再加碼！臺積電在美投資或增加到2000億美元

日前，特朗普接受專(zhuān)訪(fǎng)時(shí)再度提到臺積電赴美投資重大里程碑，談及投資規模時(shí)，表示最大的芯片制造商將投資2000億美元，并稱(chēng)臺積電董事長(cháng)魏哲家是“商界最受敬重的人之一”。

臺積電的“赴美”之路

· 2020年，臺積電宣布在亞利桑那州設立首個(gè)芯片生產(chǎn)基地，初期預計投資約120億美元；

· 2023年，臺積電計劃進(jìn)一步增加在美國的投資力度，決定在亞利桑那州增設第二個(gè)晶圓制造廠(chǎng)，這使臺積電在美國的總投資額提升至400億美元；

· 2024年，為了更多利用《芯片和科學(xué)法案》所提供的補貼支持，臺積電再次擴大了其在美國的布局計劃，宣布將在亞利桑那州建設第三座晶圓制造廠(chǎng)，至此，臺積電在亞利桑那州三座芯片工廠(chǎng)的總投資金額達650億美元。

而特朗普卻對《芯片和科學(xué)法案》進(jìn)行了抨擊，聲稱(chēng)這是一個(gè)極其不利的政策，并提出了替代方案 —— 主張通過(guò)大幅提高關(guān)稅來(lái)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)“回流”美國，而不是依賴(lài)巨額的財政補貼吸引企業(yè)在美國設廠(chǎng)。

本月初，臺積電董事長(cháng)魏哲家與美國總統特朗普在白宮共同宣布，未來(lái)四年臺積電將在美增加投資1000億美元，這也是美國史上規模最大的單項海外直接投資案，而總投資金額達到了1650億美元。不但規劃新建三座新晶圓廠(chǎng)、兩座先進(jìn)封裝設施，還會(huì )在美國設立一個(gè)大型研發(fā)中心。

值得注意的是，這不是特朗普第一次說(shuō)臺積電要在美投資2000億美元。3月9日，特朗普談到臺積電赴美投資時(shí)，即提及2000億美元投資規模的數字。美系設備業(yè)者透露，2000億美元規模才是特朗普最希冀達到的目標，隨英特爾新任CEO陳立武18日就職，第二輪談判即將展開(kāi)。

美方將臺積電此舉視為降低對亞洲芯片依賴(lài)的關(guān)鍵舉措，美國商務(wù)部長(cháng)霍華德·盧特尼克表示，這一投資是“特朗普強硬關(guān)稅政策的直接成果”，暗示臺積電是為了規避即將生效的25%海外產(chǎn)品關(guān)稅而加快向美國轉移產(chǎn)能。

臺積電加快在美建廠(chǎng)速度

日經(jīng)報道稱(chēng)，臺積電在經(jīng)歷首座美國工廠(chǎng)五年建設周期后，已基本掌握在美建廠(chǎng)經(jīng)驗，計劃將后續晶圓廠(chǎng)建設周期縮短至兩年。目前，臺積電正在完成鳳凰城Fab 21一期工廠(chǎng)的設備安裝工作，并計劃在Fab 21二期建設完成后將（設備安裝）工具移至該區域。

· 一期：2020年動(dòng)工，預計今年上半年開(kāi)始生產(chǎn)4nm芯片，目前已進(jìn)入最后的質(zhì)量驗證階段；

· 二期：目前該工廠(chǎng)已經(jīng)完成主體廠(chǎng)房建設，計劃2026年試產(chǎn)、2028年開(kāi)始量產(chǎn)3nm和2nm芯片；

· 三期：將于今年年中開(kāi)始動(dòng)工，2029年之后生產(chǎn)2nm和更先進(jìn)（A16節點(diǎn)）制程芯片。

盡管建設速度提升，但光刻機交付周期難以壓縮，設備供應成了新的制約因素，這可能導致美國工廠(chǎng)的實(shí)際技術(shù)導入滯后中國臺灣1-2個(gè)制程節點(diǎn)。除此之外，根據供應鏈信息，美國工廠(chǎng)生產(chǎn)的芯片不會(huì )用于蘋(píng)果的最新機型，因為最先進(jìn)的制造工藝仍將保留在中國臺灣工廠(chǎng)。