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3nm finfet 文章 進(jìn)入3nm finfet技術(shù)社區
三星3nm工藝正式發(fā)流片：采用GAA架構
- 據外媒報道，三星宣布3nm工藝技術(shù)已正式發(fā)流片。據報道，三星的3mm工藝采用GAA架構，性能優(yōu)于臺積電的3nm FinFET架構?！ 蟾娣Q(chēng)，三星在3納米工藝中的流片進(jìn)展是與新思科技合作完成的，旨在加快為GAA架構的生產(chǎn)工藝提供高度優(yōu)化的參考方法。三星的3nm工藝采用GAA結構，而不是臺積電或英特爾采用的FinFET結構。因此，三星采用新思科技的Fusion Design Platform?！ ≡诩夹g(shù)性能方面，基于GAA架構的晶體管可以提供比FinFET更好的靜電特性，可以滿(mǎn)足一定柵極寬度的要求。這主
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3nm工藝太貴 臺積電被投行看衰：失去關(guān)鍵優(yōu)勢
- 作為全球第一大晶圓代工廠(chǎng)，尤其是率先量產(chǎn)了先進(jìn)的7nm、5nm工藝之后，臺積電已經(jīng)成為影響全球半導體產(chǎn)業(yè)的重要一環(huán)。接下來(lái)臺積電還會(huì )量產(chǎn)3nm工藝，然而海外投資者這時(shí)候看衰臺積電，認為3nm節點(diǎn)太貴，臺積電將失去關(guān)鍵優(yōu)勢?！ ∨_積電現在業(yè)績(jì)正佳，不少投行都是看好未來(lái)的，但也有投行發(fā)表了相反的看法，認為臺積電被高估了，將其股價(jià)評級為中性，目標股價(jià)下調到580新臺幣，比其他同行的目標價(jià)少了20%左右?！ ∨_積電被看衰的一個(gè)重要因素就是3nm工藝，原來(lái)臺積電預計2022年量產(chǎn)3nm工藝，最近有傳聞?wù)f(shuō)是會(huì )延期
- 關(guān)鍵字： 晶圓廠(chǎng) 臺積電 3nm
曝華為正研發(fā)3nm芯片：麒麟9010正在設計
- 相關(guān)數據表明，近日華為技術(shù)有限公司申請注冊“麒麟處理器”商標，申請時(shí)間為上個(gè)月22日，目前狀態(tài)為“注冊申請中”。華為的芯片并沒(méi)有停止研發(fā)，而是緊鑼密鼓的設計中，等待著(zhù)機會(huì )卷土重來(lái)。華為徐直軍前不久也表示稱(chēng)，海思的任何芯片現在沒(méi)有地方加工，作為華為的芯片設計部分，它并非追求盈利公司，但華為對其沒(méi)有盈利訴求，隊伍將會(huì )一直持續的存在。目前海思依然不斷做研究，繼續開(kāi)發(fā)、繼續積累，為未來(lái)做些準備。而更加重磅的消息是，華為的最新3nm芯片已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)和設計了，最終命名為麒麟9010，然而從制造廠(chǎng)來(lái)看，目前臺積電的3n
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臺積電最新進(jìn)展:2nm正在開(kāi)發(fā) 3nm和4nm將在明年面世
- 全球最大的晶圓代工廠(chǎng)，擁有近500個(gè)客戶(hù)，這就是他們的獨特之處。一方面，公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶(hù)提供服務(wù)；另一方面，就容量和技術(shù)而言，他們必須領(lǐng)先于其他任何人；就產(chǎn)能而言，臺積電（TSMC）是不接受任何挑戰，而且未來(lái)幾年也不會(huì )臺積電今年300億美元的資本預算中，約有80％將用于擴展先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)能，例如3nm，4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認為，到今年年底，先進(jìn)節點(diǎn)上的大部分資金將用于將臺積電的N5產(chǎn)能擴大，擴大后的產(chǎn)能將提到至每月110,000?120,000個(gè)晶圓啟動(dòng)（WSP
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華為“捷足先登”？英特爾新技術(shù)突破3nm限制，華為早就提出過(guò)
- 近十年以來(lái)，隨著(zhù)互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的快速更新和以智能手機為代表的智能化產(chǎn)品的快速普及，芯片作為其中的關(guān)鍵材料，同樣迎來(lái)了發(fā)展的高速期，成功從昔日的100nm工藝制程發(fā)展到5nm工藝制程，這一速度令所有人驚訝。然而5nm并不是人們追求的最終目標。就目前而言，5nm芯片雖然在性能上有著(zhù)卓越的表現，但距離理想狀態(tài)還是有著(zhù)一定的差距，人們也在此基礎上對其進(jìn)一步研發(fā)，以提高芯片工藝制程水平，讓芯片為未來(lái)的智能化產(chǎn)品提供更為優(yōu)良的基礎。前不久，三星就成功展示了自己已經(jīng)出具成果的3nm芯片，臺積電之后肯定會(huì )緊隨其后。毫無(wú)疑問(wèn)，
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三星率先發(fā)布3nm芯片，日本歐盟正在發(fā)力攻克2nm
- 關(guān)于芯片，大多數小伙伴了解到的，當下最先進(jìn)的生產(chǎn)工藝是5nm，當然也一直流傳臺積電正在研發(fā)3納米，甚至2納米的生產(chǎn)工藝。其中臺積電一直在技術(shù)上處于領(lǐng)先地位，可誰(shuí)也沒(méi)想到的是，三星率先發(fā)布了3nm芯片。在剛剛過(guò)去不久的IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會(huì )上，三星首發(fā)應用3nm工藝制造的SRAM存儲芯片，將半導體工藝再度推上一個(gè)進(jìn)程，國際固態(tài)電路大會(huì )我在之前的視頻里提到過(guò)好多次，是世界最權威的行業(yè)會(huì )議，所以這也證明的三星的技術(shù)實(shí)力真的很強。而我國目前在生產(chǎn)工藝上，最厲害的中芯國際也只停留在今年可以實(shí)現7nm試
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臺積電 3nm 制程本月已試產(chǎn)，量產(chǎn)時(shí)程將提前
- 3月30日消息去年 8 月，臺積電總裁魏哲家在臺積電技術(shù)論壇上表示，3nm 預計 2021 年試產(chǎn)，將于 2022 年下半年量產(chǎn)?！ 斅?lián)社，供應鏈消息傳出，臺積電 3nm 制程進(jìn)展順利，試產(chǎn)進(jìn)度優(yōu)于預期，已于 3 月開(kāi)始風(fēng)險性試產(chǎn)并小量交貨?！ ∨_積電對此消息回應稱(chēng)，不評論市場(chǎng)傳聞?！ T之家了解到，臺積電董事長(cháng)劉德音此前透露 3nm 按計劃時(shí)程發(fā)展，進(jìn)度甚至較原先預期超前?！ _媒Digitimes 此前報道，臺積電隸屬于 5nm 家族的 4nm 制程，原本預計 2021 年第四季度試產(chǎn)，2
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臺積電和蘋(píng)果合作致力2nm工藝開(kāi)發(fā)，傳聞3nm芯片訂單勢頭強勁
- 近期臺積電（TSMC）和蘋(píng)果更緊密和高效的合作，使得研發(fā)上取得了多項突破?！ ∧壳笆謾C開(kāi)始大量使用基于5nm工藝制造的芯片，即將推出的A15 Bionic預計將使用更先進(jìn)的N5P節點(diǎn)工藝制造，預計蘋(píng)果將在2021年占據臺積電80%的5nm產(chǎn)能。不過(guò)臺積電很快將向3nm工藝推進(jìn)，并且進(jìn)一步到2nm工藝，這都只是時(shí)間問(wèn)題?！ ccftech報道，為了更好地達成這些目標，臺積電和蘋(píng)果已聯(lián)手推動(dòng)芯片的開(kāi)發(fā)工作，將硅片發(fā)展推向極限。臺積電和蘋(píng)果都為了同一個(gè)目標而努力，不過(guò)受益者可能不只是蘋(píng)果，還有英特爾。臺
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臺積電今年提前投產(chǎn)3nm：Intel也要用！
- 在新制程工藝推進(jìn)速度上，臺積電已經(jīng)徹底無(wú)敵，Intel、三星都已經(jīng)望塵莫及。據最新消息，臺積電將在今年下半年提前投產(chǎn)3nm工藝，雖然只是風(fēng)險性試產(chǎn)和小規模量產(chǎn)，但也具有里程碑式的意義。很自然的，臺積電會(huì )在明年大規模量產(chǎn)3nm，初期產(chǎn)能每月大約3萬(wàn)塊晶圓，到了2023年可達每月10.5萬(wàn)塊晶圓，趕上目前5nm的產(chǎn)能，而后者在去年第四季度的產(chǎn)能為每月9萬(wàn)塊晶圓。根據臺積電數據，3nm雖然繼續使用FinFET晶體管，但是相比于5nm晶體管密度增加70％，性能可提升11％，或者功耗可降低27％。據悉，蘋(píng)果將是臺積
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消息稱(chēng)臺積電將量產(chǎn)3nm芯片：性能、功耗大幅優(yōu)于5nm
- 據外媒最新消息稱(chēng)，臺積電有望在2022年下半年開(kāi)始啟用3nm制造工藝，屆時(shí)該晶圓廠(chǎng)將有能力處理3萬(wàn)片使用更先進(jìn)技術(shù)打造的晶圓。據報道，得益于蘋(píng)果的訂單承諾，臺積電計劃在2022年將3nm工藝的月產(chǎn)能擴大到5.5萬(wàn)片，并將在2023年進(jìn)一步擴大產(chǎn)量至10.5萬(wàn)片。3nm工藝比5nm工藝的功耗和性能分別提升30%和15%。臺積電計劃在今年全年擴大5nm工藝的制造能力，以滿(mǎn)足主要客戶(hù)日益增長(cháng)的需求。根據今天的報告，臺積電將在2021年上半年將規模從2020年第四季度的9萬(wàn)片提升至每月10.5萬(wàn)片，并計劃在今年下
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CES上演芯片競賽 英特爾CEO司睿博：我們不是守成派
- 巨頭們進(jìn)一步更新自家產(chǎn)品線(xiàn)?！ ?月11-14日，CES消費電子展在線(xiàn)上拉開(kāi)2021年科技界的序幕，除了機器人、可穿戴、未來(lái)電視等終端產(chǎn)品之外，核心的芯片廠(chǎng)商也亮出大招，展開(kāi)新一代處理器的軍備競賽?！ ∑渲?，英特爾在CES發(fā)布會(huì )上猛秀技術(shù)肌肉，推出了四大全新處理器家族，主要面向PC端的商用、教育、移動(dòng)和游戲計算領(lǐng)域，一共涉及50多款處理器產(chǎn)品，并將在2021年推出500多款全新的筆記本電腦和臺式機。其中就包括第11代酷睿S系列臺式機處理器（代號 “Rocket Lake-S”）及其下一代處理器（代號
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臺積電與三星3nm開(kāi)發(fā)遇阻 量產(chǎn)時(shí)間或將推遲
- 據臺媒報道，業(yè)內人士透露，目前臺積電FinFET和三星GAA在3nm工藝的開(kāi)發(fā)過(guò)程中都遇到了瓶頸。因此二者3nm制程工藝的開(kāi)發(fā)進(jìn)度都將放緩。此前，按臺積電公布的計劃，3nm將于今年完成認證與試產(chǎn)，2022年投入大規模量產(chǎn)，甚至業(yè)界有傳聞稱(chēng)蘋(píng)果已率先包下臺積電3nm初期產(chǎn)能，成為臺積電3nm的第一批客戶(hù)。此前業(yè)界預計臺積電和三星的3nm工藝都會(huì )在2022年實(shí)現量產(chǎn)，而臺積電有望領(lǐng)先三星至少半年。此前臺積電曾宣稱(chēng)，其3nm工藝會(huì )比目前最新的5nm工藝性能提升10%-15%，功耗將降低20%-25%。臺積電20
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才用上5nm芯片！3nm就要來(lái)了？
- 外媒報道，臺積電和三星在3nm工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)中遇到了不同卻關(guān)鍵的瓶頸。 因此，臺積電和三星將不得不推遲3nm工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)進(jìn)度。不過(guò)，臺積電依然計劃，今年3nm工藝將完成試生產(chǎn)，并預計2022年批量投入生產(chǎn)。三星采用的是“GAAFET”架構，業(yè)內人士認為它可以更精確控制跨通道的電流，并有效縮小芯片面積以降低功耗。而臺積電使用的是更為成熟的“FinFET”架構以用于其3nm制程。截止目前，有報道稱(chēng)，蘋(píng)果已經(jīng)占據了臺積電的3nm工藝訂單中的很大一部分，意味著(zhù)蘋(píng)果會(huì )成為臺積電3nm工藝的首批客戶(hù)之一。若3nm工
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3nm finfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3nm finfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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