剛剛，首個(gè)3nm量產(chǎn)官宣！
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芯東西6月30日報道，今天上午，三星電子官宣，已開(kāi)始量產(chǎn)基于GAA晶體管（Gate-All-Around FET，全環(huán)繞柵極）結構的3nm芯片。
▲三星代工業(yè)務(wù)和半導體研發(fā)中心的領(lǐng)導者舉起三根手指作為3nm的象征，慶祝該公司首次生產(chǎn)采用GAA架構的3nm工藝（圖片來(lái)源：三星電子）
與5nm制程相比，3nm制程降低了45%的功耗，提升了23%的性能，并減小了16%的面積。三星電子正在位于首爾南部華城市的晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)3nm芯片。這是全球首次采用GAA晶體管結構的芯片，標志著(zhù)芯片制造進(jìn)入了新的時(shí)代。三星電子稱(chēng)，其GAA晶體管芯片將應用于高性能、低功耗計算領(lǐng)域，并計劃擴展到移動(dòng)處理器。據外媒報道，一家中國礦機芯片公司將成為三星電子3nm制程的首位客戶(hù)，高通也預定了三星電子的3nm制程。芯東西
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01.晶體管結構進(jìn)入GAA時(shí)代第二代3nm制程性能參數宣布
▲三星電子晶體管結構路線(xiàn)圖（圖片來(lái)源：三星電子）
三星電子的3nm制程將能夠調整通道寬度，以適應更多客戶(hù)的需要。三星電子還強調，其GAA技術(shù)的設計優(yōu)勢來(lái)自于DTCO（設計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化），這能夠幫助提升芯片的PPA（性能、功率、面積）。和5nm制程相比，三星電子的第一代3nm制程能夠降低45%的功耗，提升了23%的性能，并減小16%的面積。而第二代3nm制程將有進(jìn)一步的優(yōu)化，將降低50%的功耗，提升30%的性能，降低35%的面積。此外，三星電子還提到，自2021年第三季度開(kāi)始，其和Ansys、Cadence、Siemens、Synopsys等SAFE（Samsung Advanced Foundry Ecosystem）合作伙伴一起提供了經(jīng)過(guò)驗證的設計基礎，這幫助三星電子的客戶(hù)在短時(shí)間內完善了它們的產(chǎn)品。三星電子總裁兼代工業(yè)務(wù)負責人Siyoung Choi稱(chēng)：“我們將繼續在具有競爭力的技術(shù)開(kāi)發(fā)中積極創(chuàng )新，并建立有助于加速技術(shù)成熟的流程?！?/span>據日經(jīng)亞洲報道，三星電子正在位于韓國首爾南部的華城市生產(chǎn)3nm芯片。
▲三星電子副總裁Michael Jeong（左一）、企業(yè)執行副總裁Ja-Hum Ku（左二）、三星代工業(yè)務(wù)公司副總裁Sang Bom Kang（左三）正在三星電子華城園區的生產(chǎn)線(xiàn)上舉起3nm晶圓（圖片來(lái)源：三星電子）
02.三星3nm首個(gè)客戶(hù)或為中國公司臺積電下半年量產(chǎn)3nm
03.結語(yǔ)：三星率先開(kāi)啟GAA晶體管時(shí)代先進(jìn)制程之戰進(jìn)入白熱化
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