EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
3nm finfet
3nm finfet 文章 進(jìn)入3nm finfet技術(shù)社區
臺積電欲建全球首個(gè)3nm晶圓廠(chǎng) 張忠謀又在唱哪出戲？
- 10月7日，芯片代工廠(chǎng)臺積電宣布選址南科臺南園區興建3nm晶圓廠(chǎng)。據臺積電董事長(cháng)張忠謀透漏，臺積電此次將投資約200億美元用于晶圓廠(chǎng)的建設，于2020年左右竣工，這也將成為全球首家3nm晶圓廠(chǎng)。 2016年末至2017年初，三星與臺積電先后推出10nm制程工藝，穩占手機芯片市場(chǎng)80%以上的市場(chǎng)份額。在這場(chǎng)角斗中，英特爾由于研發(fā)步伐稍微緩慢，錯失了市場(chǎng)先機。即使后來(lái)推出的10nm工藝遠超三星與臺積電，但是對于整體市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，并沒(méi)有太大影響。 臺積電面臨的局勢 臺積電主要客戶(hù)為蘋(píng)果、高通、
- 關(guān)鍵字： 臺積電 3nm
三星推11納米FinFET，宣布7nm將全面導入EUV
- 隨著(zhù)臺積電宣布全世界第一個(gè) 3 奈米制程的建廠(chǎng)計劃落腳臺灣南科之后，10 奈米以下個(gè)位數制程技術(shù)的競爭就正式進(jìn)入白熱化的階段。 臺積電的對手三星 29 日也宣布，將開(kāi)始導入 11 奈米的 FinFET，預計在 2018 年正式投產(chǎn)之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線(xiàn)光刻設備。 根據三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術(shù)「11LPP (Low Power Plus)」是現今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
- 關(guān)鍵字： 三星 FinFET
FD SOI生態(tài)持續完善，與FinFET分庭抗禮局勢形成
- FD SOI技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)蓬勃發(fā)展的大環(huán)境下，以其低功耗、集成射頻和存儲、高性能等優(yōu)勢獲得業(yè)界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業(yè)的推動(dòng)下，該產(chǎn)業(yè)鏈正逐步得到完善。此外，在中國大力發(fā)展集成電路的當口，FD-SOI技術(shù)還給中國企業(yè)帶去更多的發(fā)展空間和機遇，如何充分利用FD-SOI技術(shù)優(yōu)勢，實(shí)現差異化創(chuàng )新成了眾IC設計企業(yè)的探討重點(diǎn)。此外，5G網(wǎng)絡(luò )與物聯(lián)網(wǎng)的不斷進(jìn)化，對RF技術(shù)革新的強烈需求，對RF SOI技術(shù)帶來(lái)更廣大的市場(chǎng)前景。 FD SOI生態(tài)系統逐步完
- 關(guān)鍵字： FinFET 物聯(lián)網(wǎng)
格芯發(fā)布為IBM系統定制的14納米FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統處理器定制的量產(chǎn)14納米高性能(HP)技術(shù)。這項雙方共同開(kāi)發(fā)的工藝專(zhuān)為IBM提供所需的超高性能和數據處理能力，從而在大數據和認知計算的時(shí)代為IBM的云、商業(yè)和企業(yè)解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產(chǎn)品?！ ?4HP是業(yè)內唯一將三維FinFET晶體管架構結合在SOI襯底上的技術(shù)。該技術(shù)采用了17層金屬層結構，每個(gè)芯片上有80多億個(gè)晶體管，通過(guò)嵌入式動(dòng)態(tài)隨機存儲器(DRAM)以及其它創(chuàng )新功能，達到比前代
- 關(guān)鍵字： 格芯 FinFET
格芯為高性能應用推出全新12納米 FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術(shù)預計將提高當前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時(shí)滿(mǎn)足從人工智能、虛擬現實(shí)到高端智能手機、網(wǎng)絡(luò )基礎設施等最具計算密集型處理需求的應用?！ ∵@項全新的12LP技術(shù)與當前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過(guò)10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠(chǎng)的12納米 FinFET產(chǎn)品競爭。這項技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 格芯 FinFET
張忠謀:3nm制程會(huì )出來(lái) 2nm后很難
- 臺積電董事長(cháng)張忠謀表示，摩爾定律可能還可再延續10年，3nm制程應該會(huì )出來(lái)，2nm則有不確定性，2nm之后就很難了。 張忠謀表示，1998年英特爾總裁貝瑞特來(lái)臺時(shí)，兩人曾針對摩爾定律還可延續多久進(jìn)行討論，他當時(shí)回答還有15年，貝瑞特較謹慎回答，大概還有10年。 現在已經(jīng)2017年，張忠謀表示，兩人當時(shí)的答案都錯了;他指出，目前大膽預測摩爾定律可能再有10年。 張忠謀表示，臺積電明年將生產(chǎn)7nm制程，5nm已研發(fā)差不多，一定會(huì )出來(lái)，3nm也已經(jīng)做2至3年，看來(lái)也是會(huì )出來(lái)。 張忠謀
- 關(guān)鍵字： 3nm 2nm
臺積備戰3nm全靠極紫外光（EUV）微影設備
- 極紫外光(EUV)微影設備無(wú)疑是半導體制程推向3nm的重大利器。這項每臺要價(jià)高達逾近億美元的尖端設備，由荷商ASML獨家生產(chǎn)供應，目前主要買(mǎi)家全球僅臺積電、三星、英特爾及格羅方德等大廠(chǎng)為主。 EUV設備賣(mài)價(jià)極高，原因是開(kāi)發(fā)成本高，因此早期A(yíng)SML為了分攤開(kāi)發(fā)風(fēng)險，還特別邀請臺積電、三星和英特爾三大廠(chǎng)入股，但隨著(zhù)開(kāi)發(fā)完成，臺積電后來(lái)全數出脫艾司摩爾股票，也獲利豐碩。 有別于過(guò)去半導體采用浸潤式曝光機，是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長(cháng)縮短到193/132nm的微影技術(shù)，EUV微影設備是利
- 關(guān)鍵字： 臺積電 3nm
臺灣：AI終端芯片需要3nm制程生產(chǎn)
- 人工智能(AI)成為下世代科技發(fā)展重點(diǎn)，工研院 IEK 計劃副組長(cháng)楊瑞臨表示，AI 終端載具數量將遠小于手機，半導體產(chǎn)業(yè)挑戰恐將增大，芯片業(yè)者應朝系統與服務(wù)領(lǐng)域發(fā)展。 工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)計劃副組長(cháng)楊瑞臨指出，人工智能大致可分為數據收集與決策兩部分;其中，數據收集方面，因需要大量運算，應在云端進(jìn)行。 決策方面，目前各國仍以云端發(fā)展為主，楊瑞臨表示，未來(lái)決策能否改由終端執行，是各界視為臺灣發(fā)展 AI 的一大機會(huì )。 只是無(wú)人機、自駕車(chē)、機器人與虛擬現實(shí)(VR)/擴增實(shí)境
- 關(guān)鍵字： AI 3nm
臺灣：臺積電在臺灣投資3nm廠(chǎng)是必然
- 近期因限電危機，傳出臺積電3nm廠(chǎng)可能轉往美國投資，臺灣“行政院長(cháng)”林全表示，「臺積電在臺灣投資3nm廠(chǎng)是必然的」，現在的問(wèn)題只是落腳哪里。 林全表示，包括臺南、高雄都拚命爭取臺積3nm廠(chǎng)落腳。 相較于其他企業(yè)也有很好的投資案，但地方政府就沒(méi)有這么大的回響，或許和企業(yè)形象、經(jīng)營(yíng)成功度、員工待遇都有很大關(guān)系。 外界質(zhì)疑政府只關(guān)愛(ài)臺積電一家公司，林全反駁，政府對企業(yè)是「一視同仁的，不會(huì )有差別待遇」。 他以臺塑為例表示，臺塑遇到最大的挫折就是環(huán)評被退回，因此他去年上任后就
- 關(guān)鍵字： 臺積電 3nm
模擬技術(shù)的困境
- 在這樣一個(gè)對數字電路處理有利的世界中，模擬技術(shù)更多地用來(lái)處理對它們不利的過(guò)程。但這個(gè)現象可能正在改變?！ ∥覀兩钤谝粋€(gè)模擬世界中，但數字技術(shù)已經(jīng)成為主流技術(shù)?；旌闲盘柦鉀Q方案過(guò)去包含大量模擬數據，只需要少量的數字信號處理，這種方案已經(jīng)遷移到系統應用中，在系統中第一次產(chǎn)生了模數轉換過(guò)程?！ ∧M技術(shù)衰落有幾個(gè)原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數字電路。但這對模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 FinFET
格芯交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即
- 格芯今日宣布推出其具有7納米領(lǐng)先性能的(7LP)FinFET半導體技術(shù)，其40%的跨越式性能提升將滿(mǎn)足諸如高端移動(dòng)處理器、云服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò )基礎設施等應用的需求。設計套件現已就緒，基于7LP技術(shù)的第一批客戶(hù)產(chǎn)品預計于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實(shí)現量產(chǎn)?！ ?016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無(wú)可比擬的技術(shù)積淀，來(lái)研發(fā)自己7納米FinFET技術(shù)的計劃。由于晶體管和工藝水平的進(jìn)一步改進(jìn)，7LP技術(shù)的表現遠優(yōu)于最初的性能目標。與先前基于14納米FinFET技術(shù)的產(chǎn)品相比，預
- 關(guān)鍵字： 格芯 FinFET
FinFET布局和布線(xiàn)要經(jīng)受各種挑戰
- 隨著(zhù)高級工藝的演進(jìn)，電路設計團隊在最先進(jìn)的晶片上系統內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時(shí)，他們同樣面臨許多新的設計挑戰。多重圖案拆分給設計實(shí)施過(guò)程帶來(lái)了許多重大布局限制，另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復雜，因為它對擺設和布線(xiàn)流程帶來(lái)了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內容吧。 FinFET布局和布線(xiàn)要經(jīng)受各種挑戰 隨著(zhù)高級工藝的演進(jìn)，電路設計團隊在最先進(jìn)的晶片上系統內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時(shí)，他們同樣面臨許多新的設
- 關(guān)鍵字： FinFET
3nm finfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3nm finfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
3nm finfet相關(guān)帖子
3nm finfet專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473