù)已應用至公司廣泛的內存解決方案，包括采用16Gb、24Gb和32Gb DRAM裸片的DDR5 RDIMM和MCRDIMM；采用16Gb和24Gb DRAM裸片的LPDDR5X；HBM3E和GDDR7。全新的美光16Gb DDR5內存將通過(guò)直銷(xiāo)及渠道合作伙伴供貨。

行業(yè)引語(yǔ)：

華碩消費性產(chǎn)品事業(yè)處協(xié)理陳奕彰表示：“華碩是消費類(lèi)和游戲應用領(lǐng)域高性能筆記本電腦的領(lǐng)導廠(chǎng)商。內存子系統向DDR5過(guò)渡是華碩重點(diǎn)關(guān)注的領(lǐng)域。我們很高興推出搭載美光1β DDR5內存的華碩和ROG筆記本電腦，從而為客戶(hù)提供卓越的用戶(hù)體驗?！?/p>

Ampere Computing首席產(chǎn)品官Jeff Wittich表示：“Ampere的云原生處理器搭載美光領(lǐng)先的1β DDR5提供了一流的計算解決方案，能夠滿(mǎn)足超大規模數據中心的性能、可擴展性和功耗需求。在A(yíng)mpereOne?平臺上使用速率高達7,200MT/s的美光1β DDR5，將持續推動(dòng)人工智能、機器學(xué)習和所有高性能計算應用的發(fā)展?！?/p>

Cadence 高級副總裁兼IP事業(yè)部總經(jīng)理Boyd Phelps表示：“我們很高興與美光合作，利用我們業(yè)界領(lǐng)先的DDR5、LPDDR5X、GDDR6和HBM3 IP系統解決方案搭配美光先進(jìn)的內存產(chǎn)品組合，為針對特定應用進(jìn)行優(yōu)化的下一代平臺提供支持。通過(guò)搭載美光先進(jìn)的1β DDR5內存，我們評估和驗證了高性能DDR5 IP速率可高達7,200MT/s?！?/p>

[[1]] JEDEC可選的SRX/NOP時(shí)鐘同步（CLK_SYNC）功能旨在減輕美光1βnm器件支持的四相時(shí)鐘架構中主處理器與DRAM之間的工作周期失真效應。

[[2]] 基于理論最大帶寬，器件級性能提升為（7200-4800）/4800。

[[3]] 每瓦性能（理論最大帶寬，器件級）：Y52K 7200MT/s與Y32A 4800MT/s。根據預測的Gstress總線(xiàn)利用率7200MT/s（58%）計算，并在SPR E-step系統中測量。