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三星3納米良率慘爆一度0％？
- 三星一直想透過(guò)3納米技術(shù)超車(chē)臺積電，但結果始終不如預期，相較臺積電已經(jīng)取得多位大客戶(hù)的訂單，并反映在財報上，三星3納米技術(shù)甚至被爆出良率一度只有0%，即使高層堅稱(chēng)「很穩定」自家人韓媒不買(mǎi)賬，直言很多大廠(chǎng)都沒(méi)有明確要下訂單。 韓媒DealSite此前曾爆料，三星生產(chǎn)Exynos 2500處理器時(shí)，良率一度僅有0%，加上知名分析師郭明錤日前撰文表示，高通將成為三星Galaxy S25系列機型的獨家SoC供貨商，原因是三星自家的Exynos 2500芯片良率低于預期，因此無(wú)法出貨。接二連三的消息都顯示，三星3納
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曝三星3nm良率僅20%！但仍不放棄Exynos 2500
- 6月23日消息，據媒體報道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠低于量產(chǎn)標準，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預計有20%至30%的提升。然而，低良品率的問(wèn)題可能導致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺，這將增加成本并可能影響產(chǎn)品定價(jià)。三星對Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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良率不及臺積電4成！三星2代3nm制程爭奪英偉達訂單失敗
- 全球半導體大廠(chǎng)韓國三星即將在今年上半年量產(chǎn)的第2代3nm制程，不過(guò)據韓媒指出，三星3nm制程目前良率僅有20%，相較于臺積電N3B制程良率接近55%，還不及臺積電良率的4成，使得三星在爭奪英偉達（NVIDIA）代工訂單受挫。外媒分析稱(chēng)，三星恐怕要在先進(jìn)制程上多加努力，才有可能與臺積電競爭，留住大客戶(hù)的訂單。據《芯智訊》引述韓媒的報導說(shuō)，本月初EDA大廠(chǎng)新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動(dòng)系統單芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成設計定案（tape out）。外界認為，該芯
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拼命追趕還是慘輸臺積電 三星3納米最新良率曝光
- 臺積電的先進(jìn)制程技術(shù)遙遙領(lǐng)先其他競爭對手，也獲得全球大客戶(hù)肯定。不過(guò)南韓三星電子仍努力追趕，想要分一杯羹。據最新爆料，三星的3納米良率已大幅提升到原本的3倍，但仍是落后臺積電?？萍季W(wǎng)站W(wǎng)ccftech引述知名爆料者Revegnus在社群平臺X（前身為推特）的發(fā)文報導，三星的3納米制程良率一開(kāi)始雖然只有10～20%，但最近已拉升至3倍以上。盡管三星如今3納米制程良率已達30~60%之間，但Revegnus直言，相較于使用FinFET制程的臺積電，三星的良率數據依然偏低。不過(guò)三星對于第二代3納米制程寄予厚望，
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4~5nm良率逐漸穩定，客戶(hù)訂單增加？三星回應
- 據《科創(chuàng )板日報》報道，針對“因4~5納米先進(jìn)制程良率逐漸穩定，客戶(hù)訂單正逐漸增加，稼動(dòng)率也相應反彈，12英寸稼動(dòng)率回升至九成?！边@一市場(chǎng)消息，三星半導體對其進(jìn)行了回應。報道指出，三星半導體相關(guān)負責人回應表示，“暫無(wú)法透露最新良率或者客戶(hù)情況。正如我們在2022年4月的財務(wù)電話(huà)會(huì )議上所提及，5nm制程良率自去年年初以來(lái)已穩定下來(lái)，而4nm制程良率也已得到了提升，自2022年第一季度以來(lái)一直在預期的軌道上。自此4~5nm制程良率已經(jīng)穩定了?！睋n國媒體BusinessKorea報道，三星4納米制程良率相較之前
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5nm以下工藝良率低 三星：將尋找中國客戶(hù)
- 據韓國媒體報道，三星電子新人聯(lián)合CEO Kyung Kye-hyun日前在股東大會(huì )上表態(tài)，稱(chēng)三星今年芯片及零件部門(mén)的增長(cháng)率有望優(yōu)于全球芯片市場(chǎng)的9%，三星會(huì )設法提高產(chǎn)能，滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。針對5nm及以下工藝良率偏低的問(wèn)題，Kyung Kye-hyun表示芯片擴產(chǎn)需要時(shí)間，但三星已經(jīng)在改善中，他強調半導體芯片工藝越來(lái)越精密，復雜度也提高了，5nm以下的芯片工藝正在逼近半導體物理極限。Kyung Kye-hyun稱(chēng)三星計劃將生產(chǎn)線(xiàn)運營(yíng)最佳化，以改善盈利及供應，并持續提升已經(jīng)量產(chǎn)的工藝。此外，Kyun
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4nm良率僅為三成 三星晶圓代工疑出現“良品率造假”
- 據媒體報道稱(chēng)高通已將3nm AP代工訂單獨家交給了臺積電。不僅如此，有業(yè)內人士稱(chēng)，高通還將部分4nm驍龍8旗艦處理器的部分代工訂單交給臺積電。當時(shí)我聽(tīng)到這個(gè)消息一方面為臺積電感到高興，另一方面心中出現質(zhì)疑：為什么高通沒(méi)有選擇三星？而近期外媒的爆料給出了這個(gè)答案。2月25日，據韓國媒體爆料稱(chēng)，近期三星電子懷疑三星半導體代工廠(chǎng)的產(chǎn)量及良率報告存在“造假”行為，正計劃開(kāi)展一項內部調查。據悉，三星電子DS部門(mén)（三星電子旗下半導體事業(yè)暨裝置解決方案事業(yè)部，三星晶圓代工業(yè)務(wù)隸屬于該部門(mén)）近期正接受管理咨詢(xún)部門(mén)就三
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臺積電3nm良率難提升 多版本3nm工藝在路上
- 近日，關(guān)于臺積電3nm工藝制程有了新消息，據外媒digitimes最新報道，半導體設備廠(chǎng)商透露，臺積電3納米良率拉升難度飆升，臺積電因此多次修正3納米藍圖。實(shí)際上，隨著(zhù)晶體管數量的堆積，內部結構的復雜化，3nm工藝制程的良品率確實(shí)很難快速提升，達成比較好的量產(chǎn)水平。因此，臺積電或將規劃包括N3、N3E與N3B等多個(gè)不同良率和制程工藝的技術(shù)，以滿(mǎn)足不同廠(chǎng)商的性能需求，正如同去年蘋(píng)果在A(yíng)15上進(jìn)行不同芯片性能閹割一致，即能滿(mǎn)足量產(chǎn)需求，還能平攤制造成本，保持利潤。此外，還有消息稱(chēng)臺積電將在2023年第一季度開(kāi)
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泛林集團邊緣良率產(chǎn)品組合推出新功能
- 近日，全球領(lǐng)先的半導體制造設備及服務(wù)供應商泛林集團宣布其半導體制造系統產(chǎn)品組合推出全新功能，以進(jìn)一步改善晶圓邊緣的產(chǎn)品良率，從而提高客戶(hù)的生產(chǎn)效率。在半導體生產(chǎn)工藝中，制造商希望在晶圓的整個(gè)表面搭建集成電路。然而，由于晶圓邊緣的化學(xué)、物理和熱不連續性都更加難以控制，良率損失的風(fēng)險也隨之增加。因此，控制刻蝕的不均勻度以及避免晶圓邊緣缺陷是降低半導體器件制造成本的關(guān)鍵所在。泛林集團的Corvus刻蝕系統和Coronus等離子斜面清潔系統有效地解決了大規模生產(chǎn)中的邊緣良率問(wèn)題。這些解決方案被應用于尖端節點(diǎn)的制造
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利用縫隙抑制型鎢填充接觸區工藝來(lái)降低良率損失
- 在早先的技術(shù)節點(diǎn)中，由于器件尺寸較大，能采用成核及平整化化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)進(jìn)行鎢(W)填充。如今，由于插塞處的超小開(kāi)口很容易發(fā)生懸垂現象，因此薄膜表面均勻生長(cháng)的共形階段可能在填充完成前就關(guān)閉或夾斷，從而留下孔洞。
- 關(guān)鍵字： 化學(xué)氣相沉積 良率 化學(xué)機械拋光
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良率介紹
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