EUV光刻機“忙瘋了”

據市場(chǎng)消息，目前，ASML High NA EUV光刻機僅有兩臺，如此限量版的EUV關(guān)鍵設備必然無(wú)法滿(mǎn)足市場(chǎng)對先進(jìn)制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。

當地時(shí)間6月3日，全球最大的半導體設備制造商阿斯麥（ASML）宣布，攜手比利時(shí)微電子研究中心（IMEC），在荷蘭費爾德霍芬（Veldhoven）開(kāi)設聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗室（High NA EUV Lithography Lab），并由雙方共同運營(yíng)。

推動(dòng)摩爾定律關(guān)鍵因素：High NA EUV技術(shù)

據業(yè)界信息，High NA EUV技術(shù)是EUV技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。NA代表數值孔徑，表示光學(xué)系統收集和聚焦光線(xiàn)的能力。數值越高，聚光能力越好。通過(guò)升級將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學(xué)系統，High NA EUV光刻技術(shù)能夠大幅提高分辨率，從而有助于晶體管的進(jìn)一步微縮。

ASML的High NA EUV設備是芯片制造商制造2nm工藝節點(diǎn)芯片的必備設備，每臺設備的成本超過(guò)5000億韓元。據悉，ASML最先進(jìn)的高數值孔徑EUV設備的數值孔徑將從0.33提高到0.55，這意味著(zhù)設備可以繪制更精細的電路圖案。

ASML官網(wǎng)消息指出，經(jīng)過(guò)多年的構建和整合，該實(shí)驗室已準備好為領(lǐng)先的邏輯和存儲芯片制造商、以及先進(jìn)材料和設備供應商，提供第一臺原型高數值孔徑EUV掃描儀（TWINSCAN EXE：5000）以及周?chē)奶幚砗陀嬃抗ぞ摺?/p>

據介紹，0.55NA EUV掃描儀和基礎設施的準備工作始于2018年，在此之前，ASML和ZEISS（蔡司）已經(jīng)能夠開(kāi)發(fā)High NA EUV掃描儀專(zhuān)用解決方案，涉及光源、光學(xué)元件、鏡頭變形、拼接、降低景深、邊緣位置誤差和疊加精度。與此同時(shí)，IMEC與其擴展的供應商網(wǎng)絡(luò )緊密合作，準備了圖案化生態(tài)系統，包括開(kāi)發(fā)先進(jìn)的光刻膠和底層材料、光掩模、計量和檢測技術(shù)、（變形）成像策略、光學(xué)鄰近校正 (OPC) 以及集成圖案化和蝕刻技術(shù)。準備工作最近取得了首次曝光，首次展示了使用0.55NA EUV原型掃描儀在Veldhoven的金屬氧化物光刻膠 (MOR) 上印刷的10納米密集線(xiàn)條（20納米間距）。

此次聯(lián)合實(shí)驗室的開(kāi)放，被視為High-NA EUV技術(shù)大批量生產(chǎn)準備過(guò)程中的重要里程碑。業(yè)界預計，隨著(zhù)該技術(shù)的不斷成熟和普及，將在2025-2026年期間迎來(lái)大規模的量產(chǎn)應用。

IMEC總裁兼首席執行官Luc Van den hove表示，High-NA EUV是光學(xué)光刻領(lǐng)域的下一個(gè)里程碑，有望在一次曝光中對間距為20納米的金屬線(xiàn)/空間進(jìn)行圖案化，并支持下一代DRAM芯片。與現有的多圖案化0.33 NA EUV方案相比，這將提高產(chǎn)量并縮短周期時(shí)間，甚至減少二氧化碳排放量。因此，它將成為推動(dòng)摩爾定律進(jìn)入埃時(shí)代的關(guān)鍵推動(dòng)因素。

先進(jìn)制程競爭開(kāi)戰：光刻機“挺忙的”

在芯片制造中，先進(jìn)制程技術(shù)是當前行業(yè)研發(fā)的重點(diǎn)，掌握研發(fā)最新制程技術(shù)的大廠(chǎng)主要是臺積電、三星、英特爾，從三大廠(chǎng)的動(dòng)態(tài)來(lái)看，先進(jìn)制程研發(fā)之爭已開(kāi)啟。而光刻設備是芯片制造過(guò)程中的核心步驟，目前ASML是全球唯一掌握High-NA EUV技術(shù)的設備廠(chǎng)商，隨著(zhù)先進(jìn)制程芯片競爭日益升溫，各大廠(chǎng)瞄準EUV先進(jìn)設備開(kāi)始搶購。

從訂單情況來(lái)看，ASML財報顯示，今年第一季度公司新增訂單金額為36億歐元，其中6.56億歐元為EUV光刻機訂單。

這一局，英特爾率先搶下了ASML大部分的High NA EUV光刻機。據此前外媒消息，ASML截至2025上半年的高數值孔徑EUV（High-NA EUV）設備訂單由英特爾全部包攬。并在前不久英特爾宣布完成了ASML High-NA EUV光刻機設備組裝。這是ASML生產(chǎn)的首臺High NA EUV光刻機，價(jià)值高達3.5億歐元，英特爾計劃用該款設備生產(chǎn)1.8nm以下的先進(jìn)制程芯片。據了解，ASML還對外交付了第二臺High NA EUV光刻機，但未透露買(mǎi)家信息。

值得一提的是，ASML的訂單已超過(guò)了十幾臺，但EUV設備的最大客戶(hù)臺積電卻表示“不搶ASML新設備”。臺積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強此前表示，臺積電A16制程不一定要用阿斯麥（ASML）High-NA EUV?，F有EUV能力支持芯片生產(chǎn)到2026年底，屆時(shí)A16制程將根據目前藍圖推出。

三星電子方面，該公司聯(lián)合ASML共同投資1萬(wàn)億韓元在韓國建立新研發(fā)中心。該中心位于京畿道華城市ASML新園區前，將配備能夠實(shí)施亞2nm工藝的先進(jìn)高數值孔徑EUV光刻設備，并將成為ASML和三星電子工程師使用EUV設備進(jìn)行先進(jìn)半導體研發(fā)合作的場(chǎng)所。據此前動(dòng)態(tài)，三星電子已在A(yíng)SML韓國華城新園區附近新獲得了一塊場(chǎng)地，將于明年開(kāi)始建設，計劃在竣工時(shí)引進(jìn)[高數值孔徑]設備，預計最晚會(huì )在2027年完成。

三星電子還與ASML EUV光刻機組件供應商蔡司聯(lián)手，在EUV領(lǐng)域深化合作。公開(kāi)資料顯示，蔡司集團是全球唯一的極紫外（EUV）光系統供應商ASML Holding NV的光學(xué)系統唯一供應商。據透露，每臺EUV光刻機中包含了三萬(wàn)多個(gè)由蔡司提供的組件。

三星電子此前指出，其目標是引領(lǐng)3nm以下的微制造工藝技術(shù)，今年計劃采用EUV光刻技術(shù)量產(chǎn)第六代10納米DRAM芯片。未來(lái)，三星電子積極尋求到2025年實(shí)現2nm芯片商業(yè)化，到2027年實(shí)現1.4nm芯片商業(yè)化。