臺積電確認正研發(fā)3nm和4nm工藝：功耗降低30%、2022年量產(chǎn)

在臺積電第26屆技術(shù)研討會(huì )上，臺積電不僅確認5nm、6nm已在量產(chǎn)中，且5nm還將在明年推出N5P增強版外，更先進(jìn)的3nm、4nm也一并公布。

3nm是5nm的自然迭代，4nm理論上說(shuō)是5nm的終極改良。

技術(shù)指標方面，3nm（N3）將在明年晚些時(shí)候風(fēng)險試產(chǎn)，2022年投入大規模量產(chǎn)。相較于5nm，3nm將可以帶來(lái)25~30%的功耗減少、10~15%的性能提升。

4nm（N4）同樣定于明年晚些時(shí)候風(fēng)險試產(chǎn)，2022年量產(chǎn)。對于臺積電N5客戶(hù)來(lái)說(shuō)，將能非常平滑地過(guò)渡到N4，也就是流片成本大大降低、進(jìn)度大大加快。

當然，臺積電不是唯一一家3nm廠(chǎng)商，三星的雄心更大，明年就想把3nm推向市場(chǎng)。而且在核心技術(shù)方面，三星的3nm將改用Gate-All-Around（GAA，環(huán)繞柵極晶體管），臺積電則是堅守FinFET（鰭式場(chǎng)效應晶體管）。

三星比較雞賊，3nm對比的是7nm，號稱(chēng)可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。