SK 海力士加大環(huán)保投入，在芯片生產(chǎn)工藝中使用氟氣替代三氟化氮

7 月 25 日消息，SK 海力士宣布將在芯片生產(chǎn)清洗工藝中使用更環(huán)保的氣體 —— 氟氣（F2）。

SK 海力士 2024 可持續發(fā)展報告顯示，該公司原先將三氟化氮（NF3）用于芯片生產(chǎn)過(guò)程中的清洗工藝，用于去除沉積過(guò)程中腔室內部形成的殘留物，其全球變暖潛能值（GWP）顯著(zhù)高于氟氣（NF3的 GWP 為 17200，而 F2為 0）。

除此之外，SK 海力士還進(jìn)一步增加了氫氟酸（HF）的使用量（可用于低溫蝕刻設備），該氣體的 GWP 為 1 甚至更低，遠低于過(guò)去用于 NAND 通道孔蝕刻的氟碳氣體。