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3nm finfet 文章 進(jìn)入3nm finfet技術(shù)社區
臺積電宣布2023年投產(chǎn)3nm Plus工藝：蘋(píng)果首發(fā)
- 臺積電在新工藝方面真是猶如一頭猛獸，無(wú)可阻擋(當然取消優(yōu)惠也攔不住)，今年已經(jīng)量產(chǎn)5nm工藝，而接下來(lái)的重大節點(diǎn)就是3nm，早已宣布會(huì )在2022年投入規模量產(chǎn)。今天，臺積電又宣布，將會(huì )在2023年推出3nm工藝的增強版，命名為“3nm Plus”，首發(fā)客戶(hù)是蘋(píng)果。如果蘋(píng)果繼續一年一代芯片，那么到2023年使用3nm Plus工藝的，將會(huì )是“A17”。臺積電沒(méi)有透露3nm Plus相比于3nm有何變化，但是顯然會(huì )有更高的晶體管密度、更低的功耗、更高的運行頻率。按照臺積電的說(shuō)法，3nm工藝相比于5nm可帶來(lái)最
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新思科技與GF合作為12LP+FinFET解決方案開(kāi)發(fā)DesignWare IP產(chǎn)品組合
- 要點(diǎn)： 用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產(chǎn)品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等 兩家公司之間的長(cháng)期合作已成功實(shí)現了DesignWare IP核從180納米到12納米的開(kāi)發(fā)，可應用于廣泛領(lǐng)域新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）今日宣布與GLOBALFOUNDRIES?（GF?）開(kāi)展合作，開(kāi)發(fā)用于G
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外媒：臺積電3nm工藝有望獲得英特爾訂單
- 9月28日消息，據國外媒體報道，在此前的報道中，外媒曾提到，考慮由其他廠(chǎng)商代工芯片的英特爾，已經(jīng)將2021年18萬(wàn)片晶圓GPU的代工訂單交給了臺積電，將采用后者的6nm工藝。而外媒最新的報道顯示，除了18萬(wàn)片晶圓GPU的代工訂單，臺積電尚未投產(chǎn)的3nm工藝，也有望獲得英特爾的訂單。外媒在報道中表示，臺積電的3nm工藝準備了4波產(chǎn)能，首波產(chǎn)能中的大部分將留給大客戶(hù)蘋(píng)果，后3波產(chǎn)能也將被眾多廠(chǎng)商預訂，其中就包括英特爾。產(chǎn)能預訂者中將有英特爾，也就意味著(zhù)在外媒看來(lái)，臺積電的3nm工藝，將獲得英特爾的訂單。不過(guò)，
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華為無(wú)緣：消息稱(chēng)臺積電3nm首波產(chǎn)能基本都是蘋(píng)果的
- 對于華為來(lái)說(shuō)，美國將禁令升級后，對它們自研麒麟芯片打擊是最直接的，也難怪余承東會(huì )說(shuō)，麒麟9000（基于臺積電5nm工藝）會(huì )是華為高端芯片的絕版。據最新消息稱(chēng)，在5nm工藝大規模投產(chǎn)之后，臺積電將投產(chǎn)的下一代重大芯片制程工藝，就將是3nm，目前正在按計劃推進(jìn)，計劃在2021年開(kāi)始風(fēng)險試產(chǎn)，2022年下半年大規模投產(chǎn)。據悉，臺積電3nm工藝準備了4波產(chǎn)能，其中首波產(chǎn)能中的大部分，將留給他們的大客戶(hù)蘋(píng)果。臺積電目前正在按計劃推進(jìn)3nm工藝在2022年下半年大規模投產(chǎn)，設定的產(chǎn)能是每月5.5萬(wàn)片晶圓。但知情人士也
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跳過(guò)5nm 臺積電透露Graphcore下一代IPU將基于3nm工藝研發(fā)
- 據國外媒體報道，5nm工藝在今年一季度投產(chǎn)之后，臺積電下一代工藝研發(fā)的重點(diǎn)已轉移到了3nm，目前正在按計劃推進(jìn)，計劃在2021年風(fēng)險試產(chǎn)，2022年下半年大規模投產(chǎn)。在2020年度的臺積電全球技術(shù)論壇上，他們也提到了3nm工藝，披露了3nm工藝的性能提升信息。外媒最新的報道顯示，在介紹3nm的工藝時(shí)，臺積電重點(diǎn)提到了為人工智能和機器學(xué)習研發(fā)加速器的半導體廠(chǎng)商Graphcore。臺積電透露，Graphcore用于加速機器學(xué)習的下一代智能處理單元（IPU），將基于臺積電的3nm工藝研發(fā)，越過(guò)5nm工藝。Gra
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臺積電確認正研發(fā)3nm和4nm工藝：功耗降低30%、2022年量產(chǎn)
- 在臺積電第26屆技術(shù)研討會(huì )上，臺積電不僅確認5nm、6nm已在量產(chǎn)中，且5nm還將在明年推出N5P增強版外，更先進(jìn)的3nm、4nm也一并公布。3nm是5nm的自然迭代，4nm理論上說(shuō)是5nm的終極改良。技術(shù)指標方面，3nm（N3）將在明年晚些時(shí)候風(fēng)險試產(chǎn)，2022年投入大規模量產(chǎn)。相較于5nm，3nm將可以帶來(lái)25~30%的功耗減少、10~15%的性能提升。4nm（N4）同樣定于明年晚些時(shí)候風(fēng)險試產(chǎn)，2022年量產(chǎn)。對于臺積電N5客戶(hù)來(lái)說(shuō)，將能非常平滑地過(guò)渡到N4，也就是流片成本大大降低、進(jìn)度大大加快。當
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臺積電披露3nm工藝更多細節信息 晶體管密度是5nm工藝1.7倍
- 據國外媒體報道，正如外媒此前所預期的一樣，芯片代工商臺積電在今日開(kāi)始的全球技術(shù)論壇上，披露了下一代先進(jìn)工藝3nm的更多細節信息。2020年的臺積電全球技術(shù)論壇，是他們舉行的第二十六屆全球技術(shù)論壇，論壇上分享了第一代5nm、第二代5nm、4nm等先進(jìn)工藝方面的信息，但在5nm工藝已經(jīng)投產(chǎn)的情況下，外界最期待的還是5nm之后的下一個(gè)全新工藝節點(diǎn)3nm工藝。在今天的論壇上，臺積電也披露了3nm工藝的相關(guān)信息。他們的3nm工藝，仍將繼續使用鰭式場(chǎng)效應（FinFET)晶體管，不會(huì )采用三星計劃在3nm工藝節點(diǎn)上使用的
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臺積電3nm依然由蘋(píng)果首發(fā)：iPhone 14、A16芯片
- 作為目前全球最強的晶圓代工一哥，臺積電在先進(jìn)工藝上的領(lǐng)先優(yōu)勢讓他們足以獨霸5年，不僅7nm領(lǐng)先，今年的5nm及未來(lái)的3nm工藝也要領(lǐng)先對手。臺積電的先進(jìn)工藝被多家半導體巨頭爭搶?zhuān)贿^(guò)在所有的“追求者”中，蘋(píng)果No.1的地位是無(wú)可替代的，不僅是最有錢(qián)的，還是需求量最高的，新一代工藝首發(fā)依然是蘋(píng)果專(zhuān)享。蘋(píng)果今年的A14、明年的A15處理器會(huì )使用5nm及5nm+工藝，再往后就是2022年的3nmnm工藝了，將由蘋(píng)果的A16處理器首發(fā)。當然，A16現在的規格還沒(méi)影，不過(guò)對性能提升不要抱太大希望，因為臺積電之前表示
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臺積電3nm工藝計劃明年風(fēng)險試產(chǎn) 有望提前大規模量產(chǎn)
- 7月30日消息，據國外媒體報道，在5nm芯片制程工藝二季度量產(chǎn)之后，臺積電下一步的工藝重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm工藝，這一工藝有望先于他們的預期大規模量產(chǎn)。在二季度的財報分析師電話(huà)會(huì )議上，臺積電CEO魏哲家再一次談到了3nm工藝，重申進(jìn)展順利，計劃在2021年風(fēng)險試產(chǎn)，2022年下半年大規模量產(chǎn)。但參考臺積電5nm工藝的風(fēng)險量產(chǎn)時(shí)間與大規模量產(chǎn)時(shí)間，他們3nm工藝的大規模量產(chǎn)時(shí)間，有望提前，先于他們的預期。從此前魏哲家在財報分析師電話(huà)會(huì )議上透露的情況來(lái)看，臺積電5nm工藝的研發(fā)設計，是在2018年的三季度完
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外媒：臺積電英特爾5nm及3nm CPU合作計劃正在推進(jìn)
- 【TechWeb】7月28日消息，據國外媒體報道，在周一的報道中，外媒報道稱(chēng)考慮將芯片交由第三方代工的芯片巨頭英特爾，已經(jīng)將2021年6nm芯片代工訂單交由芯片代工商臺積電，而從最新的報道來(lái)看，臺積電還有望獲得英特爾5nm及3nm CPU的代工訂單。從外媒的報道來(lái)看，英特爾交由臺積電的是即將推出的Ponte Vecchio GPU，采用臺積電成本稍低的6nm工藝，交付給臺積電的是18萬(wàn)晶圓的代工訂單。外媒在報道中表示，英特爾交給臺積電的18萬(wàn)片晶圓GPU代工訂單，并不算高，但在報道中卻提到了CPU代工的消
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3nm工藝太燒錢(qián) 沒(méi)有46億元別來(lái)流片
- 最近幾天，半導體行業(yè)出了一件大事，Intel宣布7nm工藝延期，導致公司股價(jià)大跌，而AMD及臺積電兩家公司股價(jià)創(chuàng )造了歷史新高，他們在先進(jìn)工藝上暫時(shí)是領(lǐng)先的。Intel現在遇到的工藝延期問(wèn)題有多方面原因，技術(shù)、人才、管理上都可以找到一堆理由，但是還有一個(gè)因素不容忽視，那就是先進(jìn)工藝越來(lái)越燒錢(qián)了。之前的數據顯示，28nm工藝開(kāi)發(fā)一款芯片的費用不過(guò)5130萬(wàn)美元，16nm工藝就超過(guò)1億美元，10nm工藝要1.74億美元，7nm工藝要3億美元?，F在Intel、臺積電、三星等公司的競爭已經(jīng)進(jìn)入5nm以下節點(diǎn)，設計芯
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臺積電3nm明年風(fēng)險生產(chǎn) 用于iPhone 13 A16芯片
- 外媒PhoneArena報道，全球最大的代工合同制造商是臺積電（TSMC），為那些具有自主設計但沒(méi)有生產(chǎn)設備的公司生產(chǎn)芯片。用于制造芯片的設備非常復雜且非常昂貴。例如，臺積電計劃今年在資本支出上會(huì )付出150億美元，臺積電的主要客戶(hù)包括蘋(píng)果、高通和華為。今年，臺積電將為蘋(píng)果和華為交付其最先進(jìn)的芯片組，分別為A14 Bionic和海思麒麟1020。兩者都將使用臺積電的5nm工藝制造，這意味著(zhù)芯片內部的晶體管數量將增加約77％。這使得這些芯片比7nm芯片更強大、更節能。由于美國新的出口規定，臺積電將從9
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格羅方德12LP+ FinFET解決方案針對AI進(jìn)行優(yōu)化
- 半導體代工廠(chǎng)格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）宣布，旗下最先進(jìn)的FinFET解決方案「12LP+」已通過(guò)技術(shù)驗證，目前準備投入生產(chǎn)。 格羅方德的差異化「12LP+」解決方案主要針對AI訓練以及推論應用進(jìn)行優(yōu)化。本解決方案建立于驗證過(guò)的平臺上，具有強大的制造生態(tài)系統，可為芯片設計師帶來(lái)高效能的開(kāi)發(fā)體驗，及快速的上市時(shí)間。 為達到性能、功耗和面積的組合，12LP+導入了若干新功能，包含更新后的標準組件庫、用于2.5D封裝的中介板，與一個(gè)低功耗的0.5V Vmin SRAM記憶單元，以支持AI處理器與內
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Intel 5年內量產(chǎn)納米線(xiàn)/納米帶晶體管！搭檔3nm？
- Intel這幾年雖然在制造工藝上步伐慢了很多，但是說(shuō)起半導體前沿技術(shù)研究和儲備，Intel的實(shí)力仍是行業(yè)數一數二的。在近日的國際超大規模集成電路會(huì )議上，Intel首席技術(shù)官、Intel實(shí)驗室總監Mike Mayberry就暢談了未來(lái)的晶體管結構研究，包括GAA環(huán)繞柵極、2D MBCFET多橋-通道場(chǎng)效應管納米片結構，乃至最終擺脫CMOS。FinFET立體晶體管是Intel 22nm、臺積電16nm、三星14nm工藝節點(diǎn)上引入的，仍在持續推進(jìn)，而接下來(lái)最有希望的變革就是GAA環(huán)繞柵極結構，重新設計晶體管底層
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外媒稱(chēng)臺積電已開(kāi)始安裝3nm生產(chǎn)線(xiàn) 早于此前預期
- 據國外媒體報道，在5nm工藝順利量產(chǎn)之后，芯片代工商臺積電在工藝量產(chǎn)及研發(fā)方面的重點(diǎn)，已經(jīng)放在了更先進(jìn)的3nm和2nm上。5nm之后就將投入量產(chǎn)的3nm工藝方面，臺積電是計劃在2021年風(fēng)險試產(chǎn)，2022年上半年開(kāi)始大規模量產(chǎn)。在3nm生產(chǎn)線(xiàn)方面，外媒在今年3月底的報道中，是表示臺積電在今年10月份就會(huì )開(kāi)始安裝相關(guān)的生產(chǎn)設備。而在最新的報道中，出現了臺積電已提前開(kāi)始安裝3nm生產(chǎn)線(xiàn)的消息。外媒在報道中表示，臺積電已經(jīng)開(kāi)始安裝3nm生產(chǎn)線(xiàn)及相關(guān)的設施，正在按進(jìn)度推進(jìn)。包括創(chuàng )始人張忠謀、現任CEO魏哲家在內的
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3nm finfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3nm finfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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