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ASML：EUV光刻機已近極限 追趕技術(shù)還是另辟蹊徑？
- ASML首席財務(wù)官達森（Roger Dassen）表示，EUV技術(shù)路線(xiàn)發(fā)展受歐美限制，且光刻機已接近技術(shù)極限，此一技術(shù)路線(xiàn)前景不明。積極尋求突破的中國廠(chǎng)商是持續投入資源突破現有限制進(jìn)行技術(shù)跟隨？還是將資源另辟蹊徑尋找新的技術(shù)路徑？將面臨艱難的抉擇。 據《芯智訊》報導，臺積電已經(jīng)訂購了High NA EUV（高數值孔徑極紫外光）光刻機，ASML與臺積電的商業(yè)談判即將結束，預計在第2季度或第3季度開(kāi)始獲得大量 2nm芯片制造相關(guān)設備訂單。ASML預測其設備的市場(chǎng)需求有望一路走強至2026年，這主要是受益于各國
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臺積電今年將拿到最新款光刻機
- 6月6日消息，據外媒報道稱(chēng)，ASML將在今年向臺積電交付旗下最先進(jìn)的光刻機，單臺造價(jià)達3.8億美元。報道中提到，ASML首席財務(wù)官Roger Dassen在最近的一次電話(huà)會(huì )議上告訴分析師，公司兩大客戶(hù)臺積電和英特爾將在今年年底前獲得所謂的高數值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統。英特爾此前已經(jīng)訂購了最新的高NA EUV設備，第一臺設備已于12月底運往俄勒岡州的一家工廠(chǎng)。目前尚不清楚ASML最大的EUV客戶(hù)臺積電何時(shí)會(huì )收到設備。據悉，這些機器每臺造價(jià)3.5億歐元（3.8億美元），重量相當于兩架空中客車(chē)A
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EUV光刻機“忙瘋了”
- 據市場(chǎng)消息，目前，ASML High NA EUV光刻機僅有兩臺，如此限量版的EUV關(guān)鍵設備必然無(wú)法滿(mǎn)足市場(chǎng)對先進(jìn)制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。當地時(shí)間6月3日，全球最大的半導體設備制造商阿斯麥（ASML）宣布，攜手比利時(shí)微電子研究中心（IMEC），在荷蘭費爾德霍芬（Veldhoven）開(kāi)設聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗室（High NA EUV Lithography Lab），并由雙方共同運營(yíng)。推動(dòng)摩爾定律關(guān)鍵因素：High NA EUV技術(shù)據業(yè)界信息，High NA EUV技術(shù)是
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ASML和IMEC啟用聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗室
- 自ASML官網(wǎng)獲悉，6月3日，比利時(shí)微電子研究中心（imec）與阿斯麥（ASML）宣布在荷蘭費爾德霍芬（Veldhoven）開(kāi)設聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗室（High NA EUV Lithography Lab），由ASML和imec共同運營(yíng)。聲明中稱(chēng)，經(jīng)過(guò)多年的構建和集成，該實(shí)驗室已準備好為領(lǐng)先的邏輯和存儲芯片制造商以及先進(jìn)材料和設備供應商提供第一臺原型高數值孔徑EUV掃描儀（TWINSCAN EXE：5000）以及周?chē)奶幚砗陀嬃抗ぞ?。據悉，該?lián)合實(shí)驗室的開(kāi)放是High-NA EUV大批量生
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臺積電CEO秘訪(fǎng)ASML，High-NA EUV光刻機競賽提前打響？
- 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺北站”的活動(dòng)，臺積電CEO魏哲家罕見(jiàn)的沒(méi)有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪(fǎng)問(wèn)位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專(zhuān)業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過(guò)社交媒體透露了魏哲家秘密出訪(fǎng)的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品，包括High-NA EUV設備將如何實(shí)現未來(lái)
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美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠(chǎng)
- 據日媒報道，美光科技計劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠(chǎng)，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠(chǎng)房將于2026年初動(dòng)工，并安裝極紫外光刻（EUV）設備。消息稱(chēng)最快2027年底便可投入營(yíng)運。報道稱(chēng)，此前，日本政府已批準多達1920億日圓補貼，支持美光在廣島建廠(chǎng)并生產(chǎn)新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片，這些芯片將是推動(dòng)生成式AI、數據中心和自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
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臺積電美國設廠(chǎng)貴又慢？工程師揭關(guān)鍵：EUV機臺組裝超乎想象
- 臺積電熊本廠(chǎng)已在2月底開(kāi)幕，美國亞利桑那州新廠(chǎng)卻從2024年遞延至2025年量產(chǎn)，美國一名結構工程師撰文指出，在美國蓋晶圓廠(chǎng)的速度比世界其他地方慢，建造成本也比世界其他地區高出30%到4倍。而蓋晶圓廠(chǎng)比想象中復雜，以ASML的一臺先進(jìn)EUV曝光機為例，可能裝在40個(gè)貨柜中，需要漫長(cháng)而仔細的組裝過(guò)程。美國進(jìn)步中心（Institute of Progress）學(xué)者、結構工程師波特（Brian Potter）以如何建造一座價(jià)值200億美元的半導體廠(chǎng)為題撰文指出，隨著(zhù)摩爾定律的發(fā)展，芯片已變得越來(lái)越小、越來(lái)越便宜
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財經(jīng)專(zhuān)家揭秘臺積電「抗震神器」：1鈴聲預告出大事
- 花蓮外海3日上午發(fā)生規模7.2大地震，臺積電昨晚間發(fā)聲明，震后10小時(shí)內，晶圓廠(chǎng)設備的復原率已超過(guò)70％，雖少數設備受損并影響部分產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)，但主要機臺包含所有極紫外（EUV）光刻設備皆無(wú)受損。對此，財經(jīng)專(zhuān)家黃世聰表示，臺積電晶圓廠(chǎng)的機臺，使用的是美國航天等級、連美軍都在用的阻尼器，且下方還有抗震減壓的機臺，把地震影響降到最小，且臺積電工程師訓練有素，只要發(fā)生地震、聽(tīng)到公司手機響起臺積電之歌的鈴聲，就知道出大事、要趕回公司。臺積電產(chǎn)能牽動(dòng)全球科技業(yè)，強震后外界關(guān)注影響。臺積電昨晚發(fā)布聲明，在3日地震發(fā)生后僅
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臺積電曝EUV主要機臺沒(méi)受損 美媒示警：強震后面臨考驗
- 昨日花蓮發(fā)生規模7.2地震，外媒高度關(guān)注是否對中國臺灣護國神山臺積電造成影響，臺積電表示，部分廠(chǎng)區的少數設備受損，但所有極紫外（EUV）光刻設備等主要機臺皆無(wú)受損?！度A爾街日報》撰文指出，臺積電坐落在世界上最大地震熱點(diǎn)之一的中國臺灣，在昨日強震后將受到考驗。報導指出，在此次地震中臺積電是幸運的，因為其主要設施地點(diǎn)位在北、中、南部，與東部的震央距離相對較遠，這次臺積電新竹、龍潭和竹南等科學(xué)園區的最大震度為5級 ，臺中和臺南科學(xué)園區的最大震度4級。雖然臺積電工廠(chǎng)建筑物完好無(wú)損，但用于制造半導體的設備和材料非常
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中國臺灣地震影響全球半導體業(yè) 一文看懂如何撼動(dòng)芯片供應鏈
- 3日早上7點(diǎn)58分左右，中國臺灣花蓮發(fā)生規模7.2地震，擾亂臺積電在內的公司營(yíng)運，臺積電對此表示，雖然部分廠(chǎng)區的少數設備受損并影響部分產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)，但主要機臺包含所有極紫外（EUV）光刻設備皆無(wú)受損。許多外媒則示警，這凸顯了臺積電和全球芯片供應鏈處在地震的風(fēng)險與威脅之中。 根據《商業(yè)內幕》報導，這場(chǎng)7.2強震凸顯了全球芯片供應鏈和臺積電的脆弱性，臺積電是世界上最大的芯片制造商，全球大約90%的最先進(jìn)處理器芯片都是臺積電生產(chǎn)，而且中國臺灣也是小型芯片生產(chǎn)商的所在地。報導示警，如果大地震能夠擾亂臺積電，那么更具破
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High-NA EUV光刻機入場(chǎng)，究竟有多強？
- 光刻機一直是半導體領(lǐng)域的一個(gè)熱門(mén)話(huà)題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩定可靠的性能為半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅實(shí)基礎；再到后來(lái)的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長(cháng)，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數值孔徑光刻機（High-NA）正式登上歷史舞臺，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個(gè) TWINSCAN EXE:5000 高數值孔徑光刻系統。其中一個(gè)由 ASM 與 imec 合作開(kāi)發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
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ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術(shù)
- 3 月 27 日消息，據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術(shù)，運行效率得以提升。根據IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實(shí)現 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA（高數值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著(zhù)其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會(huì )導致影響晶圓吞吐量的光損失。
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ASML正計劃搬離荷蘭？向外擴張轉移業(yè)務(wù)成為最優(yōu)解
- 據路透社報道，光刻機巨頭阿斯麥（ASML）正計劃將公司搬離荷蘭。荷蘭政府緊急成立了一個(gè)名為“貝多芬計劃”的特別工作組，由首相馬克·呂特親自領(lǐng)導，以確保ASML繼續在荷蘭發(fā)展。消息還稱(chēng)，ASML已向荷蘭政府提出了意向，表示將有可能在其他地方擴張或遷移，法國或是選擇之一。針對最近“搬離荷蘭”等傳言，ASML發(fā)言人對媒體稱(chēng)他們在考慮公司的未來(lái)，但沒(méi)有透露具體的想法。ASML為何要搬離荷蘭？憑借先天的地理位置及海港內陸網(wǎng)絡(luò )，荷蘭一直為歐洲的交通樞紐，國家經(jīng)濟高度依賴(lài)國際貿易，2022年最新出口額占全國GDP之比超
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韓國芯片巨頭SK海力士計劃升級在華工廠(chǎng)
- 據韓媒報道，韓國芯片巨頭SK海力士準備打破美國對華極紫外（EUV）光刻機出口相關(guān)限制，對其中國半導體工廠(chǎng)進(jìn)行技術(shù)提升改造。這被外界解讀為，隨著(zhù)半導體市場(chǎng)的復蘇以及中國高性能半導體制造能力提升，一些韓國芯片企業(yè)準備采取一切可以使用的方法來(lái)提高在華工廠(chǎng)制造工藝水平。韓國《首爾經(jīng)濟》13日的報道援引韓國業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng)，SK海力士計劃今年將其中國無(wú)錫工廠(chǎng)的部分動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）生產(chǎn)設備提升至第四代10納米工藝。對于“無(wú)錫工廠(chǎng)將技術(shù)升級”的消息，SK海力士方面表示“無(wú)法確認工廠(chǎng)的具體運營(yíng)計劃”。無(wú)錫工廠(chǎng)
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euv介紹
在半導體行業(yè)，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。
極紫外光刻（英語(yǔ)：Extreme ultra-violet，也稱(chēng)EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長(cháng)的光刻技術(shù)。
EUV光刻采用波長(cháng)為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長(cháng)一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴展到32nm以下的特征尺寸。
根據瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長(cháng)可以提供極高 [ 查看詳細 ]
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