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英特爾巨資升級美國D1X晶圓廠(chǎng)，上馬7nm EUV工藝
- 12月中旬英特爾宣布擴建美國俄勒岡州以及以色列、愛(ài)爾蘭的晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能。英特爾這次的產(chǎn)能擴張計劃有對應14nm的，但是并不是應急用的，也有面向未來(lái)工藝的，其中俄勒岡州的D1X晶圓廠(chǎng)第三期工程就是其中之一，未來(lái)英特爾的7nm EUV處理器會(huì )在這里生產(chǎn)?！ ?018年下半年英特爾忽然出現了14nm產(chǎn)能不足的危機，這件事已經(jīng)影響了CPU、主板甚至整個(gè)PC行業(yè)的增長(cháng)，官方也承認了14nm產(chǎn)能供應短缺，并表示已經(jīng)增加了額外的15億美元支出擴建產(chǎn)能。12月中旬英特爾宣布擴建美國俄勒岡州以及以色列、愛(ài)爾蘭的晶圓廠(chǎng)產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 晶圓 EUV
EUV需求巨大！ASML最新財報顯示今年將出貨30臺
- 荷蘭當地時(shí)間1月23日，ASML發(fā)布了去(2018)年第四季度及全年的業(yè)績(jì)報告?！ 蟾嬷赋?，去年第四季度凈銷(xiāo)售額為31億歐元，凈收入為7.88億歐元，毛利率為44.3%?！ 【唧w來(lái)看，ASML指出，DUV光刻業(yè)務(wù)中，存儲客戶(hù)的需求使得TWINSCAN NXT:2000i保持著(zhù)持續增長(cháng)。同時(shí)ASML也提高了該產(chǎn)品的可靠性，據了解，上一代產(chǎn)品需要六個(gè)月才能達到高可靠性，而該產(chǎn)品僅用了兩個(gè)月?！ ∪ツ耆?，ASML凈銷(xiāo)售額為109億歐元，凈收入為26億歐元?！ ≈档米⒁獾氖?，ASML已與尼康簽署了諒解
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全面起底ASML的EUV光刻技術(shù)
- 用于高端邏輯半導體量產(chǎn)的EUV(Extreme Ultra-Violet，極紫外線(xiàn)光刻)曝光技術(shù)的未來(lái)藍圖逐漸“步入”我們的視野，從7nm階段的技術(shù)節點(diǎn)到今年(2019年，也是從今年開(kāi)始)，每2年~3年一個(gè)階段向新的技術(shù)節點(diǎn)發(fā)展?！ 「叨诉壿嫲雽w的技術(shù)節點(diǎn)和對應的EUV曝光技術(shù)的藍圖?！ ∫簿褪钦f(shuō)，在EUV曝光技術(shù)的開(kāi)發(fā)比較順利的情況下，5nm的量產(chǎn)日程時(shí)間會(huì )大約在2021年，3nm的量產(chǎn)時(shí)間大約在2023年。關(guān)于更先進(jìn)的2nm的技術(shù)節點(diǎn)，還處于模糊階段，據預測，其量產(chǎn)時(shí)間最快也是在2026
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Imec與ASML聯(lián)手，EUV成主流技術(shù)工具
- 日前，有消息稱(chēng)，比利時(shí)研究機構Imec和微影設備制造商ASML計劃成立一座聯(lián)合研究實(shí)驗室，共同探索在后3nm邏輯節點(diǎn)的奈米級元件制造藍圖。此次雙方這項合作是一項為期五年計劃的一部份，分為兩個(gè)階段： 首先是開(kāi)發(fā)并加速極紫外光(EUV)微影技術(shù)導入量產(chǎn)，包括最新的EUV設備準備就緒?！ ∑浯螌⒐餐剿飨乱淮邤抵悼讖?NA)的EUV微影技術(shù)潛力，以便能夠制造出更小型的奈米級元件，從而推動(dòng)3nm以后的半導體微縮?！ O紫外光(EUV)微影技術(shù) EUV光刻也叫極紫外光刻，它以波長(cháng)為10-14 nm的極紫外
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三星促使EUV制程技術(shù)走紅，遵循摩爾定律方向發(fā)展
- 繼聯(lián)電在2017年進(jìn)行高階主管大改組，并宣布未來(lái)經(jīng)營(yíng)策略將著(zhù)重在成熟制程之后，格芯也在新執行長(cháng)Tom Caulfield就任半年多后，于日前宣布無(wú)限期暫緩7nm制程研發(fā)，并將資源轉而投入在相對成熟的制程服務(wù)上?！ ∫隕UV工藝是半導體7nm工藝的關(guān)鍵轉折點(diǎn) 眾所周知，目前半導體領(lǐng)域，7nm工藝是一個(gè)重要節點(diǎn)。而7nm工藝是半導體制造工藝引入EUV技術(shù)的關(guān)鍵轉折，這是摩爾定律可以延續到5nm以下的關(guān)鍵，引入EUV工藝可以大幅提升性能，縮減曝光步驟、光罩數量等制造過(guò)程，節省時(shí)間和成本?！ 〔贿^(guò)引入EU
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5nm技術(shù)指日可待，EUV技術(shù)有重磅突破
- 全球一號代工廠(chǎng)臺積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶(hù)芯片的流片工作，二是5nm工藝將在2019年4月開(kāi)始試產(chǎn)。今年4月開(kāi)始，臺積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產(chǎn)，蘋(píng)果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或將會(huì )使用它制造，但仍在使用傳統的深紫外光刻(DUV)技術(shù)?！ 《酉聛?lái)的第二代7nm工藝(CLNFF+/N7+)，臺積電將首次應用EUV，不過(guò)僅限四個(gè)非關(guān)鍵層，以降低風(fēng)險、加速投產(chǎn)，也借
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拚不過(guò)對手 英特爾放棄搶推EUV？
- 引領(lǐng)技術(shù)開(kāi)發(fā)的少數芯片制造商認定，極紫外光(EUV)微影技術(shù)將在明年使得半導體元件的電晶體密度更進(jìn)一步向物理極限推進(jìn)，但才剛失去全球半導體產(chǎn)業(yè)龍頭寶座的英特爾(Intel)，似乎放棄了繼續努力在采用EUV的腳步上領(lǐng)先;該公司在1990年代末期曾是第一批開(kāi)始發(fā)展EUV的IC廠(chǎng)商?！ ≡请娮庸こ處煹氖袌?chǎng)研究機構Bernstein分析師Mark Li表示，英特爾不會(huì )在短時(shí)間內導入EUV，該公司仍在克服量產(chǎn)10納米制程的困難，因此其7納米制程還得上好幾年，何時(shí)會(huì )用上EUV更是個(gè)大問(wèn)題?！ ≡诖送瑫r(shí)，三星(S
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Entegris EUV 1010光罩盒展現極低的缺陷率，已獲ASML認證
- 業(yè)界領(lǐng)先的特種化學(xué)及先進(jìn)材料解決方案的公司Entegris(納斯達克：ENTG)日前發(fā)布了下一代EUV 1010光罩盒，用于以極紫外(EUV)光刻技術(shù)進(jìn)行大批量IC制造。Entegris的EUV 1010是與全球最大的芯片制造設備制造商之一的ASML密切合作而開(kāi)發(fā)的，已在全球率先獲得ASML的認證，用于NXE:3400B等產(chǎn)品?！ ‰S著(zhù)半導體行業(yè)開(kāi)始更多地使用EUV光刻技術(shù)進(jìn)行先進(jìn)技術(shù)制程的大批量制造(HVM)，對EUV光罩無(wú)缺陷的要求比以往任何時(shí)候都要嚴格。Entegris的EUV 1010光罩盒已
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euv介紹
在半導體行業(yè)，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。
極紫外光刻（英語(yǔ)：Extreme ultra-violet，也稱(chēng)EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長(cháng)的光刻技術(shù)。
EUV光刻采用波長(cháng)為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長(cháng)一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴展到32nm以下的特征尺寸。
根據瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長(cháng)可以提供極高 [ 查看詳細 ]
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