ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術(shù)

3 月 27 日消息，據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術(shù)，運行效率得以提升。

根據IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實(shí)現 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。

下一代光刻技術(shù) High-NA（高數值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著(zhù)其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會(huì )導致影響晶圓吞吐量的光損失。因此 ASML 提高了光學(xué)系統的放大倍率，從而將光線(xiàn)入射角調整回合適大小。

但在掩膜尺寸不變的情況下，增加光學(xué)系統放大倍率本身也會(huì )因為曝光場(chǎng)的減少影響晶圓吞吐量。因此 ASML 僅在一個(gè)方向上將放大倍數從 4 倍提升至 8 倍，這使得曝光場(chǎng)僅用減小一半。

而為了進(jìn)一步降低曝光時(shí)間，提升吞吐量，有必要提升光刻機載物臺的運動(dòng)速率。ASML 工程師就此開(kāi)發(fā)了同時(shí)兼容現有 0.33NA 數值孔徑系統的新款快速載物臺運動(dòng)系統。

▲ 圖源 ASML 官方

對于 NXE:3800E 而言，其光學(xué)原件同之前的 3600D 機型相同，僅是配備了更高效的 EUV 光源，所以其吞吐量收益主要來(lái)自每次曝光之間的晶圓移動(dòng)加速。與 3600D 相比，3800E 的載物臺移動(dòng)速度提升至 2 倍，曝光步驟總時(shí)長(cháng)也大約減少了一半。

更快的運行速度也帶來(lái)了能效的提升，ASML 的發(fā)言人表示，NXE:3800E 整體節省了約 20%~25% 的能源。