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finfet 文章 進(jìn)入finfet技術(shù)社區
英特爾最新的FinFET是其代工計劃的關(guān)鍵
- 在上周的VLSI研討會(huì )上，英特爾詳細介紹了制造工藝，該工藝將成為其高性能數據中心客戶(hù)代工服務(wù)的基礎。在相同的功耗下，英特爾 3 工藝比之前的工藝英特爾 4 性能提升了 18%。在該公司的路線(xiàn)圖上，英特爾 3 是最后一款使用鰭片場(chǎng)效應晶體管 （FinFET） 結構的產(chǎn)品，該公司于 2011 年率先采用這種結構。但它也包括英特爾首次使用一項技術(shù)，該技術(shù)在FinFET不再是尖端技術(shù)之后很長(cháng)一段時(shí)間內對其計劃至關(guān)重要。更重要的是，該技術(shù)對于該公司成為代工廠(chǎng)并為其他公司制造高性能芯片的計劃至關(guān)重要。它被稱(chēng)為偶極子功
- 關(guān)鍵字： 英特爾 FinFET 代工計劃
Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片
- 這款測試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專(zhuān)用測試芯片通過(guò)加快產(chǎn)品上市進(jìn)程、提供同類(lèi)最佳性能、及確保穩健的產(chǎn)品設計，堅定客戶(hù)對Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實(shí)了Dolphin Design在混合信號IP領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。2024年2月22日，法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號、處理知識產(chǎn)權（IP）以及ASIC設計的行業(yè)領(lǐng)先供應商Dolphin De
- 關(guān)鍵字： Dolphin Design 12納米 12nm FinFet 成功流片
晶體管進(jìn)入納米片時(shí)代
- 3D 芯片堆疊對于補充晶體管的發(fā)展路線(xiàn)圖至關(guān)重要。
- 關(guān)鍵字： FinFET
新思科技攜手是德科技、Ansys面向臺積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程
- 摘要：●? ?全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造，提供開(kāi)放、高效的射頻設計解決方案?！? ?業(yè)界領(lǐng)先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統的性能和功耗效率?！? ?集成的設計流程提升了開(kāi)發(fā)者的生產(chǎn)率，提高了仿真精度，并加快產(chǎn)品的上市時(shí)間。近日宣布，攜手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向臺積公司業(yè)界領(lǐng)先N4PRF工藝（4納米射頻FinFET工藝）的全新參考流程。該參考流程基于新思科技的定制設計系列產(chǎn)品，為追求更高預測精度
- 關(guān)鍵字： 新思科技 是德科技 Ansys 臺積公司 4 納米 射頻 FinFET 射頻芯片設計
是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺積電的先進(jìn)4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程
- ●? ?新參考流程采用臺積電 N4PRF 制程，提供了開(kāi)放、高效的射頻設計解決方案●? ?強大的電磁仿真工具可提升 WiFi-7 系統的性能和功率效率●? ?綜合流程可提高設計效率，實(shí)現更準確的仿真，從而更快將產(chǎn)品推向市場(chǎng)是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺積電的先進(jìn)4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程，助力RFIC半導體設計加速發(fā)展是德科技、新思科技公司和 Ansys 公司近日宣布攜手推出面向臺積電 N4PRF 制程的新參考流程。N4P
- 關(guān)鍵字： 是德科技 新思科技 Ansys 臺積電 4nm射頻 FinFET
IMEC發(fā)布1nm以下制程藍圖：FinFET將于3nm到達盡頭
- 近日，比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍圖，分享對應晶體管架構研究和開(kāi)發(fā)計劃。外媒報導，IMEC制程藍圖顯示，FinFET晶體管將于3納米到達盡頭，然后過(guò)渡到Gate All Around(GAA)技術(shù)，預計2024年進(jìn)入量產(chǎn)，之后還有FSFET和CFET等技術(shù)?！鱏ource：IMEC隨著(zhù)時(shí)間發(fā)展，轉移到更小的制程節點(diǎn)會(huì )越來(lái)越貴，原有的單芯片設計方案讓位給小芯片(Chiplet)設計。IMEC的制程發(fā)展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
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恩智浦攜手臺積電推出首創(chuàng )汽車(chē)級16納米FinFET嵌入式MRAM
- ● 恩智浦和臺積電聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用臺積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP● 借助MRAM，汽車(chē)廠(chǎng)商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級，消除量產(chǎn)瓶頸● 恩智浦計劃于2025年初推出采用該技術(shù)的新一代S32區域處理器和通用汽車(chē)MCU首批樣品 荷蘭埃因霍溫——2023年5月22日——恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）近日宣布與臺積電合作交付行業(yè)首創(chuàng )的采用16納米
- 關(guān)鍵字： 恩智浦 臺積電 FinFET 嵌入式MRAM
ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠(chǎng)聯(lián)合推進(jìn)FD-SOI
- 意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導體位于法國Crolles的現有晶圓廠(chǎng)旁邊新建一座聯(lián)合運營(yíng)的300毫米半導體晶圓廠(chǎng)。新工廠(chǎng)將支持多種半導體技術(shù)和工藝節點(diǎn)，包括FD-SOI。ST和GF預計，該晶圓廠(chǎng)將于2024年開(kāi)始生產(chǎn)芯片，到2026年將達到滿(mǎn)負荷生產(chǎn)，每年生產(chǎn)多達62萬(wàn)片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠，長(cháng)期以來(lái)一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來(lái)看，FD-SOI是一種技術(shù)含量較低的方法，可以實(shí)現FinF
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Intel 4制程技術(shù)細節曝光 具備高效能運算先進(jìn)FinFET
- 英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會(huì )，公布Intel 4制程的技術(shù)細節。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時(shí)達成兩項關(guān)鍵目標：它滿(mǎn)足開(kāi)發(fā)中產(chǎn)品的需求，包括PC客戶(hù)端的Meteor Lake，并推進(jìn)先進(jìn)技術(shù)和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術(shù)細節。對于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達成這些效能數據？ Intel 4于鰭片間距、接點(diǎn)間距以及低層金屬間距等關(guān)鍵尺寸（Critic
- 關(guān)鍵字： Intel 4 制程技術(shù) FinFET Meteor Lake
5nm及更先進(jìn)節點(diǎn)上FinFET的未來(lái)：使用工藝和電路仿真來(lái)預測下一代半導體的性能
- 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續為FinFET平臺帶來(lái)更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進(jìn)節點(diǎn)上，兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現更高的晶體管性能變得更具挑戰。泛林集團在與比利時(shí)微電子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D?虛擬制造技術(shù)來(lái)探索端到端的解決方案，運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開(kāi)發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法，以評估工藝變化對電路性能的影響。這項研究的目的是優(yōu)化先進(jìn)節點(diǎn)FinFET設計的源漏尺寸和側墻厚
- 關(guān)鍵字： 泛林 5nm FinFET
為技術(shù)找到核心 多元化半導體持續創(chuàng )新
- 觀(guān)察2021年主導半導體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢，可以從新的半導體技術(shù)來(lái)著(zhù)眼?；旧习雽w技術(shù)可以分為三大類(lèi)，第一類(lèi)是獨立電子、計算機和通訊技術(shù)，基礎技術(shù)是CMOS FinFET。在今天，最先進(jìn)的是5奈米生產(chǎn)制程，其中有些是FinFET 架構的變體。這是大規模導入極紫外光刻技術(shù)，逐步取代多重圖形光刻方法。 圖一 : 半導體的創(chuàng )新必須能轉化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道，目前三星、臺積電和英特爾等主要廠(chǎng)商與IBM 合作，正在開(kāi)發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會(huì )看到一種新的突破，因為他們最有可能轉向奈米片全環(huán)繞
- 關(guān)鍵字： CMOS FinFET ST
中芯國際FinFET工藝已量產(chǎn) 產(chǎn)能1.5萬(wàn)片
- 中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進(jìn)工藝的情況，表示FinFET工藝已經(jīng)達產(chǎn)，每月1.5萬(wàn)片，客戶(hù)不斷進(jìn)來(lái)。在最近的財報電話(huà)會(huì )上，中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進(jìn)工藝的情況，表示“我們的FinFET工藝已經(jīng)達產(chǎn)，每月1.5萬(wàn)片，客戶(hù)多樣化，不同的產(chǎn)品平臺都導入了。(這部分)產(chǎn)能處于緊俏狀態(tài)，客戶(hù)不斷進(jìn)來(lái)?！备鶕暗膱蟮?，中芯國際的FinFET工藝有多種類(lèi)型，其中第一代FinFET工藝是14nm及改進(jìn)型的12nm，目前1.5萬(wàn)片產(chǎn)能的主要就是14/12nm工藝，第二代則是n+1、n+2工藝，已
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 FinFET
新思科技與GF合作為12LP+FinFET解決方案開(kāi)發(fā)DesignWare IP產(chǎn)品組合
- 要點(diǎn)： 用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產(chǎn)品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等 兩家公司之間的長(cháng)期合作已成功實(shí)現了DesignWare IP核從180納米到12納米的開(kāi)發(fā)，可應用于廣泛領(lǐng)域新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）今日宣布與GLOBALFOUNDRIES?（GF?）開(kāi)展合作，開(kāi)發(fā)用于G
- 關(guān)鍵字： 新思科技 12LP+FinFET DesignWare IP
finfet介紹
FinFET稱(chēng)為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長(cháng)已可小于25奈米，未來(lái)預期可以進(jìn)一步縮小至9奈米，約是人類(lèi)頭發(fā)寬度的1萬(wàn)分之1。由于此一半導體技術(shù)上的突破，未來(lái)芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統標準的晶體管—場(chǎng)效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細 ]
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