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3nm finfet
3nm finfet 文章 進(jìn)入3nm finfet技術(shù)社區
半導體制程技術(shù)競爭升溫
- 要判定FinFET、FD-SOI與平面半導體制程各自的市場(chǎng)版圖還為時(shí)過(guò)早… 盡管產(chǎn)量仍然非常少，全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計畫(huà)(參考閱讀)之后快速成長(cháng);而市 場(chǎng)研究機構International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示，三星(Samsung)或將在中國上海成立的一座新晶圓廠(chǎng)是否會(huì )采用FD
- 關(guān)鍵字： 制程 FinFET
移動(dòng)處理器工藝制程挑戰技術(shù)極限 FinFET成主流
- 隨著(zhù)半導體工藝技術(shù)的進(jìn)步與智能手機對極致效能的需求加劇，移動(dòng)處理器的工藝制程正在邁向新的高度。目前，全球領(lǐng)先的晶圓代工廠(chǎng)商已經(jīng)將工藝制程邁向10納米FinFET工藝，16/14納米節點(diǎn)的SoC也已實(shí)現量產(chǎn)，那么半導體技術(shù)節點(diǎn)以摩爾定律的速度高速發(fā)展至今，移動(dòng)處理器的工藝制程向前演進(jìn)又存在哪些挑戰?同時(shí)，進(jìn)入20納米技術(shù)節點(diǎn)之后傳統的CMOS工藝式微，這將給FinFET與FD-SOI工藝在技術(shù)與應用上帶來(lái)怎樣的發(fā)展變革? 5納米節點(diǎn)是目前技術(shù)極限 摩爾定律被修正意義仍在
- 關(guān)鍵字： 處理器 FinFET
全球首家：臺積電公布5納米FinFET技術(shù)藍圖
- 臺積電7月14日首度揭露最先進(jìn)的5納米FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)技術(shù)藍圖。臺積電規劃，5納米FinFET于2020年到位，開(kāi)始對外提供代工服務(wù)，是全球首家揭露5納米代工時(shí)程的晶圓代工廠(chǎng)。 臺積電透露，配合客戶(hù)明年導入10納米制程量產(chǎn)，臺積電明年也將推出第二代后段整合型扇形封裝(InFO)服務(wù)。臺積電強化InFO布局，是否會(huì )威脅日月光、矽品等專(zhuān)業(yè)封測廠(chǎng)，業(yè)界關(guān)注。 臺積電在晶圓代工領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先，是公司維持高獲利的最大動(dòng)能，昨天的新聞發(fā)布會(huì )上，先進(jìn)制程布局，成為法人另一個(gè)關(guān)注焦點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字： 臺積電 FinFET
半導體走到3nm制程節點(diǎn)不成問(wèn)題
- 在剛剛閉幕的2016年ITF(IMEC全球科技論壇)上，世界領(lǐng)先的獨立納米技術(shù)研究機構——IMEC的首席執行官Luc van den Hove指出，“scaling(尺寸縮小)還會(huì )繼續，我不僅相信它將會(huì )繼續，而且我認為它不得不繼續。” 他認為，目前從技術(shù)層面來(lái)說(shuō)，FINFET、Lateral Nanowire(橫向納米線(xiàn)) 和Vertical Nanowire(縱向納米線(xiàn))已經(jīng)可以幫我們持續推進(jìn)到3nm的制程節點(diǎn)。EUV光刻技術(shù)將是未來(lái)的唯一選擇。
- 關(guān)鍵字： 3nm 半導體
華人胡正明獲美國最高科技獎：FinFET發(fā)明人
- 據中新網(wǎng)、網(wǎng)易等報道，當地時(shí)間2016年5月19日，美國總統奧巴馬在白宮為2015年度美國最高科技獎項獲得者頒獎，包括9名國家科學(xué)獎獲得者和8名國家技術(shù)和創(chuàng )新獎獲得者。其中兩張華裔面孔格外引人注意，包括80歲高齡的何南施女士(Nancy ho)，出生于南京，1957年畢業(yè)于臺灣大學(xué)。 她1993年制造出一種酵母，除了讓木糖發(fā)酵，也可以吧果糖變成乙醇，因此能夠利用稻草之類(lèi)的非食用材料大量制造乙醇，幫助減少對進(jìn)口石油的依賴(lài)。 另一位是胡正明教授，他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在臺灣長(cháng)大，后
- 關(guān)鍵字： FinFET
FD-SOI會(huì )是顛覆性技術(shù)嗎？
- 全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車(chē)市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來(lái)說(shuō)，業(yè)界主導廠(chǎng)商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著(zhù)為這項技術(shù)背書(shū)。 “我認為，FD-SOI正蓄勢待發(fā)。也許還得經(jīng)過(guò)幾年的時(shí)間，但它終將獲得新的動(dòng)能，并發(fā)展成為一項關(guān)鍵技術(shù)，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng )
- 關(guān)鍵字： FD-SOI FinFET
中國真的對FD-SOI制程技術(shù)有興趣？
- 身為一位記者，我發(fā)現撰寫(xiě)有關(guān)于“熱門(mén)”公司、技術(shù)與人物的報導，要比我通常負責的技術(shù)主題容易得多;一旦我寫(xiě)了那些“時(shí)髦”的標題，我會(huì )確實(shí)感受到人氣飆漲。 因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫(xiě)那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統候選人川普(Donald Trump)、蘋(píng)果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫(xiě)冷門(mén)題材、比較少人討論的話(huà)題，挑戰性就高得多;部分讀者會(huì )有先入為主的看法，認為那 些題目不關(guān)他們
- 關(guān)鍵字： FD-SOI FinFET
針對高性能計算7納米 FinFET工藝，ARM與臺積電簽訂長(cháng)期戰略合作協(xié)議
- ARM和臺積電宣布簽訂針對7納米 FinFET工藝技術(shù)的長(cháng)期戰略合作協(xié)議，涵蓋了未來(lái)低功耗，高性能計算SoC的設計方案。該合作協(xié)議進(jìn)一步擴展了雙方的長(cháng)期合作關(guān)系，并將領(lǐng)先的工藝技術(shù)從移動(dòng)手機延伸至下一代網(wǎng)絡(luò )和數據中心。此外，該協(xié)議還拓展了此前基于A(yíng)RM? Artisan? 基礎物理IP 的16納米和10納米 FinFET工藝技術(shù)合作?！ RM全球執行副總裁兼產(chǎn)品事業(yè)群總裁
- 關(guān)鍵字： ARM FinFET
三星14nm LPE FinFET電晶體揭密
- 三星(Samsung)即將量產(chǎn)用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程，這項消息持續引發(fā)一些產(chǎn)業(yè)媒體的關(guān)注。三星第二代14nm LPP制程為目前用于其Exynos 7 SoC與蘋(píng)果(Apple) A9 SoC的第一代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了進(jìn)一步的更新。 業(yè)界目前共有三座代工廠(chǎng)有能力制造這種鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)：英特爾(Intel)、三星 和臺積電(TSMC)。TechInsights曾經(jīng)在去年
- 關(guān)鍵字： 三星 FinFET
5納米制程技術(shù)挑戰重重 成本之高超乎想象
- 半導體業(yè)自28納米進(jìn)步到22/20納米，受193i光刻機所限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)(DP)。再進(jìn)一步發(fā)展至16/14納米時(shí)，大多采用finFET技術(shù)。如今finFET技術(shù)也一代一代升級，加上193i的光學(xué)技術(shù)延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來(lái)到10納米甚至7納米時(shí)，基本上可以使用同樣的設備，似乎己無(wú)懸念，只是芯片的制造成本會(huì )迅速增加。然而到5納米時(shí)肯定是個(gè)坎，因為如果EUV不能準備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(shù)(FP)，這已引起全球業(yè)界的關(guān)注。 而對于更先進(jìn)5納米生產(chǎn)線(xiàn)來(lái)說(shuō)，至今業(yè)界
- 關(guān)鍵字： 5納米 finFET
3nm finfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3nm finfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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