資訊 | 臺積電公布最新技術(shù)進(jìn)展！3nm明年量產(chǎn)
加入技術(shù)交流群
“數字化轉型為半導體行業(yè)開(kāi)辟了一個(gè)充滿(mǎn)機遇的新世界，我們的全球技術(shù)研討會(huì )強調了我們增強和擴展技術(shù)組合的許多方法，以釋放客戶(hù)的創(chuàng )新，”臺積電CEO魏哲家在大會(huì )上說(shuō)道。
015nm家族添新成員，解決汽車(chē)計算需求
臺積電將其領(lǐng)先的工藝節點(diǎn)分為三個(gè)產(chǎn)品家族：7nm、5nm和即將推出的3nn工藝節點(diǎn)，正如許多人在過(guò)去幾年中注意到的那樣，臺積電自2018年推出7nm節點(diǎn)并實(shí)現大規模量產(chǎn)后，在芯片制造領(lǐng)域超越競爭對手取得領(lǐng)先地位，到今天也還是如此。
迄今為止，臺積電7nm芯片出貨已超過(guò)10億顆，已經(jīng)被納入越來(lái)越成熟的工藝。且隨著(zhù)許多客戶(hù)遷移到更先進(jìn)的工藝節點(diǎn)，7nm產(chǎn)能增速放緩，預計2021年產(chǎn)能僅增加14%，與曾經(jīng)16nm工藝系列產(chǎn)能進(jìn)展類(lèi)似。與之對應的，目前代工廠(chǎng)主要專(zhuān)注于5nm和即將推出的3nm芯片產(chǎn)品。臺積電5nm工藝節點(diǎn)自2020年開(kāi)始量產(chǎn)，為數以?xún)|計的SoC提供動(dòng)力，一方面越來(lái)越多的公司設計更多5nm產(chǎn)品，另一方面臺積電擁有全球大約50%的EUV半導體設備，因此臺積電5nm進(jìn)展十分順利，更是在此次技術(shù)研討會(huì )上又添新成員——N5A。
臺積電官方介紹，N5A工藝旨在應對當今對計算能力需求不斷增加的汽車(chē)應用，例如支持AI輔助駕駛和座艙數字化，N5A將當今超級計算機中所使用的技術(shù)引入汽車(chē)，在滿(mǎn)足AEC-Q100 2 級以及其他汽車(chē)安全和質(zhì)量標準的可靠性要求的同時(shí)，滿(mǎn)足N5的性能、功率和邏輯密度。
由于有臺積電汽車(chē)設計平臺的支持，N5A計劃于2022年第三季度上市。
023nm明年量產(chǎn)，5G射頻將升級到6nm
臺積電也透露了其4nm和3nm的最新進(jìn)展。采用與N5幾乎近相同設計法則的4nm加強版在性能、功耗和集體管密度上均進(jìn)一步提升，通過(guò)邏輯的光學(xué)微縮、標準單元庫的改進(jìn)和設計規則的推動(dòng)，N4的晶體管密度較N5提升6%。臺積電還聲稱(chēng)，N4自2020年技術(shù)研討會(huì )上宣布以來(lái)進(jìn)展順利，預計2021年第三季度風(fēng)險量產(chǎn)。
3nm方面，依靠業(yè)經(jīng)驗證的FinFET晶體管架構，得以實(shí)現最佳性能、功耗和成本效益，與N5相比，臺積電N3性能提升15%、功耗降低30%、邏輯密度增加70%，有望在2022年下半年開(kāi)始量產(chǎn)，同時(shí)成為世界上最先進(jìn)的芯片制造技術(shù)。
擁有龐大市場(chǎng)的手機SoC制程的更新?lián)Q代已不足為奇，如今5nm已經(jīng)成為旗艦手機的標配，隨著(zhù)臺積電3nm開(kāi)始量產(chǎn)，可以預測各家手機廠(chǎng)商的旗艦手機SoC也將更新至3nm。不過(guò)射頻芯片沒(méi)有像手機SoC制程一樣頻繁升級，依然使用16nm左右制程，但這一局面可能會(huì )在未來(lái)有所改變。
與4G相比，5G智能手機需要更大的芯片面積、消耗更多的電量才能提供更高的無(wú)線(xiàn)傳輸速率，支持5G的芯片集成很多功能和組件，尺寸變大且與電池競爭空間。因此，本次研討會(huì )上，臺積電首次推出N6RF工藝，將其先進(jìn)的邏輯工藝的功耗、性能和面積優(yōu)勢帶到5G射頻（RF）和WiFi 6、WiFi 6E解決方案中，預計N6RF晶體管性能將比上一代16nm射頻技術(shù)高出16%以上。
此外，臺積電還稱(chēng)，N6RF支持低于6GHz和毫米波頻段的5G射頻收發(fā)器，降低功耗和面積，且不會(huì )影響為消費者提供的性能、功能和電池壽命臺積電N6RF還將增強WiFi 6/6E的性能和電源效率。
03持續擴展3DFabric先進(jìn)封裝
臺積電還公布了其在先進(jìn)封裝方面的最新進(jìn)展。
在高性能計算應用領(lǐng)域，臺積電將在2021年為其InFO_oS 和 CoWoS封裝解決方案提供更大的光罩尺寸，從而為小芯片和高帶寬內存集成提供更大的二維平面。此外，臺積電的SoIC-CoW預計今年完成N7對N7的驗證，并將于2022年在全新的全自動(dòng)化晶圓廠(chǎng)中開(kāi)始生產(chǎn)。
在移動(dòng)應用領(lǐng)域，臺積電推出InFO_B解決方案，制造將強大的移動(dòng)處理器集成在薄而緊湊的封裝中，性能增強、電源效率變高，并支持移動(dòng)設備制造商在鳳裝飾的DEAM堆疊。
值得注意的是，在同期舉行的Computex大會(huì )上，AMD展示了其3D小芯片的首個(gè)應用，并稱(chēng)通過(guò)與臺積電的密切合作，其3D小芯片技術(shù)比當前的3D封裝解決方案耗能更少，堆疊更靈活。AMD同時(shí)表示，有望在2021年底之前開(kāi)始生產(chǎn)具有3D小芯片的高端計算產(chǎn)品。
文稿來(lái)源：快科技
*博客內容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布，僅代表博主個(gè)人觀(guān)點(diǎn)，如有侵權請聯(lián)系工作人員刪除。
