美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內存

當地時(shí)間11月9日，存儲大廠(chǎng)美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內存，速度高達8000MT/s，可支持當前和未來(lái)的數據中心工作負載。

據美光介紹，該產(chǎn)品采用美光1β(1-beta)技術(shù)，與競爭性3DS硅通孔(TSV)產(chǎn)品相比，位密度提高45%以上、能源效率提高高達24%、延遲降低高達16%、AI訓練性能提升高達28%。該產(chǎn)品旨在滿(mǎn)足數據中心和云環(huán)境中各種關(guān)鍵任務(wù)應用程序的性能和數據處理需求，包括人工智能(AI)、存儲數據庫(IMDB)）以及多線(xiàn)程、多核計數一般計算工作負載的高效處理。

美光32Gb DDR5內存解決方案采用創(chuàng )新的芯片架構選擇，可實(shí)現領(lǐng)先的陣列效率和最密集的單片DRAM芯片。電壓域和刷新管理功能有助于優(yōu)化供電網(wǎng)絡(luò )，提供急需的能源效率改進(jìn)。并優(yōu)化了芯片尺寸縱橫比，以提高32Gb高容量DRAM芯片的制造效率。

美光預計2024年發(fā)貨4800MT/s、5600MT/s和6400MT/s128GB RDIMM產(chǎn)品，未來(lái)將提升至8000MT/s。