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雪佛蘭Bolt EV/EUV在電池起火召回后終于宣布恢復生產(chǎn)
- 通用汽車(chē)(GM)已經(jīng)恢復了2022款雪佛蘭Bolt EV和EUV的生產(chǎn)，現在它們可以獲得新電池組的供應，而這些電池組應該不會(huì )有火災隱患。此前，雪佛蘭Bolt因潛在的電池火災而被召回，該次召回影響到了所有的車(chē)型，導致Bolt EV和EUV汽車(chē)的生產(chǎn)自去年8月起完全凍結?！拔覀兊哪繕耸腔謴筒⑻孤实卣f(shuō)超過(guò)業(yè)務(wù)指標，”雪佛蘭營(yíng)銷(xiāo)副總裁Steve Majoros在昨日的新聞電話(huà)會(huì )議上說(shuō)道。Bolt的復出計劃包括趕上新的2022款Bolt EV和EUV訂單（2023年的訂單將于7月開(kāi)始）、將在MLB開(kāi)幕日投放的新電視
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阿斯麥CEO：不賣(mài)EUV給中國大陸“是政府們的選擇”
- （原標題：光刻機巨頭阿斯麥CEO：不賣(mài)EUV給中國大陸“是政府們的選擇”）【文/觀(guān)察者網(wǎng) 呂棟】“這不是我們的選擇，而是政府們（《瓦森納協(xié)定》成員國）的選擇?！比涨?，荷蘭光刻機巨頭阿斯麥CEO溫彼得再次就向中國大陸出口EUV光刻機一事解釋道。他今年1月曾表示，中國不太可能獨立復制出（replicate）頂尖的光刻技術(shù)，但也別那么絕對，“他們肯定會(huì )嘗試”。觀(guān)察者網(wǎng)注意到，由于最先進(jìn)的EUV設備無(wú)法向中國大陸出口，溫彼得自2021年以來(lái)曾多次發(fā)聲。2021年4月，他曾喊話(huà)美國政府，對華出口管制不僅不能阻礙中國
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ASML：努力向中國提供一切能夠提供的技術(shù)
- 芯片行業(yè)一直是困擾全球的“卡脖子”領(lǐng)域，而其中核心的光刻機技術(shù)被幾家公司牢牢的攥在手里。想要在芯片領(lǐng)域有長(cháng)足的進(jìn)步，光刻機這種核心設備就要有所突破。而之前美國通過(guò)自身在全球市場(chǎng)的控制能力，通過(guò)修改法案等手段一直將光刻機設備和技術(shù)限制對中國進(jìn)行輸出。但近期光刻機頭部企業(yè)ASML則明確表態(tài)將會(huì )盡其所能向中國市場(chǎng)提供一切他們能夠提供的技術(shù)，其中DUV光刻機將會(huì )不需要認可許可即可向中方企業(yè)提供。ASML光刻機除此之外，ASML表示在當前法律框架之下，他們除了EUV光刻機無(wú)法向中方企業(yè)提供，其他產(chǎn)品都可以正常發(fā)售。
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單臺1.5億美元 ASML制造新一代EUV光刻機
- 據《連線(xiàn)》雜志報道，在美國康涅狄格州郊區的一間潔凈室中，ASML的工程師們正在為一臺單臺造價(jià)1.5億美元的新機器制造關(guān)鍵部件，該部件是新一代EUV系統的組成部分，會(huì )采用一些新技術(shù)來(lái)最大限度地減少其使用的光波長(cháng)，包括縮小芯片的特征尺寸并提升性能。ASML的工程師正在裝配系統組件（圖片來(lái)自ASML） 要知道，當前的EUV機器已經(jīng)像一輛公共汽車(chē)那么大，包含10萬(wàn)個(gè)零部件和兩公里長(cháng)的電纜，運輸這些組件需要40個(gè)貨運集裝箱、三架貨機和20輛卡車(chē)，能夠買(mǎi)得起這種設備的公
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阿斯麥的新一代EUV光刻機：造價(jià)1.5億美元 公共汽車(chē)大小
- 9月2日消息，荷蘭阿斯麥的新一代極紫外（EUV）光刻機每臺有公共汽車(chē)大小，造價(jià)1.5億美元。其前所未有的精度可以讓芯片上的元件尺寸在未來(lái)幾年繼續縮小?！ ≡谖挥诿绹的腋裰萁紖^的一間大型潔凈室里，工程師們已經(jīng)開(kāi)始為一臺機器制造關(guān)鍵部件，這臺機器有望讓芯片制造行業(yè)沿著(zhù)摩爾定律至少再走上10年時(shí)間?！ ∵@臺極紫外光刻機是由荷蘭阿斯麥公司制造的。阿斯麥于2017年推出世界上第一臺量產(chǎn)的極紫外光刻機，在芯片制造領(lǐng)域發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用，已經(jīng)被用于制造iPhone手機芯片以及人工智能處理器等最先進(jìn)的芯片。阿斯
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美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節點(diǎn)導入
- 三星、SK海力士及美光確定未來(lái)會(huì )用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來(lái)會(huì )用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪(fǎng)中確認，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節點(diǎn)開(kāi)始導入。美光EUV工藝DRAM將會(huì )先在臺中A3廠(chǎng)生產(chǎn)，預
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EUV技術(shù)開(kāi)啟DRAM市場(chǎng)新賽程
- SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內存芯片生產(chǎn)中應用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應用EUV。根據SK海力士的說(shuō)法，比起前一代規格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開(kāi)始供應給智能手機制造商，并且還將在2022年初開(kāi)始生產(chǎn)的DDR5芯片中應用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內存芯片，批量生產(chǎn)采用
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為什么ASML加速來(lái)華？
- 芯片雖小，制造難度卻很大，而且芯片制造的關(guān)鍵設備光刻機的缺乏，更是成為限制我國高端芯片的一大難題。尤其是近兩年華為事件的不斷發(fā)酵，讓我國半導體芯片領(lǐng)域的問(wèn)題越加明顯，那就是在芯片制造的設備上，我國依然受制于人的問(wèn)題相當嚴重。為什么ASML加速來(lái)華？北大教授的發(fā)聲很現實(shí)，國產(chǎn)光刻機突破在即雖然華為研發(fā)出基于5nm工藝的麒麟9000芯片，令一眾對手刮目相看，但是沒(méi)有臺積電為其代工生產(chǎn)，沒(méi)有屬于中國自己的高端光刻機，就等同于一張“紙老虎”。作為中國大陸最先進(jìn)的芯片制造企業(yè)中芯國際，因為沒(méi)有高端光刻機，至今仍然沒(méi)
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三星有意在美國建5nm EUV芯片廠(chǎng) 巨額投資
- 據韓媒援引業(yè)內人士消息，三星電子已決定在美國得克薩斯州奧斯丁設立EUV半導體工廠(chǎng)，以滿(mǎn)足日益增長(cháng)的小型芯片需求和美國重振半導體計劃。該工廠(chǎng)將采用5nm制程，計劃于今年Q3開(kāi)工，2024年投產(chǎn)，預計耗資180億美元，同時(shí)也是三星電子首次在韓國之外設立EUV產(chǎn)線(xiàn)。去年，臺積電去宣布將在美國建設芯片工廠(chǎng)，建成之后將采用5nm工藝為相關(guān)的客戶(hù)代工芯片，目標是2024年投產(chǎn)。最新消息稱(chēng)，臺積電管理層目前正在討論，他們在美國的下一座芯片工廠(chǎng)，是否采用更先進(jìn)的3nm制程工藝，為相關(guān)的客戶(hù)代工芯片。
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阿斯麥已生產(chǎn)的極紫外光刻機 70%賣(mài)給了臺積電
- 本周一，外媒援引韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部一份有關(guān)半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰略文件報道稱(chēng)，光刻機制造商阿斯麥將投資2.12億美元，在京畿道華城建設極紫外光刻機再制造廠(chǎng)和培訓中心。在報道阿斯麥將在華城建設極紫外光刻機再制造廠(chǎng)和培訓中心時(shí)，外媒還提到，雖然三星電子、SK海力士已引進(jìn)了阿斯麥生產(chǎn)的極紫外光刻機，但他們獲得的數量同臺積電相比，有不小的差距?！ ⊥饷皆趫蟮乐刑岬?，阿斯麥目前已生產(chǎn)的極紫外光刻機，70%是賣(mài)給了臺積電，留給其他廠(chǎng)商的就只有30%?！ “⑺果準悄壳叭蛭ㄒ荒苤圃鞓O紫外光刻機的廠(chǎng)商，他們已推出了TWIN
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不用EUV光刻機就搞定類(lèi)7nm工藝？中芯國際回應
- 做為國內最大也是最先進(jìn)的半導體制造公司，中芯國際在先進(jìn)工藝上的進(jìn)展引人關(guān)注，其中7nm及以下節點(diǎn)非常重要，這還牽涉到EUV光刻機?！ ∪涨坝泄擅裨诨?dòng)平臺上詢(xún)問(wèn)，稱(chēng)有報道指出中芯國際不用EUV光刻就攻克了類(lèi)7nm工藝，要求中芯國際澄清?！ Υ?，中芯國際表示，公司不針對傳言進(jìn)行評論?！ 闹行緡H官網(wǎng)的介紹來(lái)看，該公司提到的最先進(jìn)工藝還是14nm，接下來(lái)的是N+1、N+2工藝，但沒(méi)有指明具體的工藝節點(diǎn)?！ ≈行緡H聯(lián)合CEO趙海軍曾表示，經(jīng)過(guò)三年的積累，FinFET工藝已經(jīng)取得了不錯的成績(jì)，N+1已經(jīng)
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ASML澄清與中芯國際交易EUV與DUV光刻機一字之差大不同
- 近日，中芯國際與ASML達成12億美元交易購買(mǎi)晶圓生產(chǎn)設備的消息引發(fā)關(guān)注。針對雙方此次合作，有媒體報道稱(chēng)“除了EUV光刻機，中芯國際幾乎可以買(mǎi)到其他所有型號的光刻機?！钡沁@一說(shuō)法很快被ASML官方澄清，該協(xié)議與DUV光刻技術(shù)的現有協(xié)議相關(guān)?！ 】赡芎芏嗑W(wǎng)友看到這里有點(diǎn)蒙圈，這繞來(lái)繞去的到底是玩的什么文字游戲。這里先進(jìn)行一個(gè)小科普，EUV和DUV到底有啥區別呢？EUV也就是“極深紫外線(xiàn)”的意思，而DUV是“深紫外線(xiàn)”的意思，通過(guò)字面就知道EUV看上去就比DUV高級，實(shí)際上也是如此?！ SML澄清與中
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euv介紹
在半導體行業(yè)，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。
極紫外光刻（英語(yǔ)：Extreme ultra-violet，也稱(chēng)EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長(cháng)的光刻技術(shù)。
EUV光刻采用波長(cháng)為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長(cháng)一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴展到32nm以下的特征尺寸。
根據瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長(cháng)可以提供極高 [ 查看詳細 ]
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