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三星首次采用韓國本土EUV光刻膠 打破日企壟斷
- 據報道，三星首次引入韓國本土公司東進(jìn)世美肯（Dongjin Semichem）研發(fā)的EUV光刻膠（EUV PR）進(jìn)入其量產(chǎn)線(xiàn)，這也是三星進(jìn)行光刻膠本土量產(chǎn)的首次嘗試。在2019年經(jīng)歷與日本的光刻膠等關(guān)鍵原料的供應風(fēng)波之后，三星就在嘗試將關(guān)鍵原料的供應本土化，經(jīng)過(guò)三年的努力，韓國實(shí)現了光刻膠本地化生產(chǎn)。在日本限制出口、三星嘗試重構EUV光刻膠的供應鏈之后，東進(jìn)世美肯就已開(kāi)始研發(fā)EUV光刻膠，并在去年通過(guò)了三星的可靠性測試，隨后不到一年就被應用于三星的大規模生產(chǎn)線(xiàn)。不過(guò)，EUV光刻膠可用于3-50道程序，目前
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有多貴？ASML新EUV光刻機單臺硬件造價(jià)2500億：可買(mǎi)三臺頂級航母
- 都知道光刻機單臺成本非常的貴，但是你知道有多貴嗎？一臺數億美元的光刻機讓我們看到了一款硬件設備的價(jià)格極限，然而，ASML CEO Peter Wennink最新接受媒體采訪(fǎng)時(shí)透露，他們正在全力研制劃時(shí)代的新光刻機high-NA EUV設備，而高NA EUV光刻機系統的單臺造價(jià)將在300億到350億歐元之間，約合人民幣2195到2561億元。這個(gè)價(jià)格什么概念，一搜頂級航母的價(jià)格差不多在100億美元左右，而這臺硬件設備可以買(mǎi)三艘頂級航母，而ASML目前在售的雙工件臺EUV光刻機不過(guò)數億美元，作為下一代產(chǎn)品身價(jià)
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事關(guān)EUV光刻技術(shù)，中國廠(chǎng)商公布新專(zhuān)利
- 近日，據國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)消息，華為技術(shù)有限公司于11月15日公布了一項于光刻技術(shù)相關(guān)的專(zhuān)利，專(zhuān)利申請號為202110524685X。集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉移、加工和形成環(huán)節，決定著(zhù)集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內晶體管的數量，是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。隨著(zhù)半導體工藝向7nm及以下節點(diǎn)的推進(jìn)，極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術(shù)。相關(guān)技術(shù)的EUV光刻機中采用強相干光源在進(jìn)行光刻時(shí)，相干光經(jīng)照明系統分割成的多個(gè)子光束具有固定的相位關(guān)系，當
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美光：成功繞過(guò)了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準備。1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。一個(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱(chēng)，1β繞過(guò)了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。這意味著(zhù)相較于三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目前通過(guò)不斷縮小電路
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芯片巨頭美光：成功繞過(guò)了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準備?！ ?β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)?！ ∫粋€(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱(chēng)，1β繞過(guò)了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！ ∵@意味著(zhù)相較于三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目
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ASML：有望繼續向中國出貨非EUV光刻機
- 近期，全球半導體龍頭設備企業(yè)阿斯麥（ASML）、泛林（LAM）公布了其最新一季度財報，阿斯麥方面，最新一季度銷(xiāo)售額和利潤均超出市場(chǎng)預期，其新的凈預訂額也創(chuàng )下了紀錄。此外阿斯麥CEO Peter Wennink表示，ASML有望繼續向中國出貨非EUV光刻機；泛林方面，當季公司營(yíng)收創(chuàng )下歷史新高，官方表示，2023年晶圓廠(chǎng)設備支出將下滑。ASML：有望繼續向中國出貨非EUV光刻機10月19日，光刻機大廠(chǎng)阿斯麥公布了2022年第三季度財報。數據顯示，ASML第三季度凈營(yíng)收同比增長(cháng)10%至58億歐元，超出此前業(yè)界預
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半導體廠(chǎng)倚重EUV 先進(jìn)微影技術(shù)的強勁需求
- 微影設備業(yè)者ASML第一季已完成136臺極紫外光（EUV）曝光機出貨，累計超過(guò)7,000萬(wàn)片晶圓完成EUV曝光。隨著(zhù)EUV微影技術(shù)推進(jìn)，預期2025年之后新一代EUV曝光機每小時(shí)曝光產(chǎn)量可達220片以上，以因應客戶(hù)端先進(jìn)制程推進(jìn)至埃米（Angstrom）世代對先進(jìn)微影技術(shù)的強勁需求。雖然2023年半導體市況能見(jiàn)度低且不確定性高，但包括臺積電、英特爾、三星、SK海力士、美光等全球前五大半導體廠(chǎng)仍積極投資EUV產(chǎn)能，加上制程推進(jìn)會(huì )帶動(dòng)光罩層數增加，法人樂(lè )觀(guān)看好家登、帆宣、公準、意德士（等EUV概念股明年營(yíng)運將
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荷蘭光刻機巨頭大舉增加在華員工 背后有什么深意？
- 在美國拼命打壓中國之際，荷蘭光刻機巨頭ASML卻相反，根據該公司透露的消息，ASML今年將在中國招聘200多名員工，以跟上中國的增長(cháng)步伐，這意味著(zhù)ASML 在華員工人數已超過(guò) 1500 人，占ASML公司全球員工的14%。那么，ASML到底想干什么呢？首先，ASML公司是想賺錢(qián)，雖然臺積電、三星等買(mǎi)去了荷蘭ASML公司的大部分EUV光刻機，但ASML公司可以在中國銷(xiāo)售DUV等光刻機。而且，2021年ASML的第一大客戶(hù)就是中國大陸芯片企業(yè)，中國大陸芯片企業(yè)為ASML貢獻了超過(guò)290億美元，而中國臺灣和韓國
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泛林集團、Entegris 和 Gelest 攜手推進(jìn) EUV 干膜光刻膠技術(shù)的生態(tài)系統
- 泛林集團 (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 和三菱化學(xué)集團旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一項戰略合作，將為全球半導體制造商提供可靠的前體化學(xué)品，用于下一代半導體生產(chǎn)所需的、泛林突破性的極紫外 (EUV)干膜光刻膠創(chuàng )新技術(shù)。三方將合作對未來(lái)幾代邏輯和 DRAM 器件生產(chǎn)所使用的 EUV 干膜光刻膠技術(shù)進(jìn)行研發(fā)，這將有助于從機器學(xué)習和人工智能到移動(dòng)設備所有這些技術(shù)的實(shí)現。? ? ? ? ? ? ?
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卡脖子也沒(méi)用 國內廠(chǎng)商芯片新技術(shù)繞過(guò)EUV光刻機
- 毫無(wú)疑問(wèn)，如今國內芯片廠(chǎng)商面前最大的障礙就是EUV光刻機，不過(guò)EUV光刻機是研制先進(jìn)芯片的一條路徑，但并非唯一解。 對于國內廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，當前在3D NAND閃存的發(fā)展上，就因為不需要EUV機器，從而找到了技術(shù)追趕的機會(huì )。而在DRAM內存芯片領(lǐng)域，盡管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可來(lái)自浙江海寧的芯盟則開(kāi)辟出繞過(guò)EUV光刻的新方案。芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技術(shù)的3D 4F2 DRAM架構問(wèn)世。他指出，基于HITOC技術(shù)所開(kāi)發(fā)的全新架構3D 4F2 DRA
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ASML 分享 High-NA EUV 光刻機最新進(jìn)展：目標 2024-2025 年進(jìn)廠(chǎng)
- 5 月 29 日消息，半導體行業(yè)花了十多年的時(shí)間來(lái)準備極紫外線(xiàn) (EUV) 光刻技術(shù)，而新的高數值孔徑 EUV 光刻（High-NA EUV）技術(shù)將會(huì )比這更快。目前，最先進(jìn)的芯片是 4/5 納米級工藝，下半年三星和臺積電還能量產(chǎn) 3nm 技術(shù)，而對于使用 ASML EUV 光刻技術(shù)的 Twinscan NXE:3400C 及類(lèi)似系統來(lái)說(shuō)，它們大都具有 0.33 NA（數值孔徑）的光學(xué)器件，可提供 13 nm 分辨率。目前來(lái)看，這種分辨率尺寸對于 7 nm / 6 nm 節點(diǎn) (36 nm ~ 38 nm)
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首發(fā)“4nm” EUV工藝！Intel 14代酷睿真身曝光：GPU堪比獨顯
- Intel的12代酷睿處理器去年就已經(jīng)發(fā)布，首次上了性能+能效的異構設計，今年的13代酷睿代號Raptor Lake，下半年發(fā)布，屬于12代的改進(jìn)版，明年的14代酷睿Meteor Lake則會(huì )大改，升級Intel 4工藝，也是Intel首個(gè)EUV工藝?！ ?4代酷睿的架構也會(huì )大改，第一次采用非單一芯片設計，彈性集成多個(gè)小芯片模塊，包括下一代混合架構CPU、tGPU核顯引擎、AI加速單元，而且功耗非常低?！ ?4代酷睿Meteor Lake也會(huì )是Intel酷睿系列中首個(gè)大量使用3D Foveros混合封
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應用材料推出運用EUV延展2D微縮與3D環(huán)繞閘極晶體管技術(shù)
- 半導體設備大廠(chǎng)應用材料推出多項創(chuàng )新技術(shù)，協(xié)助客戶(hù)運用極紫外光（EUV）持續進(jìn)行2D微縮，并展示業(yè)界最完整的次世代3D環(huán)繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術(shù)組合。芯片制造商正試圖透過(guò)兩個(gè)可相互搭配的途徑來(lái)增加未來(lái)幾年的晶體管密度。一種是依循傳統摩爾定律的2D微縮技術(shù)，使用EUV微影系統與材料工程以縮小線(xiàn)寬。另一種是使用設計技術(shù)優(yōu)化（DTCO）與3D技術(shù)，巧妙地藉由優(yōu)化邏輯單元布局來(lái)增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網(wǎng)絡(luò )與環(huán)繞閘極晶體管，隨著(zhù)傳統2D微縮技
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ASML公司開(kāi)撕美國？光源技術(shù)不是根源，不交付EUV光刻機另有原因
- ASML公司雖然是荷蘭企業(yè)，但不少網(wǎng)友都把ASML公司“美”化了，這里的“美”指的是美國。在華為遭遇到芯片封鎖之前，中國半導體企業(yè)就曾向ASML公司支付了定金，采購了一臺EUV光刻機。然而，ASML公司卻遲遲沒(méi)有發(fā)貨，這也引起了網(wǎng)友的各種猜疑。眾所周知，全世界只有ASML公司能夠生產(chǎn)EUV光刻機，而一部EUV光刻機上就有超過(guò)10w的精密零件，各方面的技術(shù)也是來(lái)自全世界各國的頂尖技術(shù)。所以ASML公司的光刻機一直是供不應求。但明明已經(jīng)收了定金，10億一部的EUV光刻機，ASML公司為何有生意不做呢？大部分的
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euv介紹
在半導體行業(yè)，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。
極紫外光刻（英語(yǔ)：Extreme ultra-violet，也稱(chēng)EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長(cháng)的光刻技術(shù)。
EUV光刻采用波長(cháng)為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長(cháng)一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴展到32nm以下的特征尺寸。
根據瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長(cháng)可以提供極高 [ 查看詳細 ]
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