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3nm finfet
3nm finfet 文章 進(jìn)入3nm finfet技術(shù)社區
Applied Materials公布適用于3nm與GAA晶體管制造的下一代工具
- 上月，三星代工（Samsung Foundry）部門(mén)悄然宣布，其定于 2022 年 2 季度開(kāi)始使用 3GAE 技術(shù)工藝來(lái)生產(chǎn)芯片。作為業(yè)內首個(gè)采用 GAA 晶體管的 3nm 制程工藝，可知這一術(shù)語(yǔ)特指“3nm”、“環(huán)柵晶體管”、以及“早期”。不過(guò)想要高效地制造 GAA 晶體管，晶圓廠(chǎng)還必須裝備全新的生產(chǎn)工具。 而來(lái)自應用材料（Applied Materials）公司的下一代工具，就將為包括三星在內的晶圓廠(chǎng)提供 GAA 芯片的制造支持。（來(lái)自：Applied Materials 官網(wǎng) ，via
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三星正推進(jìn)3nm工藝二季度量產(chǎn) 若實(shí)現將先于臺積電量產(chǎn)
- 據國外媒體報道，在7nm和5nm制程工藝的量產(chǎn)時(shí)間上基本能跟上臺積電節奏的三星電子，在更先進(jìn)的3nm制程工藝上有望先于臺積電量產(chǎn)，有報道稱(chēng)他們正推進(jìn)在二季度量產(chǎn)。三星電子在二季度的展望中提到，他們的技術(shù)領(lǐng)先將通過(guò)首個(gè)大規模量產(chǎn)的全環(huán)繞柵極晶體管3nm工藝進(jìn)一步加強，他們也將擴大供應，確保獲得全球客戶(hù)新的訂單，包括美國和歐洲客戶(hù)的訂單。外媒的報道顯示，三星電子方面已經(jīng)宣布，他們早期3nm級柵極全能（3GAE）工藝將在二季度量產(chǎn)。三星電子宣布的這一消息，也就意味著(zhù)業(yè)界首個(gè)3nm制程工藝即將量產(chǎn)，將是首個(gè)采用全
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5nm及更先進(jìn)節點(diǎn)上FinFET的未來(lái)：使用工藝和電路仿真來(lái)預測下一代半導體的性能
- 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續為FinFET平臺帶來(lái)更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進(jìn)節點(diǎn)上，兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現更高的晶體管性能變得更具挑戰。泛林集團在與比利時(shí)微電子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D?虛擬制造技術(shù)來(lái)探索端到端的解決方案，運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開(kāi)發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法，以評估工藝變化對電路性能的影響。這項研究的目的是優(yōu)化先進(jìn)節點(diǎn)FinFET設計的源漏尺寸和側墻厚
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外媒稱(chēng)三星3nm工藝良品率可能仍遠不及預期 僅10%-20%
- 據國外媒體報道，在2月份有報道稱(chēng)臺積電的3nm工藝遇到良品率難題，可能影響到AMD、英偉達等部分客戶(hù)的產(chǎn)品路線(xiàn)圖之后，又出現了三星電子3nm工藝的良品率遠不及預期的消息。韓國媒體的報道顯示，三星電子3nm制程工藝的良品率，才到10%-20%，遠不及公司期望的目標，在提升3nm工藝的良品率方面，也陷入了掙扎。另外，三星4nm工藝制造的良率也不盡如人意，僅為30%-35%。三星電子和臺積電是目前已順利量產(chǎn)5nm工藝，并在推進(jìn)3nm工藝量產(chǎn)事宜的晶圓代工商，與臺積電繼續采用鰭式場(chǎng)效應晶體管（FinFET）架構不
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臺積電3nm工廠(chǎng)支援生產(chǎn)：5nm訂單激增
- 日前，由于蘋(píng)果、AMD、聯(lián)發(fā)科等客戶(hù)5nm訂單積累太多，臺積電不得不先把3nm工廠(chǎng)臨時(shí)拉出來(lái)給5nm擴產(chǎn)。今年有大量芯片會(huì )升級5nm工藝或者改進(jìn)版的4nm工藝，蘋(píng)果這邊有M1/M1 Pro/M1 Max，M2系列很快也要量產(chǎn)了，產(chǎn)能需求很高。 除了蘋(píng)果這個(gè)VVVIP客戶(hù)之外，AMD今年也會(huì )有5nm Zen4架構處理器及5nm RDNA3架構GPU芯片，他們也是最重要的5nm工藝客戶(hù)之一。聯(lián)發(fā)科今天發(fā)布了天璣8100/8000處理器，也是臺積電5nm工藝，投片量也不低，NVIDIA
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臺積電：投資6000多億建3nm、2nm晶圓廠(chǎng)
- 由于半導體芯片產(chǎn)能緊缺，臺積電此前宣布三年內投資1000億美元，約合6300多億人民幣，主要用于建設新一代的3nm、2nm芯片廠(chǎng)，蓋長(cháng)的需求太高，現在連建筑用的磚塊都要搶購了。據《財訊》報道，這兩年芯片產(chǎn)能緊缺，但是比芯片產(chǎn)能更缺的還有一種建材——白磚，連臺積電都得排隊搶購。這種磚塊是一種特殊的建材，具備隔音、輕量、隔熱、防火、環(huán)保、便利等優(yōu)點(diǎn)，重量只有傳統紅磚的一半左右，是很多工廠(chǎng)及房產(chǎn)建設中都需要的材料。對臺積電來(lái)說(shuō)，一方面它們自己建設晶圓廠(chǎng)需要大量白磚，另一方面它們在當地某個(gè)城市建設晶圓廠(chǎng)，往往還會(huì )
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臺積電3nm良率難提升 多版本3nm工藝在路上
- 近日，關(guān)于臺積電3nm工藝制程有了新消息，據外媒digitimes最新報道，半導體設備廠(chǎng)商透露，臺積電3納米良率拉升難度飆升，臺積電因此多次修正3納米藍圖。實(shí)際上，隨著(zhù)晶體管數量的堆積，內部結構的復雜化，3nm工藝制程的良品率確實(shí)很難快速提升，達成比較好的量產(chǎn)水平。因此，臺積電或將規劃包括N3、N3E與N3B等多個(gè)不同良率和制程工藝的技術(shù)，以滿(mǎn)足不同廠(chǎng)商的性能需求，正如同去年蘋(píng)果在A(yíng)15上進(jìn)行不同芯片性能閹割一致，即能滿(mǎn)足量產(chǎn)需求，還能平攤制造成本，保持利潤。此外，還有消息稱(chēng)臺積電將在2023年第一季度開(kāi)
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消息稱(chēng)英特爾計劃與臺積電敲定3nm芯片生產(chǎn)計劃
- 據業(yè)內消息人士透露，英特爾高管正準備訪(fǎng)問(wèn)芯片代工巨頭臺積電，以求敲定3納米芯片的生產(chǎn)計劃，避免與蘋(píng)果公司爭奪產(chǎn)能。最新消息呼應了之前的傳聞，即英特爾正在考慮將生產(chǎn)外包給臺積電，并稱(chēng)未來(lái)幾周雙方將舉行會(huì )談。有報道稱(chēng)兩家公司的高管將在本月中旬會(huì )面，專(zhuān)門(mén)洽談3nm工藝代工事宜，雙方還將探討2nm工藝的合作。英特爾始終堅持自己制造CPU，但近年來(lái)在這方面落后于臺積電，其CPU不僅功耗高，而且效率更低。這促使蘋(píng)果致力于逐步淘汰用于Mac的英特爾芯片，并計劃用自主研發(fā)的Apple Silicon取而代之。英特爾是目前
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傳臺積電開(kāi)始試產(chǎn)3納米芯片，2023年款iPhone有望應用
- 12月3日消息，蘋(píng)果芯片制造合作伙伴臺積電目前已經(jīng)開(kāi)始試產(chǎn)3納米芯片，預計將在明年第四季度實(shí)現量產(chǎn)，這種芯片2023年有望出現在蘋(píng)果最新款的iPhone智能手機中?！ I(yè)內人士透露，臺積電已在旗下晶圓廠(chǎng)Fab 18廠(chǎng)開(kāi)始利用3納米制程工藝進(jìn)行芯片的試生產(chǎn)，并計劃在2022年第四季度前實(shí)現量產(chǎn)?！ ∩显掠袌蟮婪Q(chēng)，蘋(píng)果將在Mac、iPhone和iPad上使用3納米芯片。盡管有傳言稱(chēng)2022年發(fā)布的iPhone 14會(huì )采用3納米芯片，但新報道稱(chēng)預計將從2023年推出的新款iPhone和Mac開(kāi)始?！ ∧壳?/li>
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決戰3nm —— 三星和臺積電誰(shuí)會(huì )最先沖過(guò)終點(diǎn)線(xiàn)？
- 隨著(zhù)近年來(lái)芯片制造巨頭在半導體產(chǎn)業(yè)中的地位日益凸顯 ，先進(jìn)制程正成為全球各國科技角力場(chǎng)的最前線(xiàn)。而最新的戰火，已經(jīng)燒到3nm制程。TrendForce數據最新顯示，目前臺積電的市場(chǎng)份額接近52.9%，是全球最大的芯片代工企業(yè)，而三星位居第二，市場(chǎng)份額為17.3%。在近幾個(gè)季度的財報會(huì )議上，臺積電總裁魏哲家就透露，3nm晶圓片計劃今年下半年風(fēng)險試產(chǎn)，明年可實(shí)現量產(chǎn)。而三星也一直對3nm工藝寄予厚望，不僅在多年前就已開(kāi)始投入研發(fā)事宜，更在今年上半年宣布預備投入1160億美元研發(fā)和生產(chǎn)3nm制程，以期趕超臺積電
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領(lǐng)先蘋(píng)果！Intel 3nm處理器曝光 性能提升10~15%
- 近日，據最新消息顯示，臺積電供應鏈透露，Intel將領(lǐng)先蘋(píng)果，率先采用臺積電3nm制程生產(chǎn)繪圖芯片、服務(wù)器處理器。同時(shí)，報告中還顯示，明年Q2開(kāi)始在臺積電18b廠(chǎng)投片，明年7月量產(chǎn)，實(shí)際量產(chǎn)時(shí)間較原計劃提早一年。 在此之前就有消息稱(chēng)，Intel已經(jīng)規劃了至少兩款基于臺積電3nm工藝的芯片產(chǎn)品，分別是筆記本CPU和服務(wù)器CPU，最快2022年底投入量產(chǎn)。按照臺積電之前的說(shuō)法，相較于5nm，3nm工藝性能提升10~15%，功耗降低了25~30%。 除此之外，
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為技術(shù)找到核心 多元化半導體持續創(chuàng )新
- 觀(guān)察2021年主導半導體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢，可以從新的半導體技術(shù)來(lái)著(zhù)眼?；旧习雽w技術(shù)可以分為三大類(lèi)，第一類(lèi)是獨立電子、計算機和通訊技術(shù)，基礎技術(shù)是CMOS FinFET。在今天，最先進(jìn)的是5奈米生產(chǎn)制程，其中有些是FinFET 架構的變體。這是大規模導入極紫外光刻技術(shù)，逐步取代多重圖形光刻方法。 圖一 : 半導體的創(chuàng )新必須能轉化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道，目前三星、臺積電和英特爾等主要廠(chǎng)商與IBM 合作，正在開(kāi)發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會(huì )看到一種新的突破，因為他們最有可能轉向奈米片全環(huán)繞
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中芯國際FinFET工藝已量產(chǎn) 產(chǎn)能1.5萬(wàn)片
- 中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進(jìn)工藝的情況，表示FinFET工藝已經(jīng)達產(chǎn)，每月1.5萬(wàn)片，客戶(hù)不斷進(jìn)來(lái)。在最近的財報電話(huà)會(huì )上，中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露了公司的先進(jìn)工藝的情況，表示“我們的FinFET工藝已經(jīng)達產(chǎn)，每月1.5萬(wàn)片，客戶(hù)多樣化，不同的產(chǎn)品平臺都導入了。(這部分)產(chǎn)能處于緊俏狀態(tài)，客戶(hù)不斷進(jìn)來(lái)?！备鶕暗膱蟮?，中芯國際的FinFET工藝有多種類(lèi)型，其中第一代FinFET工藝是14nm及改進(jìn)型的12nm，目前1.5萬(wàn)片產(chǎn)能的主要就是14/12nm工藝，第二代則是n+1、n+2工藝，已
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蘋(píng)果A16處理器或不再首發(fā)臺積電3nm工藝
- 我們知道，蘋(píng)果的A系列處理器一般來(lái)說(shuō)都是每年首發(fā)臺積電最新工藝，不過(guò)，根據爆料，在3nm節點(diǎn)上，蘋(píng)果的A16處理器或不再首發(fā)跟進(jìn)，會(huì )繼續用5nm改進(jìn)的4nm工藝，3nm處理器可能會(huì )在iPad上首發(fā)。另一方面，臺積電的3nm工藝（代號N3）也確實(shí)跳票了，此前的財報會(huì )上，臺積電表示，與5nm和7nm相比，3nm確實(shí)有3-4個(gè)月的延遲。臺積電稱(chēng)，事實(shí)上3nm工藝無(wú)論在客戶(hù)產(chǎn)品設計還是加工工藝上都很復雜，他們也在與客戶(hù)密切溝通以最好地滿(mǎn)足他們的需求。據了解，N3計劃2021年進(jìn)行風(fēng)險生產(chǎn)，2022年下半年開(kāi)始量產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 A16 臺積電 3nm
3nm finfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3nm finfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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