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3nm finfet
3nm finfet 文章 進(jìn)入3nm finfet技術(shù)社區
FinFET對動(dòng)態(tài)功耗的影響
- 現在主要的代工廠(chǎng)都在生產(chǎn)FinFET晶體管，這些FinFET以創(chuàng )紀錄的速度實(shí)現了從設計到現貨產(chǎn)品的轉變。FinFET的發(fā)展普及一直都比較穩定，因為與平面器件相
- 關(guān)鍵字： FinFET 動(dòng)態(tài)功耗
臺積電計劃2022年量產(chǎn)3nm芯片
- 臺積電在8月14日宣布，公司董事會(huì )已批準了一項約45億美元的資本預算。未來(lái)將會(huì )使用該預算來(lái)修建新的晶圓廠(chǎng)，而現在中國臺灣媒體報道稱(chēng)，臺積電計劃2020年開(kāi)始建造3nm制程的晶圓廠(chǎng)，希望能夠在2022年實(shí)現3nm制程芯片的量產(chǎn)?！ 「鶕_灣《經(jīng)濟日報》的報道，臺灣相關(guān)部門(mén)通過(guò)了「臺南科學(xué)園區二期基地開(kāi)發(fā)暨原一期基地變更計劃環(huán)差案」，這項議案主要是為了臺積電全新的晶圓制造廠(chǎng)而打造?！ ?，臺積電計劃2020年開(kāi)始建造最新的3nm制程的晶圓廠(chǎng)，同時(shí)最快可以在2022年實(shí)現對于3nm制程芯片的量產(chǎn)。目前臺積
- 關(guān)鍵字： 臺積電，3nm，芯片
中芯國際14納米FinFET制程開(kāi)始客戶(hù)導入，Q2營(yíng)收同比增長(cháng)18.6%
- 9日中芯國際集成電路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的綜合經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jì)。中芯國際第二季度銷(xiāo)售額為8.907億美元，與上一季度環(huán)比增長(cháng)7.2%，與去年同比增長(cháng)18.6%。欣喜的是，14納米FinFET制程開(kāi)始進(jìn)入到客戶(hù)導入階段，可以預見(jiàn)量產(chǎn)目標已不遙遠。14納米FinFET制程如果正式量產(chǎn)，對于中芯國際來(lái)說(shuō)將是一個(gè)歷史性的時(shí)刻。不僅可以確保其遙遙領(lǐng)先于國內的競爭對手，更是可以拉近其和國際芯片大廠(chǎng)之間的距離?！ 「鶕行緡H財報，第二季度不含技術(shù)授權收入(授權收入)確認的銷(xiāo)售額為8.379億
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 14納米 FinFET
三星侵犯大學(xué)專(zhuān)利，賠償金或高達4億美元
- 近日，德克薩斯州聯(lián)邦陪審團作出一項裁決：三星電子因侵犯韓國技術(shù)學(xué)院一項專(zhuān)利技術(shù)，需向后者支付賠償金或將高達4億美元?！ 私?，韓國技術(shù)學(xué)院曾向法院提起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(shù)(FinFET)制程工藝相關(guān)的專(zhuān)利技術(shù)。然而三星向陪審團表示，它與韓國技術(shù)學(xué)院合作開(kāi)發(fā)了這項技術(shù)，并否認侵犯了相關(guān)專(zhuān)利技術(shù)。三星還對這項專(zhuān)利的有效性提出了質(zhì)疑。就在三星對此不屑一顧時(shí)，其對手英特爾公司開(kāi)始向這項技術(shù)的發(fā)明者取得許可授權，圍繞三星是否侵權的力量博弈發(fā)生了改變，三星才開(kāi)始重視這個(gè)事件的嚴重性?！ ?/li>
- 關(guān)鍵字： 三星 FinFET
胡正明：技術(shù)創(chuàng )新可能讓半導體晶體管密度再增加1000倍
- “半導體市場(chǎng)正在經(jīng)歷由技術(shù)推動(dòng)到需求推動(dòng)的轉變。而半導體技術(shù)上的創(chuàng )新，可能讓半導體晶體管密度再增加1000倍，仍有巨大空間?！苯?，美國加州大學(xué)伯克利分校教授、國際微電子學(xué)家胡正明在接受集微網(wǎng)采訪(fǎng)時(shí)表示?！ ∽?965年摩爾定律提出以來(lái)，歷經(jīng)半個(gè)多世紀的發(fā)展，如今越來(lái)越遭遇挑戰，特別是新世紀以來(lái)，每隔十年，摩爾定律以及半導體的微型化似乎便會(huì )遭遇到可能終止的危機?！ 『靼l(fā)明了鰭型晶體管(FinFET)以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」(FD-SOI)，兩大革命性創(chuàng )新為半導體帶來(lái)新契機。 2011年5月
- 關(guān)鍵字： FinFET 7納米
aveni S.A. 運用創(chuàng )新電鍍化學(xué)，將銅互連擴展至5nm及以下節點(diǎn)以實(shí)現BEOL集成
- 為2D互連和3D硅穿孔封裝提供顛覆性濕沉積技術(shù)與化學(xué)材料的開(kāi)發(fā)商與生產(chǎn)商aveni S.A.今日宣布，其已獲得成果可有力支持在先進(jìn)互連的后段制程中，在5nm及以下技術(shù)節點(diǎn)可繼續使用銅?！ 钢荡算~集成20周年之際，我們的研究結果證實(shí)了IBM研究員Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主題演講中所表達的意見(jiàn)：『銅集成可持續使用』?！筧veni執行長(cháng)Bruno Morel指出?！ ∮捎谄骷獫M(mǎn)足(和創(chuàng )
- 關(guān)鍵字： aveni 3nm
格芯技術(shù)大會(huì )攜最新技術(shù)突出中國市場(chǎng)重要地位
- 近日，格芯2017技術(shù)大會(huì )（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數百位半導體行業(yè)領(lǐng)導者、客戶(hù)、研究專(zhuān)家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會(huì )者準備了公司的核心業(yè)務(wù)、市場(chǎng)推進(jìn)方向與創(chuàng )新成果，以及包括制程工藝、設計實(shí)現、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進(jìn)展，共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時(shí)代的技術(shù)解決方案。作為格芯的年度技術(shù)盛會(huì )，本次大會(huì )格芯分享的技術(shù)主題十分廣泛，包括FDX?設計和生態(tài)系統、IoT，5G/網(wǎng)絡(luò )和汽車(chē)解決方案智能應用，FDX?、Fi
- 關(guān)鍵字： GTC FDSOI FINFET 制程
張忠謀：3nm晶圓廠(chǎng)2020年開(kāi)建 未來(lái)3年收入增幅都達5-10％
- 臺積電創(chuàng )始人兼董事長(cháng)張忠謀在近日的一次公司會(huì )議上披露，臺積電將在2020年開(kāi)工建設3nm工藝晶圓廠(chǎng)，但不會(huì )去美國設廠(chǎng)，而是堅持留在中國臺灣本土，確切地說(shuō)是在南部科技園區。 張忠謀提出，臺積電相信當地政府會(huì )解決好3nm工廠(chǎng)建設所需的水電土地問(wèn)題，并提供全力協(xié)助。 按照張忠謀此前的說(shuō)法，3nm工廠(chǎng)建設預計會(huì )花費超過(guò)200億美元，同時(shí)有望帶動(dòng)相關(guān)供應商跟進(jìn)建廠(chǎng)，拉動(dòng)臺南地區經(jīng)濟發(fā)展。 他沒(méi)有透露3nm工廠(chǎng)何時(shí)完工、新工藝何時(shí)量產(chǎn)，但即便不考慮額外困難和挑戰，最快也得是2023年的事兒了。
- 關(guān)鍵字： 3nm 晶圓
3nm finfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3nm finfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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