Intel 5年內量產(chǎn)納米線(xiàn)/納米帶晶體管！搭檔3nm？

Intel這幾年雖然在制造工藝上步伐慢了很多，但是說(shuō)起半導體前沿技術(shù)研究和儲備，Intel的實(shí)力仍是行業(yè)數一數二的。

在近日的國際超大規模集成電路會(huì )議上，Intel首席技術(shù)官、Intel實(shí)驗室總監Mike Mayberry就暢談了未來(lái)的晶體管結構研究，包括GAA環(huán)繞柵極、2D MBCFET多橋-通道場(chǎng)效應管納米片結構，乃至最終擺脫CMOS。

FinFET立體晶體管是Intel 22nm、臺積電16nm、三星14nm工藝節點(diǎn)上引入的，仍在持續推進(jìn)，而接下來(lái)最有希望的變革就是GAA環(huán)繞柵極結構，重新設計晶體管底層結構，而且可以做得很小(nanowire納米線(xiàn))，也可以做得很寬(nanosheet納米片)。

這方面比較高調的當屬三星，早就宣布將在3nm工藝節點(diǎn)上應用GAA結構。臺積電、Intel則沒(méi)有公布或確定具體計劃。

在會(huì )議問(wèn)答階段，有記者問(wèn)起Mike Mayberry，納米線(xiàn)、納米帶(nanoribbon)結構的晶體管何時(shí)能夠投入大規模量產(chǎn)，他表示雖然沒(méi)有明確的路線(xiàn)圖，但粗略估計未來(lái)5年內有戲。

根據早先公布的模糊路線(xiàn)圖，Intel未來(lái)將每?jì)赡赀M(jìn)行一次工藝節點(diǎn)重大升級，而每一代工藝都會(huì )有+、++兩次優(yōu)化增強，2021年是7nm，首發(fā)用于高性能計算GPU Ponte Vecchio，2023年預計進(jìn)入5nm并同時(shí)有7nm++，2025年轉入3nm并同時(shí)有5nm++。

按照Mike Mayberry給出的時(shí)間表，如果樂(lè )觀(guān)激進(jìn)的話(huà)，Intel有望在3nm工藝上應用全新的納米結構晶體管，或者慢一點(diǎn)的話(huà)到時(shí)候還是5nm。

他還展望了更遙遠的未來(lái)，2030年前有望進(jìn)入神經(jīng)擬態(tài)(neuromorphic)的計算時(shí)代，而至于量子計算，可能要2030-2035年才能真正投入商用。