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3nm finfet
3nm finfet 文章 進(jìn)入3nm finfet技術(shù)社區
新思科技和臺積合作在其5納米 FinFET 強化版N5P制程技術(shù)上開(kāi)發(fā)DesignWare IP核產(chǎn)品組合
- 臺積公司5奈米 FinFET 強化版（N5P）制程技術(shù)上開(kāi)發(fā)的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI臺積公司N5P工藝上開(kāi)發(fā)的DesignWare基礎IP核包括高速、面積優(yōu)化和低功耗的嵌入式存儲器、邏輯庫和一次性可編程非易失性存儲器。STAR Memory System?采用針對5nm FinFET晶體管缺陷的新算法，可有效測試、修復和診斷嵌入式存儲器新思科技（Synopsys, In
- 關(guān)鍵字： 新思 臺積合 FinFET 強化版N5P
格芯針對人工智慧應用推出12LP+ FinFET解決方案
- 晶圓代工大廠(chǎng)格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設計廠(chǎng)SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲器（HBM2E）運用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設計服務(wù)，可加速人工智能（AI）應用上市時(shí)間。
- 關(guān)鍵字： 格芯 人工智慧應用 12LP+ FinFET
三星明年完成3nm GAA工藝開(kāi)發(fā) 性能大漲35%
- 盡管日本嚴格管制半導體材料多少都會(huì )影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會(huì )議，公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，其中3nm工藝明年就完成開(kāi)發(fā)了。三星在10nm、7nm及5nm節點(diǎn)的進(jìn)度都會(huì )比臺積電要晚一些，導致臺積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過(guò)三星已經(jīng)把目標放在了未來(lái)的3nm工藝上，預計2021年量產(chǎn)。在3nm節點(diǎn)，三星將從FinFET晶體管轉向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
- 關(guān)鍵字： CPU處理器，3nm
臺積電：3nm工藝進(jìn)展順利 已有客戶(hù)參與
- 如今在半導體工藝上，臺積電一直十分激進(jìn)，7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn)，5nm馬上就來(lái)，3nm也不遠了。臺積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會(huì )議上透露，臺積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利，已經(jīng)有早期客戶(hù)參與進(jìn)來(lái)，與臺積電一起進(jìn)行技術(shù)定義，3nm將在未來(lái)進(jìn)一步深化臺積電的領(lǐng)導地位。目前，3nm工藝仍在早期研發(fā)階段，臺積電也沒(méi)有給出任何技術(shù)細節，以及性能、功耗指標，比如相比5nm工藝能提升多少，只是說(shuō)3nm將是一個(gè)全新的工藝節點(diǎn)，而不是5nm的改進(jìn)版。臺積電只是說(shuō)，已經(jīng)評估了3n
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格芯擴展FinFET產(chǎn)品新特性為全面實(shí)現未來(lái)智能系統
- 格芯是全球領(lǐng)先的全方位服務(wù)半導體代工廠(chǎng)，為世界上最富有靈感的科技公司提供獨一無(wú)二的設計、開(kāi)發(fā)和制造服務(wù)。2018年9月25日， 格芯在其年度全球技術(shù)大會(huì )(GTC)上，繼在300mm平臺上面向下一代移動(dòng)應用推出8SW RF SOI客戶(hù)端芯片后，格芯宣布計劃在其14/12nm FinFET產(chǎn)品中引入全套新技術(shù)，這是公司加強差異化投資的全新側重點(diǎn)之一，功能豐富的半導體平臺為下一代計算應用提供具有競爭力的性能和可擴展性。新工藝技術(shù)旨在為快速增長(cháng)市場(chǎng)(如超大規模數據中心和自動(dòng)駕駛汽車(chē))應用提供更好的可擴展性和性
- 關(guān)鍵字： 格芯 FinFET
三星已成全球芯片霸主，規劃芯片制程路線(xiàn)：2022年要上3nm
- 5月28日，三星電子在位于美國的 2018 年三星半導體代工論壇上，公布其全面的芯片制程技術(shù)路線(xiàn)圖，目前已經(jīng)更新至 3nm 工藝?！ 榻B，三星的 7nm LPP 將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導體工藝技術(shù)。以往三星的制程工藝都會(huì )分為 LPE 和 LPP 兩代，不過(guò) 7nm 算是個(gè)例外，沒(méi)有 LPE。之前已公布，三星 7nm LPP 將于 2018 年下半年量產(chǎn)，2019 年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝?！ ∪潜硎?，在 7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 將為 So
- 關(guān)鍵字： 三星 芯片 3nm
GF宣布將在既有14/12納米FinFET制程節點(diǎn)基礎上，向外擴展應用領(lǐng)域
- 自從28納米制程節點(diǎn)向下轉進(jìn)以來(lái)，就剩下四大晶圓代工廠(chǎng)商持續鞏固先進(jìn)制程：臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特爾(Intel)。但在這四大廠(chǎng)商轉進(jìn)16/14納米先進(jìn)制程過(guò)程中，又以GF歷經(jīng)最多波折，但最終，GF尋求向三星取得14納米制程授權，更成功將該節點(diǎn)制程落實(shí)在自家晶圓廠(chǎng)。隨后包括超微(AMD)旗下RyzenCPU與PolarisGPU系列產(chǎn)品的成功，均可說(shuō)是GF旗下晶圓廠(chǎng)14納米制程終于達到良率開(kāi)出順利，并且改善制程足以提供更明
- 關(guān)鍵字： GF FinFET
3nm finfet介紹
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