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臺積電.晶圓代工
臺積電.晶圓代工 文章 進(jìn)入臺積電.晶圓代工技術(shù)社區
美媒：廢除《芯片法案》恐讓美芯片制造市占僅個(gè)位數
- 特朗普上任后想廢除拜登政府推動(dòng)的527億美元《芯片法案》補助，他抱怨該項計劃浪費納稅人的錢(qián)，建議把資金轉用在減輕美國債務(wù)壓力，但美國財經(jīng)媒體撰文指出，如果《芯片法案》補助被撤銷(xiāo)，美國芯片市占率恐縮減至8%?？偛课挥谌A府的半導體行業(yè)協(xié)會(huì )2024年估計，美國預計在2032年，將其所有類(lèi)型芯片的制造能力都提高至2倍，在全球芯片市占率可望從10%升至14%，但如果沒(méi)有芯片法案，美國的芯片市占率可能會(huì )縮減至8%。分析《芯片法案》對美國半導體業(yè)的影響，若從納稅人角度來(lái)看，該法案代表一筆很大的支出，但對半導體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，
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三星已于去年底量產(chǎn)第四代 4 納米芯片，全力追趕臺積電
- 3 月 11 日消息，據 ZDNet Korea 今日報道，三星電子 11 日的業(yè)務(wù)報告稱(chēng)，三星電子第四代 4 納米工藝（SF4X）已于去年 11 月開(kāi)始量產(chǎn)。由于該工藝專(zhuān)注于人工智能等高性能計算（HPC）領(lǐng)域，預計將在三星代工業(yè)務(wù)的復蘇中發(fā)揮關(guān)鍵作用。三星第一代 4 納米于 2021 年量產(chǎn)。圖源：三星電子據了解，與前幾代相比，三星的第四代 4 納米芯片采用了先進(jìn)的后端連線(xiàn)（BEOL）技術(shù)，能夠顯著(zhù)提升芯片的整體性能，同時(shí)降低制造成本。此外，該芯片還配備了高速晶體管，還支持 2.5D 和 3D 等下一代
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全球前十大晶圓代工廠(chǎng)產(chǎn)值再創(chuàng )新高
- 根據TrendForce最新調查，2024年第四季全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)呈兩極化發(fā)展，先進(jìn)制程受惠AI等新興應用增長(cháng)，及新款旗艦智能手機AP和PC新平臺備貨周期延續，帶動(dòng)高價(jià)晶圓出貨增長(cháng)，抵銷(xiāo)成熟制程需求趨緩沖擊，前十大晶圓代工業(yè)者合計營(yíng)收季增近10%，達384.8億美元，續創(chuàng )新高。 臺積電以市占率67%穩居第一外，聯(lián)電、世界先進(jìn)及力積電分居第4、8及10名。TrendForce表示，特朗普關(guān)稅新政對晶圓代工產(chǎn)業(yè)影響開(kāi)始發(fā)酵。 2024年第四季追加急單投片將延續至2025年第一季; 此外，中國大陸國補政策帶動(dòng)上
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全球前十大晶圓代工廠(chǎng)4Q24營(yíng)收排名：臺積電穩居龍頭 中芯國際躋身第三
- 3月10日消息，TrendForce集邦咨詢(xún)發(fā)布的最新研報顯示，2024年第四季度，前十大晶圓代工廠(chǎng)合計營(yíng)收季增近10%，達384.8億美元，再創(chuàng )新高。報告稱(chēng)，2024年第四季全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)呈兩極化發(fā)展，先進(jìn)制程受惠于A(yíng)I Server等新興應用增長(cháng)，以及新款旗艦級智能手機AP和PC新平臺備貨周期延續，帶動(dòng)高價(jià)晶圓出貨增長(cháng)，抵銷(xiāo)成熟制程需求趨緩帶來(lái)的沖擊。其中，受惠于智能手機、HPC新品出貨動(dòng)能延續，臺積電營(yíng)收成長(cháng)至268.5億美元，增幅14.1%，以市占率67%穩居龍頭。三星排名第二，2024年第四季
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消息稱(chēng)美版 2025 款 iPad（A16）所用芯片產(chǎn)自臺積電美國工廠(chǎng)
- 3 月 10 日消息，科技媒體 9to5Mac 昨日（3 月 9 日）發(fā)布博文，報道認為蘋(píng)果最新推出的 2025 款 11 英寸 iPad（A16）平板不僅提升了產(chǎn)品性能，還通過(guò)使用美國制造的芯片獲得戰略?xún)?yōu)勢。位于美國亞利桑那州的臺積電工廠(chǎng)美國于 2024 年開(kāi)始試產(chǎn) 4 納米芯片，臺積電已在亞利桑那州 Fab 21 工廠(chǎng)第一期工程小規模生產(chǎn) A16 芯片，雖然數量有限，但意義重大。消息稱(chēng)伴隨著(zhù)一期工程第二階段完成，該工廠(chǎng)將大幅提升產(chǎn)能，預計 2025 年上半年達到目標產(chǎn)量。蘋(píng)果沒(méi)有計劃讓 2025 款
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即使18A得到提升，英特爾也會(huì )繼續使用臺積電的服務(wù)
- 盡管英特爾希望減少對臺積電制造服務(wù)的使用，但該公司將在可預見(jiàn)的未來(lái)繼續從這家總部位于中國臺灣的代工廠(chǎng)訂購芯片，一位高級管理人員昨天在一次技術(shù)會(huì )議上表示。英特爾的宏偉計劃是在英特爾代工內部生產(chǎn)盡可能多的產(chǎn)品，但由于這可能不是最佳策略，它目前正在評估其產(chǎn)品的百分比應該在臺積電生產(chǎn)?！拔艺J為一年前我們在談?wù)摫M快將[TSMC的使用量]降至零，但這已經(jīng)不是策略了，”英特爾企業(yè)規劃和投資者關(guān)系副總裁John Pitzer在摩根士丹利技術(shù)、媒體和電信會(huì )議上說(shuō)?！拔覀冋J為，至少與臺積電合作的一些晶圓總是好的。他們是一個(gè)很
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臺積電擴大美國投資竟是“最不糟的結果”
- 臺積電4日宣布對美國加碼投資1千億美元（約臺幣3.29元），成為美國史上規模最大的外企投資案。 分析師表示，此交易對臺積電而言，是「最不糟糕」的結果，既避免了投資英特爾股權或技術(shù)移轉的風(fēng)險，又能維持自身先進(jìn)制程技術(shù)的領(lǐng)先地位。美國總統特朗普與臺積電董事長(cháng)魏哲家于4日（北京時(shí)間）在白宮共同宣布，臺積電將斥資1千億美元擴大美國投資，包括興建3座晶圓廠(chǎng)、2座先進(jìn)封裝廠(chǎng)和1座研發(fā)中心，加上原先規劃的3座晶圓廠(chǎng)（投資金額650億美元），合計臺積電在美國的總投資額將達到1650億美元。Investing.com&nb
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1650億美元！臺積電宣布美國史上規模最大的單項海外直接投資案
- 3月4日，臺積電董事長(cháng)魏哲家與美國總統特朗普在白宮共同宣布，臺積電未來(lái)4年有意增加1000億美元投資于美國先進(jìn)半導體制造，這筆資金將用于新建三座新晶圓廠(chǎng)、兩座先進(jìn)封裝設施和一個(gè)大型研發(fā)中心，這也是美國史上規模最大的單項海外直接投資案。美國總統特朗普（左）與臺積電董事長(cháng)魏哲家（右）召開(kāi)共同記者會(huì )此前，臺積電正在進(jìn)行650億美元于亞利桑那州鳳凰城的先進(jìn)半導體制造的投資項目，在美國的總投資金額預計將達到1650億美元。臺積電表示，此舉突顯了臺積電致力于支持客戶(hù)，包括蘋(píng)果（Apple）、英偉達（NVIDIA）、A
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臺積電在美豪擲千億也難逃關(guān)稅？特朗普再舉大棒
- 3月5日消息，全球最大先進(jìn)計算機芯片生產(chǎn)商臺積電宣布，將在美國投資1000億美元建設五座新工廠(chǎng)。但特朗普政府仍在考慮對臺灣地區生產(chǎn)的芯片加征關(guān)稅，甚至可能高達100%。專(zhuān)家指出，實(shí)施此類(lèi)關(guān)稅將面臨巨大的執行難度，且未必能顯著(zhù)提升美國的半導體制造能力。臺積電于周一宣布，計劃在美國投資1000億美元，在亞利桑那州建設五座芯片制造工廠(chǎng)。臺積電首席執行官魏哲家與美國總統唐納德·特朗普（Donald Trump）一同在白宮宣布了這一消息。特朗普將芯片生產(chǎn)視為“經(jīng)濟安全問(wèn)題”，并表示：“通過(guò)在這里建廠(chǎng)，他（魏哲家
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臺積電計劃在美國追加1000億美元投資，新建五家芯片工廠(chǎng)
- 集成電路代工巨頭臺積電計劃在美國追加1000億美元投資。3月4日，據環(huán)球網(wǎng)援引臺媒報道，臺積電將對美國再投資“至少”1000億美元，建造“最先進(jìn)的”芯片生產(chǎn)設施。臺積電董事長(cháng)兼總裁魏哲家表示，未來(lái)數年將在美國再建造5座晶圓廠(chǎng)。據介紹，臺積電在美建造的包括三座新的晶圓廠(chǎng)和兩座先進(jìn)封裝設施，此外還有一家大型研發(fā)中心。建設完成后，臺積電將在亞利桑那州擁有總計六家晶圓廠(chǎng)。魏哲家表示：“AI正在重塑我們的日常生活，半導體技術(shù)是新功能和應用的基石。隨著(zhù)公司在亞利桑那州的第一座晶圓廠(chǎng)取得了成功，加上必要的政府支持和強大
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1000億美元，臺積電將建3座新晶圓廠(chǎng)+2座先進(jìn)封裝設施
- 3月4日，臺積電宣布有意增加1000億美元（當前約7288.74億元人民幣）投資于美國先進(jìn)半導體制造。這筆資金將用于在美興建3座新晶圓廠(chǎng)、2座先進(jìn)封裝設施，以及1間主要研發(fā)團隊中心。據悉，臺積電此前在美建設項目?jì)H包括晶圓廠(chǎng)和設計服務(wù)中心，此次新投資補充了配套的先進(jìn)后端制造能力。臺積電董事長(cháng)兼總裁魏哲家表示，我們擬增加1000億美元投資于美國半導體制造，這讓我們的計劃投資總額達到1650億美元。結合該消息可知，此前臺積電在亞利桑那州的650億美元投資僅覆蓋三座晶圓廠(chǎng)，而新增的1000億美元投資將額外建設三座
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Marvell 展示其首款 2nm IP 驗證芯片，支持 AI XPU、交換機開(kāi)發(fā)
- 3 月 4 日消息，Marvell 美滿(mǎn)電子當地時(shí)間昨日公布了其首款 2nm IP 驗證芯片。該芯片采用臺積電 N2 制程，是 Mavell 基于該節點(diǎn)開(kāi)發(fā)定制 AI XPU、交換機和其它芯片的基石?！鳰arvell 的 2nm IP 芯片Marvell 表示其 2nm 平臺可為超大型企業(yè)顯著(zhù)提升算力基礎設施的性能與效率，從而滿(mǎn)足 AI 時(shí)代對這兩項參數的需求。Marvell 還面向芯粒（IT之家注：即 Chiplet、小芯片）垂直 3D 堆疊場(chǎng)景推出了運行速度可達 6.4Gbit/s 的 3D 同步雙向
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2納米制程競爭 臺積電穩步向前或芒刺在背？
- 在半導體制程技術(shù)的競賽中，2納米制程成為各大廠(chǎng)商爭奪的下一個(gè)重要里程碑。 臺積電（TSMC）正在積極研發(fā)2納米制程，于2024年開(kāi)始試產(chǎn)，并計劃于2025年實(shí)現量產(chǎn)。 臺積電將在2納米節點(diǎn)引入GAA（環(huán)繞柵極）納米片晶體管技術(shù)，這是從傳統的FinFET轉向新一代晶體管架構的重大轉變。 臺積電也計劃興建2納米晶圓廠(chǎng)，以滿(mǎn)足未來(lái)的生產(chǎn)需求。臺積電在制程技術(shù)上一直保持領(lǐng)先，擁有穩定的制造流程和廣泛的客戶(hù)基礎。 與蘋(píng)果、AMD、高通等大客戶(hù)的緊密合作，使其在市場(chǎng)上具有強大的影響力。 且需面對來(lái)自三星和英特爾在GA
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英特爾再度推遲280億美元芯片廠(chǎng)建設，恐動(dòng)搖市場(chǎng)信心
- 【環(huán)球時(shí)報綜合報道】美國半導體巨頭英特爾近日宣布，其斥資280億美元在俄亥俄州建設的尖端芯片制造基地將延期5年投產(chǎn)。據路透社2月28日報道，英特爾表示，在該州的首座晶圓工廠(chǎng)投產(chǎn)時(shí)間將從原計劃的2025年推遲至2030年，第二座工廠(chǎng)預計延至2032年投產(chǎn)。英特爾是獲得美國《芯片與科學(xué)法》最多資金支持的本土芯片企業(yè)，美國科技媒體WinBuzzer網(wǎng)站3月1日稱(chēng)，英特爾此前已將該工廠(chǎng)的建設計劃由2025年延期至2027年，兩次投產(chǎn)延期引發(fā)人們對僅靠政府資金能否振興美國芯片業(yè)的擔憂(yōu)。英特爾全球運營(yíng)執行副總裁錢(qián)德拉
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