ASML正計劃搬離荷蘭？向外擴張轉移業(yè)務(wù)成為最優(yōu)解

據路透社報道，光刻機巨頭阿斯麥（ASML）正計劃將公司搬離荷蘭。荷蘭政府緊急成立了一個(gè)名為“貝多芬計劃”的特別工作組，由首相馬克·呂特親自領(lǐng)導，以確保ASML繼續在荷蘭發(fā)展。

消息還稱(chēng)，ASML已向荷蘭政府提出了意向，表示將有可能在其他地方擴張或遷移，法國或是選擇之一。針對最近“搬離荷蘭”等傳言，ASML發(fā)言人對媒體稱(chēng)他們在考慮公司的未來(lái)，但沒(méi)有透露具體的想法。

ASML為何要搬離荷蘭？

憑借先天的地理位置及海港內陸網(wǎng)絡(luò )，荷蘭一直為歐洲的交通樞紐，國家經(jīng)濟高度依賴(lài)國際貿易，2022年最新出口額占全國GDP之比超過(guò)60%，是全球開(kāi)放貿易的重要參與者。因此，荷蘭在歷史上也是多家跨國公司選址落地的首選。

總部位于荷蘭的ASML是歐洲第三大市值公司，市值接近3650億歐元。去年，ASML實(shí)現了創(chuàng )紀錄的276億歐元營(yíng)收，較2022年增長(cháng)了30%，凈利潤激增至78億歐元，增加了約22億歐元。

無(wú)論ASML離開(kāi)還是海外擴張，對于荷蘭來(lái)說(shuō)都將是一個(gè)極其敏感的打擊。近年來(lái)，荷蘭商業(yè)環(huán)境的擔憂(yōu)正達到沸點(diǎn)：2020年，日用化妝品巨頭聯(lián)合利華宣布重組，公司不再采用“荷蘭和英國雙總部”的架構，并將其唯一的總部從荷蘭遷至英國；次年，能源巨頭殼牌石油也決定將公司總部從荷蘭海牙遷至英國倫敦，結束了公司總部近一百年落戶(hù)荷蘭的根基。商業(yè)景氣監測最近顯示，六分之一的公司正在考慮將業(yè)務(wù)轉移到國外。

綜合多家媒體消息，ASML希望離開(kāi)荷蘭的主要因素是荷蘭國內的“反移民政策”。去年11月，荷蘭自由黨在議會(huì )選舉中獲得壓倒性?xún)?yōu)勢，并宣布將采取反移民、縮減海外留學(xué)生規模以及取消外籍人士的稅收減免等措施。據報道，ASML在荷蘭的總計2.3萬(wàn)名員工中，非荷蘭籍員工占比約為40%，而留在荷蘭就業(yè)的海外留學(xué)生是該公司主要人才來(lái)源之一。

半導體作為技術(shù)門(mén)檻最高的行業(yè)之一，高度依賴(lài)技術(shù)熟練的外國勞工以及高素質(zhì)外國勞動(dòng)力。針對這一系列的變化，ASML首席執行官彼得·溫寧克（Peter Wennink）在1月就曾表示，出于對荷蘭的營(yíng)商環(huán)境惡化的擔憂(yōu)，若在荷蘭無(wú)法招募足夠的人才，“將搬去可以發(fā)展的地方”。

此外，有內部人士透露，荷蘭的住房短缺導致員工住房困難，也是導致ASML有意搬離的原因之一。由于A(yíng)SML技術(shù)的獨特性和復雜性，雇傭和留住員工以支持擴張是一個(gè)挑戰。

值得注意的是，目前ASML正處于管理層交替時(shí)期。2023年11月30日ASML監事會(huì )宣布，ASML共同總裁Peter Wennink和Martin van den Brink將在完成當前任期后從公司退休?，F任首席商務(wù)官法國人Christophe Fouquet屆時(shí)將擔任公司下一任總裁兼首席執行官，該任命須經(jīng)4月24日的年度股東大會(huì )批準，遷址這個(gè)事情可能會(huì )由他來(lái)決定。

ASML面臨的挑戰

2007年，ASML發(fā)布全球首個(gè)193nm的浸潤式系統TWINSCAN XT:1900，使ASML超越當時(shí)的光刻機龍頭尼康和佳能，成為光刻機的全球霸主；2010年，交付了全球第一臺EUV光刻機，憑借其極高的技術(shù)壁壘，ASML至今仍是全球唯一的EUV光刻機供應商。

由于光刻機技術(shù)壁壘太高，甚至被稱(chēng)為現代“最復雜的設備”，不僅具有巨大的經(jīng)濟價(jià)值，而且具有戰略?xún)r(jià)值。因為ASML是低數值孔徑和高數值孔徑EUV工具的唯一生產(chǎn)商，這些工具對于使用領(lǐng)先工藝技術(shù)制造芯片至關(guān)重要。在市場(chǎng)競爭中，ASML的設備和技術(shù)占絕對領(lǐng)先地位，占據全球市場(chǎng)82.1%：90nm以下節點(diǎn)高端光刻機（如ArF、ArFi、EUV光刻3種高端機型）95%以上屬ASML設備。

但是當前，宏觀(guān)經(jīng)濟形勢不穩定，如高利率通貨膨脹，對經(jīng)濟衰退的恐懼和地緣政治緊張局勢的加劇。例如在2023年底，荷蘭政府部分吊銷(xiāo)了NXT:2050i和NXT:2100i系統的出貨許可證，對中國部分客戶(hù)造成影響。隨著(zhù)最近荷蘭法規的變化，先進(jìn)的浸潤式DUV設備現在也受到許可證要求的約束。美國政府已經(jīng)制定了貿易措施，包括國家安全法規和限制與某些中國實(shí)體開(kāi)展業(yè)務(wù)，限制ASML在沒(méi)有許可證的情況下向這些實(shí)體提供某些產(chǎn)品和服務(wù)的能力。

中國市場(chǎng)作為ASML重要的營(yíng)收盤(pán)之一，受到多方關(guān)注，有關(guān)政策生效后，今年中國市場(chǎng)受到的影響為10%-15%（以2023在中國的銷(xiāo)售額為基準）。

在A(yíng)I、能源轉型、汽車(chē)電氣化和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等全球趨勢下，將繼續推動(dòng)半導體的長(cháng)期增長(cháng)。ASML正在考慮海外擴張的選擇的原因還可能是因為它希望在未來(lái)幾年內大幅提高其產(chǎn)能。特別是，ASML計劃到2025年-2026年將其制造能力擴大到每年600臺DUV光刻系統；到2025年-2026年每年擴大到90臺低數值孔徑極紫外光刻機，以及20臺高數值孔徑極紫外光刻系統（High NA EUV）；到2027年-2028年，每年將推出新光刻工具。

新的發(fā)展賽道即將來(lái)臨

ASML、尼康、佳能是全球光刻機產(chǎn)業(yè)三大龍頭，占據絕大部分市場(chǎng)份額，其中ASML在高端浸沒(méi)式DUV及EUV方面絕對領(lǐng)先，尼康在浸沒(méi)式DUV方面也有少量出貨，佳能則聚焦中低端領(lǐng)域。

2023年末，ASML向英特爾交付了第一臺High NA EUV —— EXE:5000的部分組件。High NA EUV設備被譽(yù)為“下一代EUV光刻機”，其數值孔徑（NA）為0.55，可用于制造5nm及以下（2nm/1nm）芯片產(chǎn)品，預估該設備成本或超過(guò)3億歐元。

在第一臺High-NA EUV剛發(fā)往英特爾后，ASML就透露正在探索更先進(jìn)的Hyper-NA EUV。隨著(zhù)晶體管尺寸變得越來(lái)越小，ASML的光刻系統也變得越來(lái)越復雜，面臨著(zhù)前所未有的工程、材料結構和制造方面的挑戰。許多變化和誤差的來(lái)源會(huì )阻礙光刻過(guò)程，必須加以控制，為確保芯片的生產(chǎn)滿(mǎn)足所需的性能、體積和成本，傳統的EUV光刻機技術(shù)可能已經(jīng)走到了盡頭。

高昂的成本和物理極限的挑戰限制了EUV光刻機的進(jìn)一步發(fā)展，圍繞光刻分辨率提升，光刻機走過(guò)了紫外光、深紫外光乃至如今的極紫外光技術(shù)路線(xiàn)，未來(lái)光刻機又將如何進(jìn)一步提升，極紫外光勢必不是光刻光源的終點(diǎn)所在。隨著(zhù)行業(yè)向更高級別的芯片制程轉型，EUV技術(shù)顯現出的短板和局限性逐漸暴露，這也迫使行業(yè)重新審視未來(lái)技術(shù)發(fā)展的路徑與方向。

其他的光刻技術(shù)陸續出現，像BEUV技術(shù)、X射線(xiàn)光刻技術(shù)、NIL納米壓印技術(shù)等。尤其N(xiāo)IL技術(shù)，已經(jīng)不再是實(shí)驗室技術(shù)，佳能已經(jīng)推出5nm納米壓印設備“FPA-1200NZ2C”。之前鎧俠等一些日本半導體廠(chǎng)商曾嘗試使用該技術(shù)來(lái)替換EUV，但因為內部顆粒污染、良率過(guò)低等問(wèn)題沒(méi)能實(shí)現商業(yè)化，看來(lái)佳能可能解決了這些問(wèn)題。

納米壓印是一種微納加工技術(shù)，它采用傳統機械模具微復型原理，能夠代替傳統且復雜的光學(xué)光刻技術(shù)。簡(jiǎn)單而言，像蓋章一樣造芯片，把柵極長(cháng)度只有幾納米的電路刻在印章上，再將印章蓋在橡皮泥上，得到與印章相反的圖案，經(jīng)過(guò)脫模就能夠得到一顆芯片，這里的橡皮泥是指納米壓印膠，印章即模板。

要理解納米壓印技術(shù)，可以先跟光刻技術(shù)做對比。目前芯片制造最主要的方式是光學(xué)投影式光刻，類(lèi)似于膠片相機洗印照片時(shí)，將膠片上的的圖像印在相紙上，只不過(guò)在光刻過(guò)程中，“膠片”變成了掩膜版，“相紙”變成了涂抹了光刻膠（PR）的硅片?？逃须娐穲D案的掩膜版，經(jīng)過(guò)光刻機特定波長(cháng)的光學(xué)系統投影后被縮小，再“曝光”到硅片上，光刻膠會(huì )發(fā)生性質(zhì)變化，從而將掩膜版上的圖案精確的復制到硅片上。最后一步就是“顯影”，也就是在硅晶圓上噴灑顯影液，把多余的光刻膠洗掉，再用刻蝕機把沒(méi)有光刻膠覆蓋的刻蝕掉。

總的來(lái)說(shuō)，光刻的就是利用光線(xiàn)將電路圖案“印刷”到晶圓上，是芯片制造過(guò)程中最重要、最復雜也最昂貴的工藝步驟，其成本占總生產(chǎn)成本的30%以上。以ASML頂級的EUV光刻機為例，它需要功率極高又穩定的光源，這就對成像反射鏡頭的制作工藝和機械精度提出了極高要求，所以?xún)r(jià)格昂貴。

納米壓印替代的是光刻環(huán)節，只有光刻的步驟被納米壓抑技術(shù)代替，其他的刻蝕、離子注入、薄膜沉積這些標準的芯片制造工藝是完全兼容的，能很好的接入現有產(chǎn)業(yè)，不用推翻重來(lái)。未來(lái)當光學(xué)光刻真正達到極限難以向前時(shí)，納米壓印技術(shù)或將是一條值得期待的路線(xiàn)，而那時(shí)，芯片制造或許也會(huì )迎來(lái)全新的范式，一切都會(huì )被顛覆。

關(guān)鍵是，佳能的5nm納米壓印光刻機優(yōu)勢還很明顯，不僅價(jià)格是ASML傳統EUV的10%，連耗電量也是傳統EUV的10%。美光對外宣布將首先采用日本佳能的納米壓印NIL光刻機，進(jìn)一步降低DRAM生產(chǎn)成本。一旦存儲巨頭美光獲得成功，佳能的NIL光刻機將會(huì )迅速推廣，屆時(shí)ASML的EUV必然受到擠壓。

更令ASML難受的是，NIL技術(shù)研發(fā)進(jìn)展很快，佳能表示2026年推出2nm光刻機。對于NIL設備究竟是否能威脅到ASML EUV的市場(chǎng)，我們將拭目以待。

但是想成為主流光刻技術(shù)“彎道超車(chē)”，還需要上游原料技術(shù)迭代、下游應用端等共同合作、打磨，最終才能有可靠而成熟的納米壓印產(chǎn)業(yè)。就像光刻機從造出來(lái)的那刻起，才算是來(lái)到真正的起點(diǎn)。

長(cháng)期以來(lái)，ASML EUV光刻機在光刻技術(shù)領(lǐng)域一直處于壟斷地位，而佳能納米壓印光刻技術(shù)的出現，有望打破這一局面，使芯片制造更加多元化，從而推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。

ASML公司作為光刻機領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，面臨著(zhù)前所未有的競爭壓力。新技術(shù)的涌現和市場(chǎng)格局的變化，給ASML公司帶來(lái)了挑戰，也給予了新的發(fā)展機遇。面對行業(yè)的變革和挑戰，ASML公司需要加強技術(shù)創(chuàng )新和戰略調整，尋找新的增長(cháng)點(diǎn)和競爭優(yōu)勢，才能在激烈的市場(chǎng)競爭中立于不敗之地。