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臺積電CEO秘訪(fǎng)ASML，High-NA EUV光刻機競賽提前打響？
- 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺北站”的活動(dòng)，臺積電CEO魏哲家罕見(jiàn)的沒(méi)有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪(fǎng)問(wèn)位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專(zhuān)業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過(guò)社交媒體透露了魏哲家秘密出訪(fǎng)的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品，包括High-NA EUV設備將如何實(shí)現未來(lái)
- 關(guān)鍵字： 臺積電 ASML High-NA EUV 光刻機
High-NA EUV光刻機入場(chǎng)，究竟有多強？
- 光刻機一直是半導體領(lǐng)域的一個(gè)熱門(mén)話(huà)題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩定可靠的性能為半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅實(shí)基礎；再到后來(lái)的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長(cháng)，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數值孔徑光刻機（High-NA）正式登上歷史舞臺，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個(gè) TWINSCAN EXE:5000 高數值孔徑光刻系統。其中一個(gè)由 ASM 與 imec 合作開(kāi)發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
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ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術(shù)
- 3 月 27 日消息，據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術(shù)，運行效率得以提升。根據IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實(shí)現 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA（高數值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著(zhù)其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會(huì )導致影響晶圓吞吐量的光損失。
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英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機？
- HIGH NA 無(wú)疑是打贏(yíng)下一場(chǎng)比賽的重要籌碼。
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英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？
- 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來(lái)兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節點(diǎn)。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業(yè)界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會(huì )采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時(shí)觀(guān)望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
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ASML：數值孔徑0.75超高NA EUV光刻設備2030年登場(chǎng)
- 據日本媒體報導，光刻機設備龍頭阿斯麥（ASML）執行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會(huì )ITF World 2023表示，半導體產(chǎn)業(yè)需要2030年開(kāi)發(fā)數值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù)，滿(mǎn)足半導體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來(lái)EUV技術(shù)越來(lái)越成熟，半導體制程微縮至2020年前后三年，以超過(guò)50%幅度前進(jìn)，不過(guò)速度可能會(huì )在2030年放緩。故ASML計劃年底前發(fā)表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設備（原型制作），
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SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
- 由于傳統微縮(scaling)技術(shù)系統的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過(guò)采用該新技術(shù)，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實(shí)現了晶體管性能的顯著(zhù)提高。本文針對HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰: 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數據的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數據的核心晶體管(Core Tr
- 關(guān)鍵字： SK海力士 High-k Metal Gate
Derive simple high-current source from lab sup
- Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
- 關(guān)鍵字： high-current Derive simple source
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