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EUV微影技術(shù)準備好了嗎？
- 又到了超紫外光(EUV)微影技術(shù)的關(guān)鍵時(shí)刻了?？v觀(guān)整個(gè)半導體發(fā)展藍圖，研究人員在日前舉辦的IMEC技術(shù)論壇(ITF)上針對EUV微影提出了各種大大小小即將出現的挑戰。 到了下一代的10nm節點(diǎn)，降低每電晶體成本將會(huì )變得十分棘手。更具挑戰性的是在7nm節點(diǎn)時(shí)導入EUV微影。更進(jìn)一步來(lái)看，當擴展到超越5nm節點(diǎn)時(shí)可能就需要一種全新的晶片技術(shù)了。 目前最迫在眉睫的是中期挑戰。如果長(cháng)久以來(lái)一直延遲的EUV微影系統未能在2017年早期就緒的話(huà)，7nm制程將會(huì )成為一個(gè)昂貴的半節點(diǎn)。 不過(guò)，研究人
- 關(guān)鍵字： EUV SanDisk
EUV將在7納米節點(diǎn)發(fā)威？
- 核心提示：荷蘭半導體設備大廠(chǎng) ASML 現在勉為其難地承認了其客戶(hù)私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數半導體廠(chǎng)商仍將采用傳統浸潤式微影技術(shù)來(lái)生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過(guò)這恐怕將使得10奈米節點(diǎn)因為無(wú)法壓低每電晶體成本，而成為不受歡迎的制程。 荷蘭半導體設備大廠(chǎng) ASML 現在勉為其難地承認了其客戶(hù)私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數半導體廠(chǎng)商仍將采用傳統浸潤式微影技術(shù)來(lái)生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過(guò)這恐怕將使得
- 關(guān)鍵字： EUV 7納米
KLA-Tencor推出Teron? SL650 光罩檢測系統
- KLA-Tencor 公司(納斯達克股票代碼：KLAC)宣布推出 Teron? SL650，該產(chǎn)品是專(zhuān)為集成電路晶圓廠(chǎng)提供的一種新型光罩質(zhì)量控制解決方案，支持 20nm 及更小設計節點(diǎn)。Teron SL650 采用 193nm光源及多種 STARlight? 光學(xué)技術(shù)，提供必要的靈敏度和靈活性，以評估新光罩的質(zhì)量，監控光罩退化，并檢測影響成品率的光罩缺陷，例如在有圖案區和無(wú)圖案區的晶體增長(cháng)或污染。此外，Teron SL650 擁有業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)能，可支持更快的生產(chǎn)周期，以滿(mǎn)足檢驗
- 關(guān)鍵字： KLA-Tencor SL650 EUV
EUV光刻技術(shù)或助力芯片突破摩爾定律
- 據美國科技博客Business Insider報道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著(zhù)摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅定不移地延續著(zhù)摩爾定律的魔力。 摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng )始人GordonMoore提出，內容為：當價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的晶體管數目，約每隔18個(gè)月便會(huì )增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買(mǎi)到的電腦性能，將每隔18個(gè)月翻兩倍以上。這一定律揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度。 在幾十年來(lái)，芯片技術(shù)得以快速變革和發(fā)展，變得更加強大，節省了更
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ASML提升新EUV機臺技術(shù)生產(chǎn)效率
- 微影設備大廠(chǎng)ASML積極提升極紫外線(xiàn)(EUV)機臺技術(shù)的生產(chǎn)效率，在2012年購并光源供應商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達55瓦，每小時(shí)晶圓產(chǎn)出片數為43片，預計2013年底前，可達到80瓦的目標，2015年達250瓦、每小時(shí)產(chǎn)出125片。 半導體生產(chǎn)進(jìn)入10納米后，雖然可采用多重浸潤式曝光方式，但在一片晶圓上要進(jìn)行多次的微影制程曝光，將導致生產(chǎn)流程拉長(cháng)，成本會(huì )大幅墊高，半導體大廠(chǎng)為
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ASML：量產(chǎn)型EUV機臺2015年就位
- 極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統浸潤式微影技術(shù)在半導體制程邁入1x奈米節點(diǎn)后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設備供應商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠(chǎng)，合力改良EUV光源功率與晶圓產(chǎn)出速度，預計2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機臺。 ASML亞太區技術(shù)行銷(xiāo)協(xié)理鄭國偉提到，ASML雖也同步投入E-Beam基礎研究，但目前對相關(guān)設備的開(kāi)發(fā)計劃仍抱持觀(guān)望態(tài)度。 ASML亞太區技術(shù)行銷(xiāo)協(xié)理鄭國偉表示，ASML于2012年
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全球半導體代工業(yè)正孕育惡戰
- 5月7日消息，全球代工市場(chǎng)規模繼2011年增長(cháng)7%，達328億美元之后，2012年再度增長(cháng)16%，達到393億美元，預計2013年還將有14%的增長(cháng)。 臺積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著(zhù)英特爾開(kāi)始接受Altera的14nm FPGA訂單，明顯在與臺積電搶單，兩大半導體巨頭開(kāi)始出現較為明顯的碰撞。目前，臺積電已誓言將加速發(fā)展先進(jìn)制程技術(shù)，希望在10nm附近全面趕上英特爾。 而另一家代工廠(chǎng)格羅方德近日也發(fā)出聲音，要在兩年內，在工藝制程方面趕上臺積電。
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Intel：14nm進(jìn)展順利 一兩年后量產(chǎn)
- Intel CTO Justin Rattner近日對外披露說(shuō)，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計劃順利進(jìn)行，會(huì )在一到兩年內投入量產(chǎn)。 2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項新工藝的開(kāi)發(fā)，并為其投產(chǎn)擴大對俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛(ài)爾蘭Fab 24等晶圓廠(chǎng)的投資，因此量產(chǎn)要等到2014年了。 而從2015年開(kāi)始，Intel又會(huì )陸續進(jìn)入10nm、7nm、5nm等更新工藝節點(diǎn)。 Rattner指出，Intel
- 關(guān)鍵字： Intel 晶圓 EUV
MIT研究顯示電子束光刻可達9納米精度
- 美國麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結果，這一進(jìn)展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術(shù)展開(kāi)競爭提供了動(dòng)力。盡管EUV光刻技術(shù)目前在商業(yè)化方面領(lǐng)先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術(shù)，但EUV光刻還面臨一些棘手的問(wèn)題，如強光源和光掩膜保護膜等，而采用電子束“光刻”則不會(huì )存在這些問(wèn)題。
- 關(guān)鍵字： 光刻 EUV
光源問(wèn)題仍是EUV光刻技術(shù)中的難題
- GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專(zhuān)家Obert Wood在最近召開(kāi)的高級半導體制造技術(shù)會(huì )議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問(wèn)題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過(guò)程中最“忐忑”的因素。
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euv介紹
在半導體行業(yè)，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。
極紫外光刻（英語(yǔ)：Extreme ultra-violet，也稱(chēng)EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長(cháng)的光刻技術(shù)。
EUV光刻采用波長(cháng)為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長(cháng)一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術(shù)擴展到32nm以下的特征尺寸。
根據瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長(cháng)可以提供極高 [ 查看詳細 ]
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