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EUV、3nm、GAA首次亮相，三星晶圓代工業(yè)務(wù)強勢進(jìn)軍中國市場(chǎng)
- 為進(jìn)一步提升在中國市場(chǎng)晶圓代工領(lǐng)域的競爭力，6月14日，三星電子在中國上海召開(kāi) “2018三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum 2018)”(SFF)，這是SFF首次在中國舉行，中國半導體市場(chǎng)的影響力可見(jiàn)一斑?！ ”敬握搲?，三星電子晶圓代工事業(yè)部戰略市場(chǎng)部部長(cháng)、副社長(cháng)裵永昌帶領(lǐng)主要管理團隊，介紹了晶圓代工事業(yè)部升級為獨立業(yè)務(wù)部門(mén)一年來(lái)的發(fā)展成果，以及未來(lái)發(fā)展路線(xiàn)圖和服務(wù)，首次發(fā)布了FinFET、GAA等晶體管構造與EUV曝光技術(shù)的使用計劃，以及3納米芯片高端工藝的發(fā)展路線(xiàn)圖，
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進(jìn)軍全球5G芯片市場(chǎng)，臺積電7納米EUV工藝聯(lián)發(fā)科M70明年發(fā)
- 聯(lián)發(fā)科高分貝宣布旗下首款5G Modem芯片，代號為曦力(Helio)M70的芯片解決方案將在2019年現身市場(chǎng)的動(dòng)作，臺面上或是為公司將積極進(jìn)軍全球5G芯片市場(chǎng)作熱身，但臺面下，已決定采用臺積電7納米EUV制程技術(shù)設計量產(chǎn)的M70 5G Modem芯片解決方案，卻是聯(lián)發(fā)科為卡位臺積電最新主力7納米制程技術(shù)產(chǎn)能，同時(shí)向蘋(píng)果(Apple)iPhone訂單招手的關(guān)鍵大絕，在高通(Qualcomm)還在三星電子(SAMSUNG)、臺積電7納米制程技術(shù)猶疑之間，聯(lián)發(fā)科已先一步表達忠誠，而面對高通、蘋(píng)果專(zhuān)利訟訴
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中芯1.2億美元下單最先進(jìn)EUV光刻機 如何躲過(guò)《瓦森納協(xié)定》的？
- 據《日經(jīng)亞洲評論》(Nikkei Asian Review)15日援引消息人士的話(huà)稱(chēng)，中國芯片加工企業(yè)中芯國際(SMIC)向全球最大的芯片設備制造商——荷蘭ASML訂購了首臺最先進(jìn)的EUV(極紫外線(xiàn))光刻機，價(jià)值1.2億美元。目前，業(yè)內已達成共識，必須使用EUV光刻機才能使半導體芯片進(jìn)入7nm，甚至5nm時(shí)代。今天，中芯國際方面對觀(guān)察者網(wǎng)表示，對此事不做評論?！ ∠⒎Q(chēng)，這臺幾乎相當于中芯國際去年全部?jì)衾麧櫟脑O備，將于2019年前交付?！ SML發(fā)言人對《日經(jīng)亞洲評論》表示，該企業(yè)對包括中國客戶(hù)在內
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中芯1.2億美元下單最先進(jìn)EUV光刻機,后續還得解決這些問(wèn)題…
- 據知情人士透露，中國最大的晶圓代工廠(chǎng)中芯國際已經(jīng)訂購了一臺EUV設備，在中美兩國貿易緊張的情況下，此舉旨在縮小與市場(chǎng)領(lǐng)先者的技術(shù)差距，確保關(guān)鍵設備的供應。EUV是當前半導體產(chǎn)業(yè)中最先進(jìn)也最昂貴的芯片制造設備。 中芯國際的首臺EUV設備購自荷蘭半導體設備制造商ASML，價(jià)值1.2億美元。盡管中芯目前在制造工藝上仍落后于臺積電等市場(chǎng)領(lǐng)導者兩到三代，此舉仍突顯了該公司幫助提升中國本土半導體制造技術(shù)的雄心壯志，也保證了在最先進(jìn)的光刻設備方面的供應。目前包括英特爾、三星、臺積電等巨頭都在購買(mǎi)該設備，以確保
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ASML載具供應商家登精密談中國EUV的發(fā)展，面臨諸多挑戰
- 載具對于曝光機發(fā)揮保護、運送和存儲光罩等功能十分重要。家登精密多年來(lái)致力于研究曝光機載具，并為全球最大的半導體設備制造商ASML提供載具相關(guān)技術(shù)。 我們主要研究EUV的配套技術(shù)，例如EUV的載具以及EUV的配套光罩，是7nm向5nm進(jìn)階的突破口。隨著(zhù)5nm技術(shù)的升級，EUV的重要性逐漸凸顯出來(lái)，而載具的研究也越發(fā)緊迫。過(guò)去幾年，家登精密一直專(zhuān)心做一件事，那就是載具的配套研究。去年，我們的技術(shù)產(chǎn)品已經(jīng)達到國際先進(jìn)水平，這是一個(gè)值得自豪的成績(jì)。未來(lái)，7nm工藝逐漸向5nm升級，技術(shù)的研究會(huì )越來(lái)越困難
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日媒：三星最高利潤背后的危機感
- 韓國三星電子2017財年(截至2017年12月)合并營(yíng)業(yè)利潤創(chuàng )下歷史新高，但其危機感正在加劇。三星1月31日發(fā)布的財報顯示，營(yíng)業(yè)利潤同比增長(cháng)83%，其中僅半導體業(yè)務(wù)盈利就增至上年的2.6倍，約合3.5萬(wàn)億日元，顯著(zhù)依賴(lài)市場(chǎng)行情，因此危機感增強。3大主要部門(mén)面臨著(zhù)半導體增長(cháng)放緩等課題。三星能否在新經(jīng)營(yíng)團隊的領(lǐng)導下，將智能手機和電視機的自主技術(shù)培育成新的收益源? 2018財年將成為試金石。 三星整體的營(yíng)業(yè)利潤為53.65萬(wàn)億韓元，時(shí)隔4年再創(chuàng )歷史新高。其中，半導體部門(mén)的服務(wù)器和智能手機存儲銷(xiāo)量堅挺，
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EUV微影前進(jìn)7nm制程，5nm仍存在挑戰
- EUV微影技術(shù)將在未來(lái)幾年內導入10奈米(nm)和7nm制程節點(diǎn)。 不過(guò)，根據日前在美國加州舉辦的ISS 2018上所發(fā)布的分析顯示，實(shí)現5nm芯片所需的光阻劑仍存在挑戰。 極紫外光(extreme ultraviolet;EUV)微影技術(shù)將在未來(lái)幾年內導入10奈米(nm)和7nm制程節點(diǎn)。 不過(guò)，根據日前在美國加州舉辦的年度產(chǎn)業(yè)策略研討會(huì )(Industry Strategy Symposium;ISS 2018)所發(fā)布的分析顯示，實(shí)現5nm芯片所需的光阻劑(photoresist)仍存在挑戰。
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4nm大戰,三星搶先導入將EUV,研發(fā)GAAFET
- 晶圓代工之戰，7nm制程預料由臺積電勝出，4nm之戰仍在激烈廝殺。 Android Authority報道稱(chēng)，三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設備，又投入研發(fā)能取代「鰭式場(chǎng)效晶體管」(FinFET)的新技術(shù)，目前看來(lái)似乎較占上風(fēng)。 Android Authority報導，制程不斷微縮，傳統微影技術(shù)來(lái)到極限，無(wú)法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長(cháng)更短的EUV， 才能準確刻蝕電路圖。 5nm以下制程，EUV是必備工具。 三星明年生產(chǎn)7nm時(shí)，就會(huì )率先采用EUV，這有如讓三星在6nm以下的競
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EUV或將決定半導體產(chǎn)業(yè)方向，通快加緊布局
- 近日，TRUMPF公司CTO及股東Peter Leibinger在談到令人著(zhù)迷的激光創(chuàng )新時(shí)重點(diǎn)提及極紫外光刻，也就是我們常說(shuō)的EUV。他認為，EUV令人著(zhù)迷的原因是其極富挑戰性及對世界的重要影響。 Peter Leibinger “如果我們無(wú)法實(shí)現EUV突破，摩爾定律將失效” Peter Leibinger表示：“其影響范圍不僅僅是芯片行業(yè)，智能手機產(chǎn)業(yè)乃至整個(gè)電子裝備產(chǎn)業(yè)都將改變運作方式。” 什么是EUV? 極紫外光刻(Ex
- 關(guān)鍵字： TRUMPF EUV
EUV面臨的問(wèn)題和權衡
- 新的光刻工具將在5nm需要，但薄膜，阻抗和正常運行時(shí)間仍然存在問(wèn)題。 Momentum正在應用于極紫外(EUV)光刻技術(shù)，但這個(gè)談及很久的技術(shù)可以用于批量生產(chǎn)之前，仍然有一些主要的挑戰要解決。 EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過(guò)去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節點(diǎn)推向下一個(gè)階段。 如今，GlobalFoundries，英特爾，三星和臺積電相互競爭，將EUV光刻插入到7nm和/或5nm的大容量
- 關(guān)鍵字： EUV
Brewer Science 為領(lǐng)先制造廠(chǎng)商提供關(guān)鍵性的半導體材料
- Brewer Science, Inc. 很榮幸宣布參加 2017 年的 SEMICON Taiwan。公司將與業(yè)界同仁交流臺灣半導體制造趨勢的見(jiàn)解，內容涵蓋前端和后端的材料，以及次世代制造的流程步驟?！ 〗袢盏南M性電子產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò )、高效能運算 (HPC) 和汽車(chē)應用皆依賴(lài)封裝為小型尺寸的半導體裝置，其提供更多效能與功能，同時(shí)產(chǎn)熱更少且操作時(shí)更省電。透過(guò)摩爾定律推動(dòng)前端流程開(kāi)發(fā)，領(lǐng)先的代工和整合組件制造商(IDM
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euv介紹
在半導體行業(yè)，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。
極紫外光刻（英語(yǔ)：Extreme ultra-violet，也稱(chēng)EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長(cháng)的光刻技術(shù)。
EUV光刻采用波長(cháng)為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長(cháng)一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴展到32nm以下的特征尺寸。
根據瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長(cháng)可以提供極高 [ 查看詳細 ]
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