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泛林 文章 進(jìn)入泛林技術(shù)社區
通過(guò)工藝建模進(jìn)行后段制程金屬方案分析
- ●? ?由于阻擋層相對尺寸及電阻率增加問(wèn)題，半導體行業(yè)正在尋找替代銅的金屬線(xiàn)材料?！? ?在較小尺寸中，釕的性能優(yōu)于銅和鈷，因此是較有潛力的替代材料。隨著(zhù)互連尺寸縮減，阻擋層占總體線(xiàn)體積的比例逐漸增大。因此，半導體行業(yè)一直在努力尋找可取代傳統銅雙大馬士革方案的替代金屬線(xiàn)材料。相比金屬線(xiàn)寬度，阻擋層尺寸較難縮減（如圖1）。氮化鉭等常見(jiàn)的阻擋層材料電阻率較高，且側壁電子散射較多。因此，相關(guān)阻擋層尺寸的增加會(huì )導致更為顯著(zhù)的電阻電容延遲，并可能影響電路性能、并增加功耗。圖1
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泛林集團被Ethisphere評為 2024 年“全球最具商業(yè)道德企業(yè)”之一
- 泛林集團連續第二年獲此年度殊榮，以表彰其通過(guò)完善的道德、合規和治理來(lái)恪守商業(yè)誠信的承諾。泛林集團近日宣布，公司已被Ethisphere 評為 2024 年“全球最具商業(yè)道德企業(yè)?”之一，Ethisphere是定義和推進(jìn)商業(yè)道德實(shí)踐標準的全球領(lǐng)導者。泛林集團是今年全球榜單中唯一一家晶圓制造設備供應商。泛林集團首席合規官 Pearl Del Rosario表示：“連續第二年被 Ethisphere 評為‘全球最具商業(yè)道德企業(yè)’之一，我們深感自豪，這反映了泛林集團對商業(yè)誠信和透明度的堅定承諾。我們健全的道德與合
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使用大面積分析提升半導體制造的良率
- l通過(guò)虛擬工藝開(kāi)發(fā)工具加速半導體工藝熱點(diǎn)的識別l這些技術(shù)可以節約芯片制造的成本、提升良率設計規則檢查 (DRC) 技術(shù)用于芯片設計，可確保以較高的良率制造出所需器件。設計規則通常根據所使用設備和工藝技術(shù)的限制和變異性制定。DRC可確保設計符合制造要求，且不會(huì )導致芯片故障或DRC違規。常見(jiàn)的DRC規則包括最小寬度和間隔要求、偏差檢查以及其他規格，以避免在制造過(guò)程中出現短路、斷路、材料過(guò)量或其他器件故障。 在先進(jìn)的半導體技術(shù)節點(diǎn)，DRC規則的數量增加和復雜性提升，導致傳統的2D DRC無(wú)法
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使用SEMulator3D進(jìn)行虛擬工藝故障排除和研究
- 現代半導體工藝極其復雜，包含成百上千個(gè)互相影響的獨立工藝步驟。在開(kāi)發(fā)這些工藝步驟時(shí)，上游和下游的工藝模塊之間常出現不可預期的障礙，造成開(kāi)發(fā)周期延長(cháng)和成本增加。本文中，我們將討論如何使用 SEMulator3D?中的實(shí)驗設計 (DOE) 功能來(lái)解決這一問(wèn)題。在 3D NAND 存儲器件的制造中，有一個(gè)關(guān)鍵工藝模塊涉及在存儲單元中形成金屬柵極和字線(xiàn)。這個(gè)工藝首先需要在基板上沉積數百層二氧化硅和氮化硅交替堆疊層。其次，在堆疊層上以最小圖形間隔來(lái)圖形化和刻蝕存儲孔陣列。此時(shí)，每層氮化硅（即將成為字線(xiàn)）的外表變得像
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為刻蝕終點(diǎn)探測進(jìn)行原位測量
- 介紹?半導體行業(yè)一直專(zhuān)注于使用先進(jìn)的刻蝕設備和技術(shù)來(lái)實(shí)現圖形的微縮與先進(jìn)技術(shù)的開(kāi)發(fā)。隨著(zhù)半導體器件尺寸縮減、工藝復雜程度提升，制造工藝中刻蝕工藝波動(dòng)的影響將變得明顯?？涛g終點(diǎn)探測用于確定刻蝕工藝是否完成、且沒(méi)有剩余材料可供刻蝕。這類(lèi)終點(diǎn)探測有助于最大限度地減少刻蝕速率波動(dòng)的影響?？涛g終點(diǎn)探測需要在刻蝕工藝中進(jìn)行傳感器和計量學(xué)測量。當出現特定的傳感器測量結果或閾值時(shí)，可指示刻蝕設備停止刻蝕操作。如果已無(wú)材料可供刻蝕，底層材料（甚至整個(gè)器件或晶圓）就會(huì )遭受損壞，從而極大影響良率[1]，因此可靠的終點(diǎn)
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半大馬士革集成中引入空氣間隙結構面臨的挑戰
- l 隨著(zhù)芯片制造商向3nm及以下節點(diǎn)邁進(jìn)，后段模塊處理迎來(lái)挑戰l 半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結構可能有助于縮短電阻電容的延遲時(shí)間 隨著(zhù)器件微縮至3nm及以下節點(diǎn)，后段模塊處理迎來(lái)許多新的挑戰，這使芯片制造商開(kāi)始考慮新的后段集成方案。 在3nm節點(diǎn)，最先進(jìn)的銅金屬化將被低電阻、無(wú)需阻擋層的釕基后段金屬化所取代。這種向釕金屬化的轉變帶來(lái)減成圖形化這一新的選擇。這個(gè)方法也被稱(chēng)為“半大馬士革集成”，結合了最小間距互連的減成圖形化與通孔結構的傳統大馬士革。
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泛林集團如何助力觸覺(jué)技術(shù)的實(shí)現
- ●? ?視頻游戲、虛擬現實(shí)和增強現實(shí)的興起正在推動(dòng)觸覺(jué)技術(shù)需求的增長(cháng)●? ?泛林集團的脈沖激光沉積(PLD)技術(shù)可助力下一代觸覺(jué)技術(shù)試著(zhù)想象一場(chǎng)沉浸式的虛擬體驗：在探索數字世界的時(shí)候，你的觸覺(jué)似乎與感受到的景象和聲音一樣真實(shí)。盡管一切只存在于網(wǎng)絡(luò )空間中，但你可以感受到用手接球、或者在虛擬鍵盤(pán)上敲字的感覺(jué)。這種感覺(jué)需要觸覺(jué)技術(shù)的支持，而泛林正在用創(chuàng )新助力這一技術(shù)的實(shí)現。制造微型觸覺(jué)器件需要許多與制造集成電路相同的基礎工藝，包括沉積、刻蝕、清洗等，但不需要制造納米級結構
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泛林集團以FIRST Global機器人挑戰賽為舞臺,培養未來(lái)的STEM人才
- 2023年度?FIRST?Global機器人挑戰賽于10月7-10日在新加坡舉辦。全球將近200個(gè)國家或地區的青少年在合作中競爭，在機器人領(lǐng)域展開(kāi)了一場(chǎng)充滿(mǎn)活力、智慧和創(chuàng )造力的較量。這是該國際機器人賽事第七次舉辦年度競賽。這一令人振奮的賽事為期四天，由一家致力于培養全球年輕人科學(xué)領(lǐng)導力和技術(shù)創(chuàng )新的非營(yíng)利組織FIRST?Global發(fā)起和組織。全球半導體行業(yè)創(chuàng )新晶圓制造設備和服務(wù)的供應商泛林集團成為2023年挑戰賽的冠名贊助商。泛林集團首席傳播官兼負責ESG的集團副總裁Stac
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晶圓的另一面:背面供電領(lǐng)域的最新發(fā)展
- 在我從事半導體設備的職業(yè)生涯之初，晶圓背面是個(gè)麻煩問(wèn)題。當時(shí)發(fā)生了一件令我記憶深刻的事：在晶圓傳送的過(guò)程中，幾片晶圓從機器人刀片上飛了出來(lái)。收拾完殘局后，我們想到，可以在晶圓背面沉積各種薄膜，從而降低其摩擦系數。放慢晶圓傳送速度幫助我們解決了這個(gè)問(wèn)題，但我們的客戶(hù)經(jīng)理不太高興，因為他們不得不向客戶(hù)解釋由此導致的產(chǎn)量減少的原因。盡管初識晶圓背面的過(guò)程不太順利，但當2010年代早期Xilinx Virtex-7系列FPGA發(fā)布時(shí)，我開(kāi)始更加關(guān)注這個(gè)領(lǐng)域。Xilinx的產(chǎn)品是首批采用“堆疊硅互連技術(shù)”的異構集成
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3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來(lái)架構
- 動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量?jì)却娴臄底蛛娮釉O備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術(shù)進(jìn)步驅動(dòng)了DRAM的微縮，隨著(zhù)技術(shù)在節點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動(dòng)存儲器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著(zhù)生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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使用新一代高度可調的低介電薄膜來(lái)解決串擾、隔離等制造挑戰
- 提升集成電路中的介電層性能可以在現在和未來(lái)的存儲器和邏輯電路發(fā)展中產(chǎn)生巨大的戰略影響。想象一下，在一個(gè)擠滿(mǎn)人的大房間里，每個(gè)人都有一條您需要的重要信息。他們都很樂(lè )意告訴您他們的信息，但問(wèn)題是，他們都在同一時(shí)間說(shuō)話(huà)。房間里的人越密集，就越難將想要關(guān)注的信息與周?chē)碾s音區分開(kāi)。 這就是“串擾”，維基百科將其定義為“傳輸系統上一個(gè)電路或通道上傳輸的信號在另一個(gè)電路或通道中產(chǎn)生不希望出現的影響”。如果您從事存儲器和邏輯器件制造，那么您面臨的情況就很像那個(gè)嘈雜的房間，因為在這當中非常鄰近的范圍
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泛林集團虛擬工藝比賽 | 人類(lèi)工程師 vs. 人工智能
- 近期全球最具權威性的科學(xué)期刊Nature雜志發(fā)表了近150年來(lái)最激動(dòng)人心且極具突破性的研究：《改進(jìn)半導體工藝開(kāi)發(fā)的人機協(xié)作》，該文章由泛林集團九名研究人員合著(zhù)。此前曾擔任泛林集團首席技術(shù)官的Rick Gottscho博士表示：“我們的研究是突破性的，使泛林集團脫穎而出、成為在工藝工程中應用數據科學(xué)的領(lǐng)導者?！?nbsp;刊登在Nature雜志的這篇文章對比了人類(lèi)工程師與機器以最低目標成本（即最少的實(shí)驗次數）開(kāi)發(fā)半導體工藝的情況。為此，研究人員們創(chuàng )建了對比人類(lèi)和計算機算法表現的比賽，在比賽中雙方需要設計一個(gè)
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泛林集團人工智能 (AI) 研究確定了顛覆性的開(kāi)發(fā)方法，以加快芯片工藝的創(chuàng )新并降低成本
- 北京時(shí)間2023 年 4 月 24 日 – 泛林集團 (Nasdaq: LRCX) 新近研究了在芯片制造的工藝開(kāi)發(fā)中應用人工智能 (AI) 的潛力。芯片制造工藝開(kāi)發(fā)對于世界上每一個(gè)新的先進(jìn)半導體的大規模生產(chǎn)都必不可少，現在仍以人工驅動(dòng)。專(zhuān)家表示，隨著(zhù)半導體市場(chǎng)朝著(zhù) 2030 年年銷(xiāo)售 1 萬(wàn)億美元的規模發(fā)展1，最近發(fā)表在 Nature雜志上的這項研究發(fā)現了契機，以解決該行業(yè)面臨的兩個(gè)巨大挑戰：降低開(kāi)發(fā)成本和加快創(chuàng )新步伐，以滿(mǎn)足對下一代芯片日益增長(cháng)的需求。該研究發(fā)現，與今天的方法相比，“先人后機”
- 關(guān)鍵字： 泛林 人工智能 芯片工藝
泛林介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條泛林!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對泛林的理解，并與今后在此搜索泛林的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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