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3nm finfet
3nm finfet 文章 進(jìn)入3nm finfet技術(shù)社區
臺積電首次公布3nm工藝詳情：FinFET技術(shù) 2021年試產(chǎn)
- 盡管2020年全球半導體行業(yè)會(huì )因為疫情導致下滑,但臺積電的業(yè)績(jì)不降反升,掌握著(zhù)7nm、5nm先進(jìn)工藝的他們更受客戶(hù)青睞。今天的財報會(huì )上,臺積電也首次正式宣布3nm工藝詳情,預定在2022年下半年量產(chǎn)。臺積電原本計劃4月29日在美國舉行技術(shù)論壇,正式公布3nm工藝詳情,不過(guò)這個(gè)技術(shù)會(huì )議已經(jīng)延期到8月份,今天的Q1財報會(huì )議上才首次對外公布3nm工藝的技術(shù)信息及進(jìn)度。臺積電表示,3nm工藝研發(fā)符合預期,并沒(méi)有受到疫情影響,預計在2021年進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)階段,2022年下半年量產(chǎn)。在技術(shù)路線(xiàn)上,臺積電評估多種選擇后
- 關(guān)鍵字： 三星 CPU處理器 臺積電 3nm
外媒：臺積電今年10月份開(kāi)始安裝3nm芯片生產(chǎn)設備
- 據國外媒體報道，在芯片制造工藝方面走在行業(yè)前列的芯片代工商臺積電，在2018年率先量產(chǎn)7nm芯片之后，今年將大規模量產(chǎn)5nm芯片，外媒此前的報道顯示，臺積電今年4月份就將開(kāi)始為相關(guān)客戶(hù)大規模生產(chǎn)5nm芯片。在7nm投產(chǎn)已兩年、5nm工藝即將大規模量產(chǎn)的情況下，臺積電也將注意力放在了更先進(jìn)的3nm工藝上。在最新的報道中，外媒就提到了臺積電3nm工藝方面的消息，其表示今年10月份，臺積電就將開(kāi)始安裝生產(chǎn)3nm芯片的設備。3nm工藝是5nm之后，芯片制造工藝的一個(gè)重要節點(diǎn)。在2019年第四季度的財報分析師電話(huà)會(huì )
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面向3nm及以下工藝，ASML新一代EUV光刻機曝光
- 很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時(shí),臺積電和三星的3nm工藝也在持續的研發(fā)當中。而對于5nm及以下工藝來(lái)說(shuō),都必須依靠EUV(極紫外)光刻機才能實(shí)現。而目前全球只有一家廠(chǎng)商能夠供應EUV光刻機,那就是荷蘭的ASML。很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時(shí),臺積電和三星的3nm工藝也在持續的研發(fā)當中。而對于5nm及以下工藝來(lái)說(shuō),都必須依靠EUV(極紫外)光刻機才能實(shí)現。而目前全球只有一家廠(chǎng)商能夠供應EUV光刻機,那就是荷蘭的ASML。目前ASML出貨的EUV光刻機主要是NXE:340
- 關(guān)鍵字： 3nm EUV
燧原科技推出搭載基于格芯12LP平臺的“邃思”芯片的人工智能訓練解決方案云燧T10
- 在燧原科技（燧原）發(fā)布云燧T10之際，燧原與格芯（GLOBALFOUNDRIES）近日共同宣布推出針對數據中心培訓的高性能深度學(xué)習加速卡解決方案，其核心“邃思”（DTU）基于格芯12LP?FinFET平臺及2.5D 封裝技術(shù)，為云端人工智能訓練平臺提供高算力、高能效比的數據處理。燧原的“邃思”（DTU）利用格芯12LP ?FinFET平臺擁有141億個(gè)晶體管，采用先進(jìn)的2.5D封裝技術(shù)，支持PCIe 4.0接口和燧原 Smart Link高速互聯(lián)。支持CNN/RNN等各種網(wǎng)絡(luò )模型和豐富的數據類(lèi)型
- 關(guān)鍵字： FinFET 2.5D
Intel最新制程路線(xiàn)圖曝光：10nm+++得到證實(shí)、2029年上馬1.4nm
- 原文流傳年的幻燈片并非出自Intel官方，而是荷蘭光刻機巨頭ASML在Intel原有幻燈片基礎上自行修改的，5nm、3nm、2nm、1.4nm規劃均不是出自Intel官方，不代表Intel官方路線(xiàn)圖。Intel官方原始幻燈片如下：在IEDM（IEEE國際電子設備會(huì )議上），有合作伙伴披露了一張號稱(chēng)是Intel 9月份展示的制造工藝路線(xiàn)圖，14nm之后的節點(diǎn)一覽無(wú)余，甚至推進(jìn)到了1.4nm。讓我們依照時(shí)間順序來(lái)看——目前，10nm已經(jīng)投產(chǎn)，7nm處于開(kāi)發(fā)階段，5nm處于技術(shù)指標定義階段，3nm處于探索、先導階
- 關(guān)鍵字： 英特爾 10nm 7nm 5nm 3nm
新思科技和臺積合作在其5納米 FinFET 強化版N5P制程技術(shù)上開(kāi)發(fā)DesignWare IP核產(chǎn)品組合
- 臺積公司5奈米 FinFET 強化版（N5P）制程技術(shù)上開(kāi)發(fā)的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI臺積公司N5P工藝上開(kāi)發(fā)的DesignWare基礎IP核包括高速、面積優(yōu)化和低功耗的嵌入式存儲器、邏輯庫和一次性可編程非易失性存儲器。STAR Memory System?采用針對5nm FinFET晶體管缺陷的新算法，可有效測試、修復和診斷嵌入式存儲器新思科技（Synopsys, In
- 關(guān)鍵字： 新思 臺積合 FinFET 強化版N5P
格芯針對人工智慧應用推出12LP+ FinFET解決方案
- 晶圓代工大廠(chǎng)格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設計廠(chǎng)SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲器（HBM2E）運用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設計服務(wù)，可加速人工智能（AI）應用上市時(shí)間。
- 關(guān)鍵字： 格芯 人工智慧應用 12LP+ FinFET
三星明年完成3nm GAA工藝開(kāi)發(fā) 性能大漲35%
- 盡管日本嚴格管制半導體材料多少都會(huì )影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會(huì )議，公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，其中3nm工藝明年就完成開(kāi)發(fā)了。三星在10nm、7nm及5nm節點(diǎn)的進(jìn)度都會(huì )比臺積電要晚一些，導致臺積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過(guò)三星已經(jīng)把目標放在了未來(lái)的3nm工藝上，預計2021年量產(chǎn)。在3nm節點(diǎn)，三星將從FinFET晶體管轉向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
- 關(guān)鍵字： CPU處理器，3nm
臺積電：3nm工藝進(jìn)展順利 已有客戶(hù)參與
- 如今在半導體工藝上，臺積電一直十分激進(jìn)，7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn)，5nm馬上就來(lái)，3nm也不遠了。臺積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會(huì )議上透露，臺積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利，已經(jīng)有早期客戶(hù)參與進(jìn)來(lái)，與臺積電一起進(jìn)行技術(shù)定義，3nm將在未來(lái)進(jìn)一步深化臺積電的領(lǐng)導地位。目前，3nm工藝仍在早期研發(fā)階段，臺積電也沒(méi)有給出任何技術(shù)細節，以及性能、功耗指標，比如相比5nm工藝能提升多少，只是說(shuō)3nm將是一個(gè)全新的工藝節點(diǎn)，而不是5nm的改進(jìn)版。臺積電只是說(shuō)，已經(jīng)評估了3n
- 關(guān)鍵字： 臺積電 3nm
3nm finfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3nm finfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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