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5nm
5nm 文章 進(jìn)入5nm技術(shù)社區
臺積電準備推出基于12和5nm工藝節點(diǎn)的下一代HBM4基礎芯片
- 在 HBM4 內存帶來(lái)的幾大變化中，最直接的變化之一就是內存接口的寬度。隨著(zhù)第四代內存標準從已經(jīng)很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內存堆棧將不會(huì )像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現在更先進(jìn)的封裝方法，以適應更寬的內存。作為 2024 年歐洲技術(shù)研討會(huì )演講的一部分，臺積電提供了一些有關(guān)其將為 HBM4 制造的基礎模具的新細節，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來(lái)完成這項任務(wù)，該公司有望在 HBM4 制造工藝中占據有
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Meta 展示新款 MTIA 芯片：5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz
- 4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日發(fā)布新聞稿，介紹了新款 MTIA 芯片的細節。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝，采用更大的物理設計（擁有更多的處理核心），功耗也從 25W 提升到了 90W，時(shí)鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個(gè)數據中心使用新款 MTIA 芯片，與 MTIA v1 相比，整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動(dòng)表示
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英特爾披露5nm“中國特供版”AI 芯片，性能或暴降92%，最快6月推出
- 關(guān)于英特爾Gaudi 3的“中國特供版” AI 芯片有了新進(jìn)展。4月15日消息，芯片巨頭英特爾（Intel）日前在官網(wǎng)發(fā)布一份24頁(yè)的“Gaudi 3 AI加速器白皮書(shū)”中披露，英特爾將推出Gaudi 3在中國發(fā)售的兩款“特供版”AI 芯片產(chǎn)品。英特爾Gaudi 3 AI芯片（圖片來(lái)源：Intel官網(wǎng)）具體包括兩種硬件形態(tài)加速卡：一款型號為HL-328的OAM兼容夾層卡（Mezzanine Card），預計將于今年6月24日推出；另一款是型號為HL-388的PCle加速卡，預計將于今年9月24日推出。而基
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使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝
- ●? ?介紹隨著(zhù)技術(shù)推進(jìn)到1.5nm及更先進(jìn)節點(diǎn)，后段器件集成將會(huì )遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實(shí)現具有挑戰性的制造工藝，需要進(jìn)行工藝調整。為應對這些挑戰，我們嘗試在1.5nm節點(diǎn)后段自對準圖形化中使用半大馬士革方法。我們在imec生產(chǎn)了一組新的后段器件集成掩膜版，以對單大馬士革和雙大馬士革進(jìn)行電性評估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前兩類(lèi)是1.5nm節點(diǎn)后段的最小目標金屬間距
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未來(lái)的半導體第一大國 印度自研96核CPU來(lái)了：直接上5nm
- 5月22日消息，在半導體領(lǐng)域，印度也燃起了雄心，此前沒(méi)啥基礎的他們都要勵志在5年內做全球第一的半導體大國，而且全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，印度高性能計算中心C-DAC本周就公布了自己研發(fā)的Aum HPC處理器，最多96核，而且是5nm工藝。在高性能計算市場(chǎng)，ARM處理器近年來(lái)確實(shí)取得了一些成績(jì)，富士通研發(fā)的48核A64FX處理器之前還成為T(mén)OP500超算第一，NVIDIA也有72核到144核的Grace處理器，Ampere公司之前推出了80核的ARM處理器。這幾天Ampere還推出了新一代的云數據中心處理器“Amper
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4~5nm良率逐漸穩定，客戶(hù)訂單增加？三星回應
- 據《科創(chuàng )板日報》報道，針對“因4~5納米先進(jìn)制程良率逐漸穩定，客戶(hù)訂單正逐漸增加，稼動(dòng)率也相應反彈，12英寸稼動(dòng)率回升至九成?！边@一市場(chǎng)消息，三星半導體對其進(jìn)行了回應。報道指出，三星半導體相關(guān)負責人回應表示，“暫無(wú)法透露最新良率或者客戶(hù)情況。正如我們在2022年4月的財務(wù)電話(huà)會(huì )議上所提及，5nm制程良率自去年年初以來(lái)已穩定下來(lái)，而4nm制程良率也已得到了提升，自2022年第一季度以來(lái)一直在預期的軌道上。自此4~5nm制程良率已經(jīng)穩定了?！睋n國媒體BusinessKorea報道，三星4納米制程良率相較之前
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AMD 推出首款 5nm 基于 ASIC 的媒體加速器卡，開(kāi)啟大規模交互式流媒體服務(wù)新時(shí)代
- 2023 年 4 月 6 日，加利福尼亞州圣克拉拉 — AMD （超威，納斯達克股票代碼：AMD）今日宣布推出 AMD Alveo? MA35D 媒體加速器，該卡具備兩個(gè) 5 納米基于 ASIC 的、支持 AV1 壓縮標準的視頻處理單元（ VPU ），專(zhuān)為推動(dòng)大規模直播互動(dòng)流媒體服務(wù)新時(shí)代而打造。隨著(zhù)全球視頻市場(chǎng)超 70% 的份額由直播內容主導1，一類(lèi)新型的低時(shí)延、大容量交互式流媒體應用正在涌現，例如連線(xiàn)觀(guān)賞、直播購物、在線(xiàn)拍賣(mài)和社交流媒體。?AMD Alveo MA35D 媒體加速器Alveo
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支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng )新
- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動(dòng)應用程序、數據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進(jìn)行復雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(cháng)。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線(xiàn)太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺，包括一個(gè)或多
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第三大CPU架構RISC-V沖向5nm 192核 國產(chǎn)版也要來(lái)了：?jiǎn)魏诵阅苡畜@喜
- 作為僅次于x86、ARM的第三大CPU架構，RISC-V憑借開(kāi)源、免費的優(yōu)勢迅速發(fā)展，之前主要用于低功耗市場(chǎng)，但是現在也開(kāi)始沖擊高性能領(lǐng)域，Ventana公司日前已經(jīng)做出了5nm 192核的芯片。Ventana公司日前發(fā)布了第一款產(chǎn)品Veyron V1，該公司研發(fā)了一種高性能RISC-V架構，每個(gè)CPU模塊中有16個(gè)RISC-V內核，頻率3.6GHz，整合48MB緩存，整個(gè)處理器可以集成12個(gè)CPU模塊，做到192核，臺積電5nm工藝生產(chǎn)制造，還有自己開(kāi)發(fā)的高性能IO核心，延遲低至7ns，接近原生核心性能
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持續突破，概倫電子NanoSpice?通過(guò)三星代工廠(chǎng)5nm工藝技術(shù)認證
- 概倫電子宣布其高性能并行SPICE仿真器NanoSpice?通過(guò)三星代工廠(chǎng)5nm工藝技術(shù)認證，滿(mǎn)足雙方共同客戶(hù)對高精度、大容量和高性能的高端電路仿真需求。三星5nm工藝可以提高良率、降低功耗并改善性能，這就需要更高精度的電路仿真和驗證工具來(lái)實(shí)現更優(yōu)化的先進(jìn)IC設計。NanoSpice?的認證屬于三星代工廠(chǎng)的EDA認證項目，該仿真器可支持最新版的OMI接口（開(kāi)放模型接口），在模擬IP的大規模后仿網(wǎng)表仿真中表現出良好的仿真收斂性和準確性，幫助雙方共同客戶(hù)充滿(mǎn)信心地設計，縮短設計周期的同時(shí)確保更高精度。作為新一
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Credo正式推出基于臺積電5nm及4nm先進(jìn)制程工藝的全系列112G SerDes IP產(chǎn)品
- ?Credo Technology（納斯達克股票代碼：CRDO）近日正式宣布推出其基于臺積電5nm及4nm制程工藝的112G PAM4 SerDes IP全系列產(chǎn)品，該系列能夠全面覆蓋客戶(hù)在高性能計算、交換芯片、人工智能、機器學(xué)習、安全及光通信等領(lǐng)域的廣泛需求，包括：超長(cháng)距（LR+）、長(cháng)距（LR）、中距（MR）、超極短距（XSR+）以及極短距（XSR）。?Credo IP產(chǎn)品業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)助理副總裁Jim Bartenslager表示， “Credo先進(jìn)的混合信號以及數字信號處理（DSP）1
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臺積電美國 5nm 芯片廠(chǎng)舉行上梁典禮，預計 2024 年量產(chǎn)
- IT之家7 月 28 日消息，兩年前，臺積電宣布將投資數十億美元，在美國亞利桑那州廠(chǎng)建立 5nm 晶圓廠(chǎng)。該工廠(chǎng)于 2021 年 4 月動(dòng)工興建，預計 2024 年營(yíng)運量產(chǎn)，月產(chǎn)能 2 萬(wàn)片。昨日，臺積電為該工廠(chǎng)舉行了上梁典禮。臺積電的領(lǐng)英（linkedin）賬號顯示，本次上梁典禮有 4000 多名臺積電員工及合作伙伴參加，他們一起慶祝了臺積電 5nm 工廠(chǎng)的新里程碑。該典禮的舉行意味著(zhù)該工廠(chǎng)的基礎設施全部完工，即將開(kāi)始安裝設備進(jìn)行調試。該工廠(chǎng)未來(lái)產(chǎn)能以 5nm 工藝為主，這將是美國最先進(jìn)的半導體工藝。此
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臺積電希望美國打錢(qián)支持：5nm晶圓廠(chǎng)成本超預期
- 芯研所7月15日消息，2020年臺積電宣布將在美國建設晶圓廠(chǎng)，這是他們首次在海外建設先進(jìn)工藝的5nm工廠(chǎng)，總投資計劃高達240億美元，目前還在建設中。在美國建設晶圓廠(chǎng)的成本是要高于亞洲地區的，在今天的Q2財報會(huì )議上，臺積電也談到了這個(gè)問(wèn)題，表示仍處于工廠(chǎng)的建設階段，美國工廠(chǎng)的成本比我們預期的要高。芯研所采編臺積電表示，我們將這些信息提供給了當地政府，讓他們全面了解成本差距，臺積電仍在努力爭取政府補貼，將繼續努力降低成本。此前美國推出了高達520億美元的半導體補貼法案，很多半導體公司都在爭取這一補貼，不過(guò)這
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三星即將量產(chǎn)3nm工藝 功耗比大降50%
- 芯研所6月29日消息，據韓國媒體報道稱(chēng)，三星將在未來(lái)幾天宣布開(kāi)始批量制造，在生產(chǎn)世界上最先進(jìn)的芯片的過(guò)程中擊敗競爭對手臺積電。在此之前這家韓國科技巨頭在向更小的工藝節點(diǎn)轉移時(shí)出現了很多產(chǎn)量問(wèn)題，以至于影響了它的一些最大客戶(hù)的業(yè)務(wù)，如高通公司，該公司現在正考慮將臺積電用于未來(lái)的移動(dòng)芯片。NVIDIA在處理了Ampere GPU的良品率問(wèn)題和相對較低的能源效率后，正為其下一代產(chǎn)品選擇臺積電，這些GPU原本是在三星的8nm工藝節點(diǎn)上制造的。來(lái)自韓國當地媒體的報道顯示，三星正準備宣布開(kāi)始3納米的批量制造，可能最快
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