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臺積電.晶圓代工
臺積電.晶圓代工 文章 進(jìn)入臺積電.晶圓代工技術(shù)社區
AMD拿下臺積電2nm工藝首發(fā)
- 4月15日，AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC處理器「Venice」正式完成投片（tape out），成為業(yè)界首款采用臺積電2nm（N2）制程技術(shù)的高效能運算（HPC）處理器，預計將于明年上市。這也是AMD首次拿下臺積電最新制程工藝的首發(fā)，而以往則都是由蘋(píng)果公司的芯片首發(fā)。N2是臺積電首個(gè)依賴(lài)于全環(huán)繞柵極晶體管（Gate All Around，GAA）的工藝技術(shù)，預計與N3（3nm）相比，可將功耗降低24%至35%，或者在相同運行電壓下的性能提高15%，同時(shí)晶體管密度是N3的1.15倍，這些提升主要得
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臺積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國，以滿(mǎn)足當地客戶(hù)的需求
- 上個(gè)月臺積電（TSMC）宣布，有意增加1000億美元投資于美國先進(jìn)半導體制造，擴大投資計劃包括了三座新建晶圓廠(chǎng)、兩座先進(jìn)封裝設施、以及一間主要的研發(fā)團隊中心。臺積電在美國亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠(chǎng)名為Fab 21，前后花了大概五年時(shí)間才完成第一間晶圓廠(chǎng)。不過(guò)隨著(zhù)項目的推進(jìn)，臺積電在當地的設施建造速度變得更快。據TrendForce報道，臺積電打算將FOPLP封裝技術(shù)帶入美國，以滿(mǎn)足當地客戶(hù)日益增長(cháng)的需求。臺積電正在確定FOPLP封裝的最終規格，以加快大規模生產(chǎn)的時(shí)間表。初代產(chǎn)品預計采用300mm x
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臺積電面臨10億美元罰款和100%關(guān)稅威脅
- 4月9日，美國總統特朗普在共和黨全國委員會(huì )活動(dòng)上自爆曾威脅臺積電，若不繼續在美國投資建廠(chǎng)，其產(chǎn)品進(jìn)入美國將面臨高達100%的關(guān)稅。特朗普還批評拜登政府此前為臺積電亞利桑那州工廠(chǎng)提供66億美元補貼，主張通過(guò)稅收威脅而非財政激勵推動(dòng)制造業(yè)回流。10億美元罰款？據路透社援引知情人士透露，臺積電可能面臨10億美元或更高的罰款，作為美國對其生產(chǎn)的芯片的出口管制調查結果。臺積電被指控通過(guò)第三方為中國大陸科技企業(yè)代工生產(chǎn)近300萬(wàn)顆AI芯片，而根據美國出口管制條例，違規交易最高可被處以交易金額兩倍的罰款。臺積電在一份聲
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全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)新變局
- 復雜國際形勢疊加終端需求冰火兩重天的景象之下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)迎來(lái)調整時(shí)期，人事變動(dòng)、整合傳聞屢見(jiàn)不鮮。與此同時(shí)，先進(jìn)制程正加速沖刺，2nm芯片在今年將實(shí)現量產(chǎn)/試產(chǎn)，開(kāi)啟半導體技術(shù)新紀元。三星晶圓代工部門(mén)調整，加強HBM業(yè)務(wù)競爭力近期，媒體報道三星電子DS部門(mén)針對代工部門(mén)人員發(fā)布了“定期招聘”公告，三星計劃把超過(guò)兩位數的晶圓代工事業(yè)部人員調往存儲器制造技術(shù)中心、半導體研究院以及全球制造及基礎設施總部。業(yè)界透露，三星此次調整主要是為了加強HBM領(lǐng)域競爭實(shí)力，其中三星半導體研究所招募人員是為了“加強HBM和封裝
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三星已組建專(zhuān)注于1nm芯片開(kāi)發(fā)的團隊 量產(chǎn)目標定于2029年
- 2nm GAA 工藝進(jìn)展被傳順利，但三星的目標是通過(guò)推出自己的 1nm 工藝來(lái)突破芯片開(kāi)發(fā)的技術(shù)限制。一份新報告指出，該公司已經(jīng)成立了一個(gè)團隊來(lái)啟動(dòng)這一工藝。然而，由于量產(chǎn)目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時(shí)間才能看到這種光刻技術(shù)的應用。1nm 晶圓的開(kāi)發(fā)需要“高 NA EUV 曝光設備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。另一方面，臺積電也正在推出 2 納米以下芯片，據報道，這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開(kāi)始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA 技術(shù)的試產(chǎn)過(guò)程中
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小米新款SoC或采用臺積電N4P工藝，圖形性能優(yōu)于第二代驍龍8
- 去年末有報道稱(chēng)，小米即將迎來(lái)了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單，批量生產(chǎn)自己設計的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭載于小米5c，對SoC并不陌生。據Wccftech報道，雖然中國大陸的芯片設計公司或許不能采用臺積電（TSMC）最新的制造工藝，但最新消息指出，相關(guān)的管制措施暫時(shí)沒(méi)有影響到小米，該款SoC有望在今年晚些時(shí)候推出。不過(guò)與之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工藝，而是4nm工藝，具體來(lái)說(shuō)是N4P。小米的SoC在C
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創(chuàng )意推全球首款HBM4 IP 于臺積電N3P制程成功投片
- 創(chuàng )意2日宣布，自主研發(fā)的HBM4控制器與PHY IP完成投片，采用臺積電最先進(jìn)N3P制程技術(shù)，并結合CoWoS-R先進(jìn)封裝，成為業(yè)界首個(gè)實(shí)現12 Gbps數據傳輸速率之HBM4解決方案，為AI與高效能運算（HPC）應用樹(shù)立全新里程碑。HBM4 IP以創(chuàng )新中間層（Interposer）布局設計優(yōu)化信號完整性（SI）與電源完整性（PI），確保在CoWoS系列封裝技術(shù)下穩定運行于高速模式。 創(chuàng )意指出，相較前代HBM3，HBM4 PHY（實(shí)體層）效能顯著(zhù)提升，帶寬提升2.5倍，滿(mǎn)足巨量數據傳輸需求、功耗效率提升1
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Intel、臺積電、三星激戰2nm！三巨頭先進(jìn)工藝制程進(jìn)度一覽
- 4月3日消息，日前舉辦的Vision 2025大會(huì )上，Intel正式宣布18A工藝制程技術(shù)已進(jìn)入風(fēng)險生產(chǎn)階段。預計今年下半年首發(fā)該工藝的Panther Lake處理器將進(jìn)行大批量生產(chǎn)。此舉為“四年五個(gè)節點(diǎn)（5N4Y）”計劃立下關(guān)鍵里程碑。按照Intel的愿景，18A將是其反超臺積電、重奪半導體工藝世界第一的關(guān)鍵節點(diǎn)。值得關(guān)注的是，此為新任華人CEO陳立武接棒后首度公開(kāi)亮相，業(yè)界解讀Intel此舉在向臺積電、三星等競爭對手展示技術(shù)肌肉。Intel 18A工藝將全球首次同時(shí)采用PowerVia背面供電和Rib
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Intel怎么追！臺積電完美搞定2nm 扭頭就沖向1.4nm
- 4月2日消息，如今的臺積電，真是把新的制程工藝變得似乎易如反掌！早在今年初，就有報道陳，臺積電2nm工藝試產(chǎn)進(jìn)度遠超預期，樂(lè )觀(guān)預計位于新竹寶山、高雄的兩座旗艦級工廠(chǎng)可在年底每月產(chǎn)出8萬(wàn)塊晶圓?，F在，臺積電已經(jīng)順利完成了2nm試產(chǎn)階段，良率超過(guò)60％，從而正式進(jìn)入量產(chǎn)準備階段。目前，臺積電2nm已經(jīng)開(kāi)始承接客戶(hù)訂單，蘋(píng)果、AMD、Intel、博通等客戶(hù)正在爭相排隊，其中寶山工廠(chǎng)的首批產(chǎn)能全部供給蘋(píng)果，高雄工廠(chǎng)負責其他客戶(hù)。緊接著(zhù)，臺積電就馬不停蹄地投入了下一代1.4nm工藝的相關(guān)工作。臺積電寶山P2(Fab
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再加碼！臺積電在美投資或增加到2000億美元
- 日前，特朗普接受專(zhuān)訪(fǎng)時(shí)再度提到臺積電赴美投資重大里程碑，談及投資規模時(shí)，表示最大的芯片制造商將投資2000億美元，并稱(chēng)臺積電董事長(cháng)魏哲家是“商界最受敬重的人之一”。臺積電的“赴美”之路· 2020年，臺積電宣布在亞利桑那州設立首個(gè)芯片生產(chǎn)基地，初期預計投資約120億美元；· 2023年，臺積電計劃進(jìn)一步增加在美國的投資力度，決定在亞利桑那州增設第二個(gè)晶圓制造廠(chǎng)，這使臺積電在美國的總投資額提升至400億美元；· 2024年，為了更多利用《芯片和科學(xué)法案》所提供的補貼支持，臺積電再次擴大了其在美國的布局計劃，
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臺積電2nm馬上量產(chǎn)：工廠(chǎng)火力全開(kāi) 蘋(píng)果首發(fā)
- 3月31日消息，據媒體報道，位于新竹和高雄的兩大臺積電工廠(chǎng)將是2nm工藝制程的主要生產(chǎn)基地，預計今年下半年正式進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。在前期試產(chǎn)中，臺積電已經(jīng)做到了高達60%的良率表現，待兩大工廠(chǎng)同步投產(chǎn)之后，月產(chǎn)能將攀升至5萬(wàn)片晶圓，最大設計產(chǎn)能更可達8萬(wàn)片。與此同時(shí)，市場(chǎng)對2nm芯片的需求持續高漲，最新報告顯示，僅2025年第三、四季度，臺積電2納米工藝即可創(chuàng )造301億美元的營(yíng)收，這一數字凸顯先進(jìn)制程在A(yíng)I、高性能計算等領(lǐng)域的強勁需求。作為臺積電的核心客戶(hù)，蘋(píng)果將是臺積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者，預計iP
- 關(guān)鍵字： 臺積電 2nm 量產(chǎn) 蘋(píng)果首發(fā) 晶圓 GAAFET架構 3nm FinFET
英偉達Rubin架構GPU采用小芯片技術(shù)
- 此前的GTC2025大會(huì )上，英偉達執行長(cháng)黃仁勛公布了最新技術(shù)路線(xiàn)藍圖，令業(yè)界頗為期待。最新消息，臺積電將與英偉達合作，開(kāi)發(fā)下代先進(jìn)小芯片GPU，與英偉達“Rubin”架構發(fā)揮作用，為Blackwell架構的后繼者。據外媒Digital Trends報導，小芯片與傳統單晶片GPU差別很明顯，有更高性能、可擴展性和成本效率。小芯片使芯片商將多個(gè)較小半導體芯片封裝成單一芯片，提高產(chǎn)量，降低生產(chǎn)成本。這在半導體產(chǎn)業(yè)越來(lái)越受歡迎，芯片設計越來(lái)越復雜，傳統制程縮放局限性越來(lái)越大，借助臺積電封裝制程，英偉達可提高GPU
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英特爾18A制程搶單臺積電，瞄準英偉達和博通
- 臺積電為全球晶圓代工龍頭，追兵英特爾來(lái)勢洶洶，瑞銀分析師Timothy Arcuri最新報告指出，英特爾在新任執行長(cháng)陳立武帶領(lǐng)下，著(zhù)重發(fā)展半導體設計與代工能力，正積極爭取英偉達與博通下單18A制程。Timothy Arcuri表示，英偉達比博通更有機會(huì )下單英特爾晶圓代工，可能用于游戲產(chǎn)品，但效能與功耗仍是英偉達考慮的重點(diǎn)。 另一方面，英特爾透過(guò)改善先進(jìn)封裝技術(shù)，縮小與臺積電的差距，英特爾EMIB接近臺積電的CoWoS-L希望能吸引以英偉達為首的大客戶(hù)支持。此外，英特爾與聯(lián)電的合作相當順利，最快可能在202
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4月1日，臺積電正式接受2nm訂單
- 4月1日起，臺積電2nm晶圓的訂單通道將正式開(kāi)放，臺積電董事長(cháng)魏哲家透露，客戶(hù)對于2nm技術(shù)的需求甚至超過(guò)了3nm同期。蘋(píng)果有望率先鎖定首批供應，根據知名蘋(píng)果供應鏈分析師郭明錤的最新分析，2026年下半年上市的iPhone 18全系列將搭載的A20處理器或全球首發(fā)2nm工藝。而iPhone 17系列的A19芯片將采用臺積電第三代3nm工藝（N3P）制造，若A20芯片如期量產(chǎn)，A20芯片在性能和能效方面將有更顯著(zhù)的提升。業(yè)內人士分析，A20性能提升幅度或超歷代芯片迭代，同時(shí)還為蘋(píng)果下一步的折疊屏、屏下Fac
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臺積電.晶圓代工介紹
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